一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统技术方案

技术编号:36022265 阅读:26 留言:0更新日期:2022-12-21 10:18
本发明专利技术属于磁约束聚变等离子体技术领域,具体涉及一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统,该系统包括前端成像物镜、中继微距镜头组和相机,前端成像物镜、中继微距镜头组和相机依次连接。本发明专利技术的F数可以达到1,成为磁约束聚变等离子体领域的最快速的成像系统,提供明亮的视野,尤其适用于弱光成像探测,具有成像分辨率高、光通量大及成本低的优势。势。势。

【技术实现步骤摘要】
一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统


[0001]本专利技术属于磁约束聚变等离子体
,具体涉及一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统。

技术介绍

[0002]可见光成像诊断在磁约束聚变等离子体的研究中起到很重要的作用。通常地,该诊断用来观察等离子体位置,并实时监测真空室内部的面向等离子体组件(PFCs)。一些快速变化的等离子体现象则需要快速成像系统作为观察工具:例如,在等离子体启动的较短时间内,等离子体的形状和位移变化快,利用快速成像系统可以进行等离子体击穿位置和位移变化的判断;某些等离子体特定区域如偏滤器X

点附近的输运行为,以及一些小的结构如边缘局域模(ELM)放电丝、边缘湍流结构(凸峰或凹谷)也需要利用高分辨率的快速成像系统进行识别。
[0003]磁约束聚变等离子体的磁场强度高,且在等离子体启动和破裂期间磁场变化快,这会对成像探测器(CCD或CMOS)等精密电子设备的运行造成大的干扰。另外,聚变等离子体产生的高能粒子辐射与线辐射(如中子、X射线与伽马射线等),也会对近距离放置的探测器造成损伤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统,其特征在于:该系统包括前端成像物镜(1)、中继微距镜头组(2)和相机(3),前端成像物镜(1)、中继微距镜头组(2)和相机(3)依次连接。2.根据权利要求1所述的一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统,其特征在于:所述的前端成像物镜(1)由七组共十一片镜片和光阑构成,其中第一组镜片为双胶合镜片,第二组为单凸透镜片,第三组和第四组为双胶合镜片,第五组为大曲率面为非球面镜的单凸透镜片,第六组为双胶合镜片,第七组为双面非球面的单凸透镜片,光阑位于第三组和第四组双胶合镜片之间,七组镜片以及光阑在镜筒内部依次连接,七组镜片之间的间隔距离通过镜筒内部的隔圈进行调节和固定。3.根据权利要求2所述的一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统,其特征在于:所述的中继微距镜头组(2)包括微距镜头组单元a(2.1)和微距镜头组单元b(2.2),微距镜头组单元a(2.1)和微距镜头组单元b(2.2)依次连接。4.根据权利要求3所述的一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统,其特征在于:所述的微距镜头组单元a(2.1)包括微距镜头a(2.1.1)、微距镜头b(2.1.2),微距镜头a(2.1.1)与微距镜头b(2.1.2)依次连接并沿光轴对称放置,微距镜头a(2.1.1)和前端成像物镜(1)连接。5.根据权利要求4所述的一种基于微距镜头中继光学的高画质快速成像系统,其特征在于:所述的微距镜头a(2.1.1)和微距镜头b(2.1.2)分别由八组共十片镜片构成,第一组为单凹透镜片,第二组和第三组为双胶合镜片,第四组为单...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘亮余德良石中兵魏彦玲何小雪
申请(专利权)人:核工业西南物理研究院
类型:发明
国别省市:

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