【技术实现步骤摘要】
存储器件和包括该存储器件的半导体器件
[0001]本公开涉及一种存储器件和包括该存储器件的半导体器件。
技术介绍
[0002]诸如动态随机存取存储器件(DRAM)的非易失性存储器件可以将数据存储在单元电容器中。数据可以以电荷的形式存储在单元电容器中,并且存储在单元电容器中的电荷可能会随着时间的推移而丢失。因此,可以在存储在单元电容器中的电荷完全丢失之前使用感测/放大和重写数据的刷新操作。
技术实现思路
[0003]本公开的实施例提供了一种能够分散功率噪声和/或热量从而提高产品可靠性的存储器件。
[0004]本公开的实施例还提供了一种包括能够分散功率噪声和/或热量从而提高产品可靠性的存储器件的半导体器件。
[0005]然而,本公开的实施例不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的上述和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。
[0006]根据本公开的实施例,存储器件包括:堆叠的多个存储芯片,其中,存储芯片中的每一个包括存储单元阵列,该存储单元阵列包括多个存储单元行;芯片标识符生成器,被配置为生成指示存储芯片中的每一个的芯片标识符的芯片标识符信号;刷新计数器,被配置为响应于刷新命令生成用于刷新存储单元行的目标行地址;以及目标行地址生成器,被配置为:接收芯片标识符信号和目标行地址,并且基于芯片标识符信号输出目标行地址和将目标行地址反相而获得的反相目标行地址之一作为刷新行地址,并对与刷新行地址相对应的存储单元行执行刷新操作。
[0 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器件,包括:堆叠的多个存储芯片,其中,所述存储芯片中的每一个包括:存储单元阵列,包括多个存储单元行,芯片标识符生成器,被配置为生成指示所述存储芯片中的每一个的芯片标识符的芯片标识符信号,刷新计数器,被配置为响应于刷新命令生成用于刷新所述存储单元行的目标行地址,以及目标行地址生成器,被配置为:接收所述芯片标识符信号和所述目标行地址,并且基于所述芯片标识符信号输出所述目标行地址和反相目标行地址之一作为刷新行地址,并对与所述刷新行地址相对应的存储单元行执行刷新操作,其中,所述反相目标行地址是通过将所述目标行地址反相而获得的。2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述目标行地址生成器包括:多路复用器,被配置为输出与包括在对应存储芯片中的所述存储单元行相对应的所述目标行地址的多个设置值之一作为中间信号,以及反相器,被配置为基于所述中间信号输出所述目标行地址和所述反相目标行地址之一作为所述刷新行地址。3.根据权利要求2所述的存储器件,其中,所述反相器被配置为对所述目标行地址和所述中间信号执行XOR运算。4.根据权利要求1所述的存储器件,其中:所述存储芯片中的每一个还包括存储电路,所述存储电路被配置为存储与包括在对应存储芯片中的所述存储单元行相对应的所述目标行地址的设置值,并且所述目标行地址生成器被配置为:从所述存储电路接收所述设置值,并基于所述芯片标识符信号和所述设置值输出所述目标行地址和所述反相目标行地址之一作为所述刷新行地址。5.根据权利要求4所述的存储器件,其中,所述存储电路包括熔丝电路和反熔丝电路中的至少一种。6.根据权利要求4所述的存储器件,其中:所述存储芯片中的每一个还包括控制逻辑,所述控制逻辑包括模式寄存器,所述模式寄存器被配置为存储用于控制所述对应存储芯片的操作的值,并且所述模式寄存器包括所述存储电路。7.根据权利要求6所述的存储器件,其中,所述控制逻辑被配置为响应于用于设置所述模式寄存器的模式寄存器设置命令,将所述设置值存储在所述模式寄存器中。8.根据权利要求1所述的存储器件,其中:所述存储单元阵列包括多个存储体阵列,所述多个存储体阵列包括所述存储单元行,并且所述存储芯片中的每一个还包括存储体地址生成器,所述存储体地址生成器被配置为:响应于所述刷新命令和存储体地址而输出所述存储体地址和反相存储体地址之一作为刷新存储体地址,并基于所述刷新存储体地址和与所述刷新行地址相对应的存储单元行对
存储体阵列执行所述刷新操作,其中,所述反相存储体地址是通过将所述存储体地址反相而获得的。9.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述存储体地址生成器包括:多路复用器,被配置为输出与包括在所述存储芯片中的每一个中的所述多个存储体阵列相对应的存储体地址的设置值之一作为中间信号,以及反相器,被配置为基于所述中间信号输出所述存储体地址和所述反相存储体地址之一作为所述刷新存储体地址。10.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述刷新命令是给出指令以刷新所述存储体阵列中的每一个的每个存储体刷新命令。11.一种存储器件,包括:第一存储芯片和第二存储芯片,所述第一存储芯片包括第一多个存储单元行,并且所述第二存储芯片包括第二多个存储单元行,其中,所述第一存储芯片被配置为:响应于刷新命令,对所述第一多个存储单元行中的与第一刷新行地址相对应的第一存储单元行执行刷新操作,并且所述第二存储芯片被配置为:在所述第一存储芯片对所述第一存储单元行执行所述刷新操作时,响应于所述刷新命令,对所述第一多个存储单元行中的与第二刷新行地址相对应的第二存储单元行执行所述刷新操作,所述第二刷新行地址与所述第一刷新行地址不同。12.根据权利要求11所述的存储器件,其中:所述第二存储芯片在所述第一存储芯片上,并且所述第二存储单元行不与所述第一存储单元行重叠。13.根据权利要求12所述的存储器件,...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。