一种GaN器件结构以及相应的制作方法技术

本发明专利技术涉及GaN器件技术领域，公开了一种GaN器件结构以及相应的制作方法，通过在势垒层表面的漏极区域设置N

【技术实现步骤摘要】
一种GaN器件结构以及相应的制作方法


[0001]本专利技术涉及GaN器件
，具体为一种GaN器件结构以及相应的制作方法。

技术介绍

[0002]GaN功率器件在结构设计上，会根据应用的电压场景设计对应的栅
‑
漏间距，如图1所示为传统GaN功率器件，包括衬底100、GaN层200、势垒层300、P
‑
GaN层20、源极10、栅极30和漏极40；所述源极10、栅极30和漏极40表面还设有第一钝化层400。
[0003]其中，以耐压600V的高压GaN功率器件为例，其栅
‑
漏间距往往超过15um，而栅
‑
源间距和栅极长度的总和通常不会超过5um，即栅
‑
漏区域占整体芯片面积比例通常很高。同时，为了保证垂直方向耐压，抑制漏极
‑
衬底间的垂直漏电，在衬底上的一次外延通常较厚。而由于常规GaN功率器件主要依靠栅
‑
漏之间的区域耐压，只在水平方向扩展的耗尽区导致器件面积较大，芯片成本较高。并且，漏极
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN器件结构，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底表面的GaN层、位于所述GaN层表面的势垒层和设于所述势垒层表面的P
‑
GaN层，所述P
‑
GaN层表面设有栅极，所述势垒层表面的源极区域设有源极，所述势垒层表面的漏极区域设有N
‑
GaN层，所述N
‑
GaN层表面设有漏极。2.根据权利要求1所述的GaN器件结构，其特征在于，所述N
‑
GaN层的厚度范围为0.1um
‑
20um，所述N
‑
GaN层的掺杂浓度范围为1
×
10
15
cm
‑3‑1×
10
20
cm
‑3。3.根据权利要求1所述的GaN器件结构，其特征在于，所述N
‑
GaN层顶部的掺杂浓度大于所述N
‑
GaN层除了顶部的其他部位的掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的GaN器件结构，其特征在于，所述源极表面、所述栅极表面、所述漏极表面和势垒层表面还设有第一钝化层，所述源极和所述漏极之间的第一钝化层表面设有至少一个金属场板，所述金属场板和第一钝化层表面还设有第二钝化层。5.根据权利要求4所述的GaN器件结构，其特征在于，所述金属场板平行或垂直设置于所述源极和所述漏极之间的第一钝化层表面，且当金属场板垂直设置于所述源极和所述漏极之间的第一钝化层表面时，所述金属场板同时与位于所述N
‑
GaN层侧边的第一钝化层表面相接触。6.一种GaN器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底表面形成GaN层，在所述GaN层表面形成势垒层，在所述势垒层表面形成P
‑
GaN层；在所述势垒层...

【专利技术属性】
技术研发人员：施雯，李茂林，银发友，
申请(专利权)人：杭州云镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：