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本发明提出了一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法，包括：将探测器芯片放置于腔室的工件盘上，并对腔室进行抽真空处理；利用镀膜材料以及预先配置的工艺参数，对探测器芯片进行镀膜，其中，镀膜材料包括硒化锌和氟化镱；待腔室冷却后，取出完成镀...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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