氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和氯化钠发酵培养基及方法技术

本发明专利技术属于本发明专利技术属于微生物发酵技术领域，具体涉及一种氯化钠发酵培养基和提高杆菌霉素D产量的方法及应用。本发明专利技术提供了氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用，本发明专利技术氯化钙能促进芽孢杆菌的杆菌霉素D合成酶基因表达，以此来提高杆菌霉素D的产量。实施例结果表明：应用本发明专利技术提供的氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌进行发酵培养获得的杆菌霉素D的产量明显提高，发酵液中杆菌霉素D的含量为478.79

【技术实现步骤摘要】
氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和氯化钠发酵培养基及方法


[0001]本专利技术属于微生物发酵
，具体涉及氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和氯化钠发酵培养基及方法。

技术介绍

[0002]杆菌霉素D是由枯草芽孢杆菌中非核糖体肽合酶催化合成的一种属于iturin家族的抗菌脂肽，杆菌霉素D可以抑制黄曲霉和赭曲霉等农业病原真菌，因此，杆菌霉素D在保障粮食和食品安全以及防治真菌污染等方面非常重要。但是，现有技术中利用枯草芽孢杆菌在常规培养基进行发酵培养时杆菌霉素D的产量低。因此急需加强提高杆菌霉素D产量的研究。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种能够有效提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的方式。本专利技术提供了氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用，在基础培养基中添加氯化钠后对枯草芽孢杆菌进行发酵培养生产杆菌霉素D，能够提高杆菌霉素D的产量。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提出了以下技术方案：
[0005]本专利技术提供了氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。
[0006]本专利技术提供了一种氯化钠发酵培养基，所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂，包含以下浓度的组分：酵母膏0.5～1.0g/L、L
‑
谷氨酸2.0～5.0g/L、葡萄糖5.0～20.0g/L和氯化钠1.0～6.0g/L。
[0007]优选的，所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂，包含以下浓度的组分：酵母膏1.0g/L、L/>‑
谷氨酸5.0g/L、葡萄糖20.0g/L和氯化钠3.0g/L。
[0008]本专利技术提供了一种提高杆菌霉素D产量的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用上述技术方案所述氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌种子液进行发酵培养获得杆菌霉素D；所述发酵培养过程分批补料氯化钠发酵培养基。
[0009]优选的，所述发酵培养为一次补料分批发酵培养；
[0010]所述一次补料分批发酵培养的条件包括：所述枯草芽孢杆菌种子液接种于氯化钠发酵培养基培养48～84h后补加1次新的氯化钠发酵培养基继续进行发酵培养后获得发酵液。
[0011]优选的，补加的氯化钠发酵培养基的体积为最初的氯化钠发酵培养基体积的30％～50％。
[0012]优选的，所述发酵培养的温度为30～37℃，转速为150～200r/min；所述发酵培养时间为139～171h。
[0013]优选的，所述枯草芽孢杆菌的种子液的制备包括：枯草芽孢杆菌接种于种子培养基，于33～37℃培养至种子培养基的OD
600
为0.8～1.0获得枯草芽孢杆菌种子液。
[0014]优选的，所述枯草芽孢杆菌种子液的接种量为氯化钠发酵培养基体积的3％～5％。
[0015]优选的，所述杆菌霉素D包括杆菌霉素DC14同系物、杆菌霉素DC15同系物和杆菌霉素DC16同系物中的一种或多种。
[0016]本专利技术的有益效果：本专利技术提供了氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用，本专利技术氯化钠能促进芽孢杆菌的杆菌霉素D合成酶基因表达，以此来提高杆菌霉素D的产量。实施例结果表明：应用本专利技术提供的氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌进行发酵培养获得的杆菌霉素D的产量明显提高，发酵液中杆菌霉素D的含量为478.79
±
13.41mg/L，枯草芽孢杆菌粗肽中的总杆菌霉素D的含量为17.34
±
0.41mg/g。
具体实施方式
[0017]本专利技术提供了氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。
[0018]本专利技术提供了一种氯化钠发酵培养基，所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂，包含以下浓度的组分：酵母膏0.5～1.0g/L、L
‑
谷氨酸2.0～5.0g/L、葡萄糖5.0～20.0g/L和氯化钠1.0～6.0g/L。
[0019]如无特殊说明，本专利技术对酵母膏、L
‑
谷氨酸、葡萄糖和氯化钠的来源没有特殊限定，采用常规的市售产品即可。
[0020]在本专利技术中，所述氯化钠发酵培养基包括葡萄糖5.0～20.0g/L，优选为13.0～18.0g/L。在本专利技术实施例中，葡萄糖的添加量优选为20g/L或15.0g/L。
[0021]在本专利技术中，所述氯化钠发酵培养基包括酵母膏0.5～1.0g/L，优选为0.6～0.9g/L。在本专利技术实施例中酵母膏的添加量具体为1.0g/L或0.8g/L。本专利技术酵母膏可以为枯草芽孢杆菌的生长提供能量物质，促使枯草芽孢杆菌分泌更多的次级代谢产物。
[0022]在本专利技术中，所述氯化钠发酵培养基包括L
‑
谷氨酸2.0～5.0g/L，优选为2.5～4.5g/L，更优选为4.0g/L。在本专利技术实施例中L
‑
谷氨酸的添加量优选为5.0g/L。
[0023]在本专利技术中，所述氯化钠发酵培养基包括氯化钠1.0～6.0g/L，优选为2.0～5.0g/L，更优选为3.0g/L。
[0024]本专利技术优选所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂，包含以下浓度的组分：酵母膏1.0g/L、L
‑
谷氨酸5.0g/L、葡萄糖20.0g/L和氯化钠3.0g/L。
[0025]本专利技术所述氯化钠发酵培养基中氯化钠、葡萄糖和L
‑
谷氨酸均能促进杆菌霉素D合成酶基因表达进而有效提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的产量。
[0026]本专利技术在酵母膏，L
‑
谷氨酸和葡萄糖组成的基础培养基中添加氯化钠，并通过1次补料分批发酵发酵生产杆菌霉素D，使杆菌霉素D的产量提高，方法简单、易操作，解决了现有技术中枯草芽孢杆菌杆菌霉素D产量低的技术问题。
[0027]本专利技术优选对氯化钠发酵培养基进行灭菌，所述灭菌温度优选为115℃、时间优选为20min。
[0028]本专利技术提供了一种提高杆菌霉素D产量的方法，包括以下步骤：采用上述技术方案所述氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌种子液进行发酵培养获得杆菌霉素D；所述发酵培养过程分批补料氯化钠发酵培养基。
[0029]在本专利技术中，所述枯草芽孢杆菌种子液的制备优选包括：枯草芽孢杆菌接种于种
子培养基，于33～37℃培养至种子培养基的OD
600
为0.8～1.0获得枯草芽孢杆菌种子液。
[0030]接种于种子培养基前，本专利技术优选将斜面保藏的枯草芽孢杆菌接种于种子培养基培养后获得枯草芽孢杆菌种子液。在本专利技术中，所述种子培养基温度优选为33～37℃，进一步优选为34～36℃，更优选为35℃，在本专利技术实施例中所述种子培养的温度优选为37℃；本专利技术优选培养至枯草芽孢杆菌种子液OD
600
为0.8～1.0，进一步优选为0.85～0.95，更优选为0.9。本专利技术实施例中优选培养至枯草芽孢杆菌种子液OD
600
为0.8。本专利技术所述种子培养优选为恒温培养。
[0031]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。2.一种氯化钠发酵培养基，其特征在于，所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂，包含以下浓度的组分：酵母膏0.5～1.0g/L、L
‑
谷氨酸2.0～5.0g/L、葡萄糖5.0～20.0g/L和氯化钠1.0～6.0g/L。3.权利要求2所述的氯化钠发酵培养基，其特征在于，所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂，包含以下浓度的组分：酵母膏1.0g/L、L
‑
谷氨酸5.0g/L、葡萄糖20.0g/L和氯化钠3.0g/L。4.一种提高杆菌霉素D产量的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用权利要求2或3所述氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌种子液进行发酵培养获得杆菌霉素D；所述发酵培养过程分批补料氯化钠发酵培养基。5.根据权利要4所述的方法，其特征在于，所述发酵培养为一次补料分批发酵培养；所述一次补料分批发酵培养的条件包括：所述枯草芽孢杆菌种子液接种于氯化钠...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱时权，李静雯，陆梦琪，刘珊珊，周欣蓉，常文丽，刁恩杰，韩振莲，
申请(专利权)人：淮阴师范学院，
类型：发明
国别省市：