利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其通过在活塞杆根据流体的供给方向沿着一个方向旋转而前进或沿着相反方向旋转而后退的螺杆缸体上结合刮削器的构造来能够容易且有效地去除粘附在气体处理设备管道内周面或气体处理设备内壁面的粉末。并作为一个实施例提出利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其包括：螺杆缸体，气密地设置于气体处理设备，活塞杆根据流体的供给方向沿着一个方向旋转而前进，沿着相反方向旋转而后退；及刮削器，与螺杆缸体的活塞杆结合并向气体处理设备内延伸，且在与活塞杆一起旋转的同时前进或后退而刮削粘附在气体处理设备的管道内周面或气体处理设备的内壁面的粉末。管道内周面或气体处理设备的内壁面的粉末。管道内周面或气体处理设备的内壁面的粉末。

【技术实现步骤摘要】
利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置


[0001]所公开的内容涉及一种设置于如洗涤器(scrubber)之类的气体处理设备而去除粉末的气体处理设备用粉末去除装置。

技术介绍

[0002]除非在本说明书中另有表述，否则本部分中所说明的内容不是对于本申请的各项权利要求的现有技术，不得因包括在本部分中而认定为现有技术。
[0003]通常，就半导体的制造而言，虽然随DRAM、SDRAM、闪存、硅半导体等半导体的种类而存在相当大的差异，但通常经晶片制造工艺、电路设计和掩模制作工艺、包括氧化、感光、曝光、显影、刻蚀、灰化、化学气相沉积(CVD)等在内的晶片加工工艺以及封装工艺而完成。例如，在如FPD那样的显示器的制造上也适用前面所述的半导体制造工艺。
[0004]在半导体制造工艺的情况下使用诸如高纯度的H2、SiH4(甲硅烷)或SiHCl3(三氯氢硅)之类的工艺气体，且在化学气相沉积上使用高纯度的SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、GeH4、B2H6、BBr3、BCl3、AsH3、PH3、TeH2、SnCl4、GeCl4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其特征在于，包括：螺杆缸体，其气密地设置于气体处理设备，且根据流体的供给方向，活塞杆沿着一个方向旋转而前进，沿着相反方向旋转而后退；以及刮削器，其结合于上述螺杆缸体的活塞杆并向上述气体处理设备内延伸，且在与上述活塞杆一起旋转的同时前进或后退而刮削附着在上述气体处理设备的管道内周面或上述气体处理设备的内壁面的粉末。2.根据权利要求1所述的利用螺杆缸体的气体处理设备用粉末去除装置，其特征在于，上述螺杆缸体包括：缸体本体，其在前方侧形成有后退口且在后方侧形成有前进口；螺杆轴，其向上述缸体本体内延伸并固定结合于上述缸体本体的后方端部；以及上述活塞杆，其后方侧螺纹结合于上述螺杆轴，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟民，
申请(专利权)人：全球标准技术有限公司，
类型：发明
国别省市：