半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：形成有一个或多个像素的像素区域；和形成有用于存储来自各像素的输出信号的一个或多个ＤＲＡＭ单元的ＤＲＡＭ单元区域，通过同一半导体制造工序来形成构成像素区域和ＤＲＡＭ单元区域的各层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法以及摄像装置，该半导体装置具有形成有像素的像素区域和形成有存储来自像素的输出信号的存储元件的存储元件区域。
技术介绍
在一个芯片上混装了CMOS图像传感器和临时保存图像数据的DRAM的情况下，在DRAM单元使用叠层式电容器时，从基板到形成于叠层式电容器上层的最下层布线的空间层间膜形成得较厚，随之整个芯片也形成得较厚。因此，如果形成于芯片表面上的微透镜也不能形成得充分薄，则不能按照芯片的厚度增大焦点距离，使得聚焦焦点位于基板近前的位置上。如果对光电二极管的聚光不充分，则会使CMOS图像传感器的灵敏度降低。如图65所示，如果层间膜较厚，则将很难利用微透镜在基板表面上聚光。特别是在像素尺寸被缩小的情况下，该趋势更加明显。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种半导体装置及其制造方法以及摄像装置，该半导体装置可以避免因通过微透镜照射的光的聚焦位置位于像素的前方而导致的灵敏度降低。本专利技术者经过认真研究得到以下所示的专利技术。本专利技术把半导体装置作为对象，该半导体装置具有形成有一个或多个像素的像素区域；和用于存储来自所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：形成有一个或多个像素的像素区域；和形成有用于存储来自所述像素的输出信号的一个或多个存储元件的存储元件区域，构成所述像素区域和所述存储元件区域的各层通过同一步骤形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：大川成实，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]