利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其通过在活塞杆根据流体的供给方向沿着一个方向旋转而前进或沿着相反方向旋转而后退的螺杆缸体上结合刮削器的构造来能够容易且有效地去除粘附在气体处理设备管道内周面或气体处理设备内壁面的粉末。并作为一个实施例提出利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其包括：螺杆缸体，气密地设置于气体处理设备，活塞杆根据流体的供给方向沿着一个方向旋转而前进，沿着相反方向旋转而后退；及刮削器，与螺杆缸体的活塞杆结合并向气体处理设备内延伸，且在与活塞杆一起旋转的同时前进或后退而刮削粘附在气体处理设备的管道内周面或气体处理设备的内壁面的粉末。管道内周面或气体处理设备的内壁面的粉末。管道内周面或气体处理设备的内壁面的粉末。

【技术实现步骤摘要】
利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置


[0001]所公开的内容涉及一种设置于如洗涤器(scrubber)之类的气体处理设备而去除粉末的气体处理设备用粉末去除装置。

技术介绍

[0002]除非在本说明书中另有表述，否则本部分中所说明的内容不是对于本申请的各项权利要求的现有技术，不得因包括在本部分中而认定为现有技术。
[0003]通常，就半导体的制造而言，虽然随DRAM、SDRAM、闪存、硅半导体等半导体的种类而存在相当大的差异，但通常经晶片制造工艺、电路设计和掩模制作工艺、包括氧化、感光、曝光、显影、刻蚀、灰化、化学气相沉积(CVD)等在内的晶片加工工艺以及封装工艺而完成。例如，在如FPD那样的显示器的制造上也适用前面所述的半导体制造工艺。
[0004]在半导体制造工艺的情况下使用诸如高纯度的H2、SiH4(甲硅烷)或SiHCl3(三氯氢硅)之类的工艺气体，且在化学气相沉积上使用高纯度的SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、GeH4、B2H6、BBr3、BCl3、AsH3、PH3、TeH2、SnCl4、GeCl4、WF6、NH3、CH4、Cl2、MoF6等特殊工艺气体，而且作为运载气体(carrier gas)使用高纯度氢气(H2)和氮气(N2)。另外，在等离子体刻蚀上使用SiF4、CF4、C3F8、C2F6、CHF3、CClF3、O2等工艺气体，且在离子束刻蚀上使用C3F8、CHF3、CClF3、CF4等特殊工艺气体。
[0005]另一方面，使用于半导体制造的工艺气体具有毒性、可燃性以及腐蚀性等强的特性且包含如挥发性有机化合物(VOCs，Volatile Organic Compounds)那样的有害成分。这里，挥发性有机化合物是由于蒸汽压高而容易蒸发到大气中的液态或气态有机化合物的总称，其在大气中发生光化学反应而生成臭氧等光化学氧化性物质，从而引发光化学烟雾，已知其不仅是大气污染及全球变暖的原因物质，而且还是致癌物质。
[0006]就这种工艺气体而言，仅有一部分在制造设备内参与反应，其余90％左右的工艺气体以未反应的状态从制造设备排出。如此地排出的工艺气体(以下称为“废工艺气体”)在未经单独的净化过程而直接排放到大气中的情况下，会招致周边制造设备的损坏和严重的环境污染以及作业人员的安全事故，因此，在各制造设备的与排气管道连接的排气管线上设置将废气分解成基准值以下或对废气进行净化处理的气体处理设备。
[0007]这种气体处理设备利用废气的特性即与空气接触时发生爆炸性反应的性质、燃烧的性质、与气体处理剂反应的性质以及溶于水的性质等而对废气进行分解或净化处理，这种气体处理设备大体上区分为热分解或高温等离子体方式的干式洗涤器、利用清洗液喷射的湿式洗涤器以及并行干式和湿式的混合式洗涤器。
[0008]干式洗涤器具有如下构造，即，使废气通过燃烧器的火焰或等离子体中而直接燃烧或氧化，或者，例如使废气通过由如加热器那样的热源形成的高温的腔室中而进行热分解。这种干式洗涤器虽然在处理易燃性(可燃性)废气方面具有极佳的效果，但不适合处理如水溶性气体那样的不易燃烧的废气。
[0009]湿式洗涤器具有利用水喷射捕集废气之后进行清洗和冷却的比较简单的结构，并
具有易于制作且能够大容量化的优点。然而，不可能处理水不溶性废气，尤其不适合处理含有易燃性强的氢基的废气。
[0010]混合式洗涤器具有使废气在反应器内作为第一次处理燃烧而去除易燃性气体和爆炸性气体之后作为第二次处理通过水喷射来使水溶性的毒性废气溶解在水中的构造，在韩国授权技术第20
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0405303号(2006年01月10日公告)、韩国公开专利第10
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2010
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0021135号(2010年02月24日公开)、韩国授权专利第10
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1431452号(2014年08月21日公告)、韩国授权专利第10
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1568804号(2015年11月12日公告)等中公开有这种混合式洗涤器的例子。
[0011]然而，在如前面所述的气体处理设备的情况下，由于粉末粘附在管道或内壁等上而存在气体处理效率降低的问题，因此必然需要用于防止这种粉末粘附的装置或用于去除粉末的装置。
[0012]作为这种气体处理设备用粉末去除装置的一个例子，在韩国公开专利第10
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2007
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0080004号(2007年08月09日公开)中公开了一种半导体废气处理用洗涤器的粉末去除装置，其中，半导体废气处理用洗涤器由燃烧器和燃烧腔室构成，半导体制造工艺中生成的废气流入上述燃烧器中，并且上述燃烧器燃烧上述废气，在上述燃烧腔室结合有上述燃烧器，并且废气由上述燃烧器燃烧而生成的粉末下落到上述燃烧腔室的下部，上述半导体废气处理用洗涤器的粉末去除装置的特征在于，在上述燃烧腔室进一步形成有提供气体以防粉末沉积于上述燃烧腔室的内壁的粉末去除用气体供给部，上述粉末去除用气体供给部构成为包括：气体供给管，其与上述燃烧腔室的外部结合；气体管，其与上述气体供给管连接，并且沿着上述燃烧腔室的内壁形成为环形；以及至少一个气体喷嘴，其与上述气体管结合，并且在上述燃烧腔室的内部延伸。
[0013]在这种现有的气体处理设备用粉末去除装置的情况下，存在气体喷嘴或气体供给管反而由粘附的粉末所堵塞而发挥不了自身功能的问题。
[0014]另外，在韩国公开专利第10
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2014
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0070513号(2014年06月10日公开)中公开了一种半导体制造设备用超声波洗涤器，其具备：洗涤器腔室，其位于从半导体工艺腔室产生的废气的排气路径上；超声波传递带，其包围上述洗涤器腔室的外周面并贴紧固定于该洗涤器腔室的外周面；振动传递部件，其固定附着于上述超声波传递带；超声波变幅杆，其一端与上述振动传递部件固定结合；超声波换能器，其与上述超声波变幅杆的另一端结合而提供超声波振动；超声波换能器驱动电力放大器，其电驱动上述超声波换能器；以及冷却单元，其呈圆柱形状且在两端圆形表面中央具备贯通口并使上述超声波变幅杆通过贯通口来贯通结合，从而阻断向超声波换能器传导的热，并使超声波振动能量的损失最小化，且即使在高温环境下也保障超声波换能器的效率和稳定性。
[0015]然而，在如前面所述的半导体制造设备用超声波洗涤器中所公开的超声波振动型粉末去除装置的情况下，由于必须设置在洗涤器的周围，因而存在装置的大小相对较大且为了产生超声波而消耗相当大的电力的问题。
[0016]在先技术文献
[0017]专利文献
[0018]专利文献1：韩国公开专利第10
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2007
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0080004号(2007年08月09日公开)
[0019]专利文献2：韩国公开专利第10
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2014
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0070513号(2014年06月10日公开)

技术实现思路

[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其特征在于，包括：螺杆缸体，其气密地设置于气体处理设备，且根据流体的供给方向，活塞杆沿着一个方向旋转而前进，沿着相反方向旋转而后退；以及刮削器，其结合于上述螺杆缸体的活塞杆并向上述气体处理设备内延伸，且在与上述活塞杆一起旋转的同时前进或后退而刮削附着在上述气体处理设备的管道内周面或上述气体处理设备的内壁面的粉末。2.根据权利要求1所述的利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其特征在于，上述螺杆缸体包括：缸体本体，其在前方侧形成有后退口且在后方侧形成有前进口；螺杆轴，其向上述缸体本体内延伸并固定结合于上述缸体本体的后方端部；以及上述活塞杆，其后方侧螺纹结合于上述螺杆轴，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟民，
申请(专利权)人：全球标准技术有限公司，
类型：发明
国别省市：