图像传感器及其像素单元制造技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及其像素单元，通过将至少部分所述重掺杂区远离栅极侧墙，降低栅极侧墙附近衬底的掺杂浓度，以降低该区域的电场强度，从而减小栅诱导漏极泄漏电流，极大程度上避免栅诱导漏极泄漏电流造成图像传感器白点恶化等问题，而且，所述像素单元的制备不改变常规工艺步骤且不会添加额外的工艺，在不改变工艺成本的基础上，达到改善器件性能的目的。的目的。的目的。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其像素单元


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种图像传感器及其像素单元。

技术介绍

[0002]近年来，由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，图像传感器已经广泛应用于手机摄像装置、数码摄录机、医疗用摄像装置、车用摄像装置以及工业测量等领域。
[0003] 典型的图像传感器的工作过程为：入射光在感光区产生光生电荷，依靠传输晶体管开启时感光区与浮置扩散区（Floating Diffusion，简称FD）之间的电势差，所述光生电荷转移到所述浮置扩散区，最后再经后续的其他晶体管转化成电压信号并进行相关处理。
[0004]其中，引发静态功耗的泄漏电流主要有：源到漏的亚阈泄漏电流、栅泄漏电流、发生在栅漏交叠区的栅诱导漏极泄漏(Gate
‑
Induced
‑
Drain
‑
Leakage，简称GIDL)电流，在器件处于关态或者处于等待状态时，GIDL电流在泄漏电流中占主导地位。当图像传感器处于读取背景信号的状态时，传输晶体管栅极接低电位，浮置扩散区接高电位，传输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的像素单元，其特征在于，包括：传输栅极结构，包括栅极及栅极侧墙，一侧设有感光区，另一侧设有至少部分远离所述栅极侧墙的重掺杂区。2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，还包括：位于所述传输栅极结构下并相连所述重掺杂区的第一轻掺杂区。3.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第一轻掺杂区沿远离所述感光区的方向延伸并与所述重掺杂区相交叠。4.如权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述栅极位于衬底上，形成所述栅极之前，于所述衬底内形成所述第一轻掺杂区。5.如权利要求4所述的像素单元，其特征在于，形成所述栅极侧墙之后，于所述衬底内形成所述重掺杂区...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志斌，徐涛，郑展，付文，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：