【技术实现步骤摘要】
高压转换器装置
[0001]本公开涉及一种基于包括串联连接的开关单元的电压源转换器的高压转换器装置。
技术介绍
[0002]如今,HVDC(高压直流电)转换器典型地基于包括许多串联连接的开关单元的电压源转换器(VSC)。图1示出了包括开关单元10a、
……
、10x的高压转换器装置1的简化图示,这些开关单元10a、
……
、10x与电流连接件20(例如母线)串联连接并且堆叠在所谓的阀结构中。开关单元布置在第一层100和第二层200中,该第一层和该第二层层叠地布置在阀结构中。如图1中所示的类似装置可以安装在HVDC换相换流器(LCC)或柔性交流输电系统(FACTS)转换器中。
[0003]参考图1,寄生电感30由各个层的开关单元之间的电流连接件20提供。此外,寄生电容40形成在不同层100和200的开关单元之间。寄生元件确定阀结构的高频特性。
[0004]开关单元10a、
……
、10x包括可以通过控制动作接通的功率半导体开关。开关单元10a、
……
、10x内的功率半导体的开关事件产生高频电流,从而导致相当大的宽带电磁噪声。该噪声部分地由换流站辐射。此外,电磁噪声可能干扰换流站附近的二次电子系统,在此电磁噪声可能导致电磁兼容性(EMC)问题。出于这些原因,HVDC转换器必须符合某些EMC要求、例如Cigr
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TB 391。
[0005]通过在换流分站的AC或DC场中引入滤波器电路,或者通过在主转换器电流路径中引入 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高压转换器装置,包括:
‑
多个开关单元(10a,
……
,10x),
‑
至少一个阻尼单元(50),所述至少一个阻尼单元被配置为阻尼由所述开关单元(10a,
……
,10x)中的开关操作而引起的电磁噪声,
‑
其中,所述开关单元(10a,
……
,10x)通过电流连接件(20)串联地互连,
‑
其中,所述至少一个阻尼单元(50)布置在所述开关单元中的第一开关单元(10a,10j)的单元电位与所述开关单元中的第二开关单元(10l,10v)的单元电位之间,并且
‑
其中,所述开关单元(10a,
……
,10x)中的至少另一个开关单元布置在所述第一开关单元(10a,10j)与所述第二开关单元(10l,10v)之间。2.如权利要求1所述的高压转换器装置,
‑
其中,所述开关单元(10a,
……
,10x)布置成第一层和第二层(100,200),
‑
其中,所述第一层和第二层(100,200)的开关单元(10a,
……
,10x)在阀结构中在空间上彼此分开,
‑
其中,所述第一开关单元(10a)和所述第二开关单元(10l)布置在所述第一层和第二层(100,200)中的一者中。3.如权利要求1所述的高压转换器装置,
‑
其中,所述开关单元(10a,
……
,10x)布置成第一层和第二层(100,200),
‑
其中,所述第一层和第二层(100,200)的开关单元(10a,
……
,10x)在阀结构中在空间上彼此分开,
‑
其中,所述第一开关单元(10j)和所述第二开关单元(10v)布置在所述第一层和第二层(100,200)中的不同层中。4.如权利要求1至3中任一项所述的高压转换器装置,其中,所述至少一个阻尼单元(50)包括至少一个电容器(51)和至少一个电阻器(52)。5.如权利要求4所述的高压转换器装置,
‑
其中,所述至少一个电容器(51)被配置为单层陶瓷高压电容器,
‑
其中,所述至少一个电阻器(52)被配置为高能盘状电阻器。6.如权利要求4或5所述的高压转换器装置,
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其中,所述至少一个阻尼单元(50)包括多个所述至少一个电容器(51)和多个所述至少一个电阻器(52),
‑
其中,所述多个所述至少一个电容器(51)和所述多个所述至少一个电阻器(52)以交替方式布置。7.如权利要求1至6中任一项所述的高压转换器装置,其中,所述至少一个阻尼单元(50)包括至少一个场成形元件(55),用于减小在所述阻尼单元(50)的至少一个电容器(51)或电阻器(52)处的局部电场增强。8.如权利要求1至7中任一项所述的高压转换器装置,其中,所述至少一个阻尼单元(50)包括高压熔丝元件(53)。9.如权利要求1至8中任一项所述的高压转换器装置,其中,所述至少一个阻尼单元(50)被包...
【专利技术属性】
技术研发人员:A,
申请(专利权)人:日立能源瑞士股份公司,
类型:发明
国别省市:
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