【技术实现步骤摘要】
一种高均匀石英砣的热处理方法及生产装置
[0001]本专利技术涉及生产光掩膜石英基板的
,尤其是指一种高均匀石英砣的热处理方法及生产装置。
技术介绍
[0002]光掩膜版产业是半导体产业的上游,光掩膜版是集成电路制造光刻工艺中最重要的耗材之一。石英掩膜版凭借其精密度较高的优势成为了掩膜版行业主流产品,合成石英是半导体光掩膜版的重要原料之一,半导体用高精度掩膜版的石英基板工艺难度高,技术门槛高。
[0003]目前,光掩膜石英基板的均匀性和稳定性主要是靠生产石英砣的过程中控制,石英砣进行槽沉退火等热处理所得,槽沉是将材料进行高温变形均化,利用模具将石英进行变形,退火是在应变点和转变点且在退火炉内进行高温均化处理,石英砣直接放在退火炉内热处理,在此过程中石英砣和炉子直接接触,严重影响石英砣的纯度。制作高端领域的石英砣必须将边缘有污染的部分进行去除,造成高纯度石英原料的浪费,且该工序大大的增加加工成本和制作周期。且现有的热处理工艺需要一个长时间的保温降温的过程,才能改善石英砣的光学应力及光学均匀性。对于更高领域的应用还
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高均匀石英砣的热处理方法,其特征在于:包括:S1:酸洗高纯度合成石英砣,在石英砣两端均焊接石英靶棒,并将石英砣放置在石英筒的筒口;S2:控制石英砣匀速的从石英筒的筒口经设定的第一低温区运动至设定的高温区,再进入设定的第二低温区内进行热处理;S3:石英砣的顶端通过第二低温区后,停止高温区、第一低温区和第二低温区的加热,并将石英砣匀速上升至石英筒的筒口;S4:待石英砣冷却后,取下包含石英靶棒的石英砣,再将包含石英靶棒的石英砣,整体倒置,再重复步骤S2至步骤S3进行热处理过程。2.根据权利要求1所述的高均匀石英砣的热处理方法,其特征在于:所述高温区的设定值为1200
‑
1300℃,所述第一低温区和所述第二低温区的设定值为900
‑
1100℃。3.根据权利要求1所述的高均匀石英砣的热处理方法,其特征在于:石英砣从石英筒的筒口以10
‑
15mm/min的速度运动至第一低温区,再以0.1
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2mm/min的速度进入设定的第一低温区、高温区、第二低温区内进行热处理。4.一种高均匀石英砣的生产装置,其特征在于,利用如权利要求1至3任一项所述的高均匀石英砣的热处理方法来改善石英砣的光学均匀性,包括:牵引部件,所述牵引部件包括支架,所述支架两端分别连接有上牵引和下牵引,所述上牵引通过石英砣连接所述下牵引,所述石英砣两端各焊接一个石英靶棒,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张玉,肖华,郇朝阳,南晶,
申请(专利权)人:江苏亨芯石英科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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