双重保护铜栅的异质结封装一体膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于封装胶膜技术领域，具体涉及一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜及其制备方法，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的改性层、EVOH层和聚烯烃层；本发明专利技术分别设置了阻隔层和捕捉层，通过阻隔层的超低水蒸汽/氧气透过率，大大降低了铜焊带被氧化的风险，而后利用捕捉层中的双金属复合氧化物来捕捉H2O/CO2或CO3‑

【技术实现步骤摘要】
双重保护铜栅的异质结封装一体膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于封装胶膜
，具体涉及一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]异质结电池具有明显天然的优势，如转化效率高，拓展潜力大。工艺简单，明确的降本路线等。目前降低方案中材料金属化中铜制程技术和银浆，涉及栅线银包铜/铜电镀等。
[0003]但使用的铜栅线，但因其活性高、易氧化等缺点，导致异质结电池串联电阻增加影响组件功率和稳定性。
[0004]针对铜栅焊带HJT电池，目前行业还没涉及有相关产品以应对上述缺陷。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜及其制备方法，以解决异质结电池封装胶膜对铜栅保护效果不足的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的改性层、EVOH层和聚烯烃层。
[0007]第二方面，本专利技术提供了一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的聚烯烃层、EVOH层和聚烯烃层。
[0008]第三方面，本专利技术还提供了一种如前所述的双重保护铜栅的异质结封装一体膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，由三层共挤设备制得阻隔层；步骤S2，将阻隔层与单层挤出的捕捉层经钢辊和胶膜面热压贴合得到双重保护铜栅的异质结封装一体膜。
[0009]本专利技术的有益效果是，本专利技术的双重保护铜栅的异质结封装一体膜及其制备方法分别设置了阻隔层和捕捉层，通过阻隔层的超低水蒸汽/氧气透过率，大大降低了铜焊带被氧化的风险，而后利用捕捉层中的双金属复合氧化物来捕捉H2O/CO2或CO3‑
来反应恢复其层状结构，降低电池片的腐蚀影响，也阻止了H2O/CO2参与到铜绿的生成，防止了铜被氧化，最终保障了铜栅线不受氧化干扰影响组件功率，并提升了异质结组件的可靠性和替代银栅降本的可行性。
[0010]本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
[0011]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是本专利技术的双重保护铜栅的异质结封装一体膜的结构示意图；
[0014]图2是本专利技术的双重保护铜栅的异质结封装一体膜的实施例1结构示意图；
[0015]图3是本专利技术的双重保护铜栅的异质结封装一体膜的实施例2结构示意图；
[0016]图中：
[0017]阻隔层1、PE改性层11、EVOH层12、聚烯烃层13、捕捉层2。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]如图1和图2所示，本专利技术提供了一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的改性层、EVOH层和聚烯烃层。
[0020]在本实施例中，具体的，所述改性层的主体原料包括接枝硅烷改性的PE、POE、聚乙烯丙烯酸酯、PVB、聚乙烯丙烯酸；将改性层的主体原料、引发剂和接枝单体的混合物进行熔融接枝反应后，挤出造粒；其中所述PE为LDPE,LLDPE或HDPE中的一种或多种；所述改性层的主体原料的熔点为85～135℃；所述改性层的主体原料的熔融指数为0.5～15g/10min，可选中石化DGDA3091、扬子石化3300F。所述引发剂为过氧化2
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乙基己基碳酸叔丁酯和过氧化(2
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乙基己基)碳酸叔戊酯中的一种或多种；所述接枝单体为γ
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甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种；所述接枝反应的温度为150～240℃；所述接枝单体的接枝率为0.10～0.80％；所述引发剂的质量占比为0.05～0.15wt％。
[0021]如图3所示，本专利技术还提供了一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的聚烯烃层、EVOH层和聚烯烃层。
[0022]在本实施例中，具体的，所述阻隔层的厚度为50～100μm；所述阻隔层的改性层/聚烯烃层、EVOH层和聚烯烃层的厚度比例依次为10～20％：10～15％：65～80％。
[0023]在本实施例中，具体的，所述EVOH为乙烯
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乙烯醇共聚物，乙烯含量＜44％；所述EVOH的熔点为158℃；所述EVOH的熔融指数为1.5～6g/10min，可选可乐丽EVAL F104B、L171B、E105、BFP101B、日本合成化学Soarnol G25HC、ST230和A4412和长春石化3851F、EV
‑
4405F。
[0024]具体的，PE和聚烯烃POE均具备有低水汽透过的能力，EVOH具有阻隔氧气、二氧化碳及其他其他的能力，使得阻隔层实现具有优异的超低水蒸汽/氧气透过率，但PE与EVOH的
粘结力较差，需对其硅烷接枝改性后才可实现与EVOH的粘结力，同时在接枝改性后也具备了低水透的特效；EVOH的分子结构中含有羟基，使得其具有良好的亲水性和吸湿性。
[0025]在本实施例中，具体的，所述聚烯烃层的制备方法包括：将第一聚烯烃树脂、引发剂和接枝单体的混合物进行熔融接枝反应后，挤出造粒；其中所述第一聚烯烃树脂的熔指为0.5～25g/10min；所述第一聚烯烃树脂为POE中的任意一种或多种；所述引发剂为过氧化二异丙苯和/或2,5
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二甲基
‑
2,5
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双(叔丁基过氧基)己烷；所述接枝单体为γ
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甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种；所述接枝反应的温度为120～200℃；所述接枝单体的接枝率为0.10～1.5％；所述引发剂的质量占比为0.05～0.2wt％。
[0026]在本实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的改性层、EVOH层和聚烯烃层。2.如权利要求1所述的双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，所述改性层的主体原料包括接枝硅烷改性的PE、POE、聚乙烯丙烯酸酯、PVB、聚乙烯丙烯酸；将改性层的主体原料、引发剂和接枝单体的混合物进行熔融接枝反应后，挤出造粒；其中所述PE为LDPE,LLDPE或HDPE中的一种或多种；所述改性层的主体原料的熔点为85～135℃；所述改性层的主体原料的熔融指数为0.5～15g/10min；所述引发剂为过氧化2
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乙基己基碳酸叔丁酯和过氧化(2
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乙基己基)碳酸叔戊酯中的一种或多种；所述接枝单体为γ
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甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种；所述接枝反应的温度为150～240℃；所述接枝单体的接枝率为0.10～0.80％；所述引发剂的质量占比为0.05～0.15wt％。3.一种双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，包括：依次层叠的阻隔层和捕捉层；其中所述捕捉层包括附着有双金属复合氧化物的第二聚烯烃树脂；所述阻隔层包括依次复合的聚烯烃层、EVOH层和聚烯烃层。4.如权利要求1或3任一项所述的双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，所述阻隔层的厚度为50～100μm；所述阻隔层的各层厚度比例依次为10～20％：10～15％：65～80％。5.如权利要求1或3任一项所述的双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，所述EVOH为乙烯
‑
乙烯醇共聚物，乙烯含量＜44％；所述EVOH的熔点为158℃；所述EVOH的熔融指数为1.5～6g/10min。6.如权利要求1或3任一项所述的双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，所述聚烯烃层的制备方法包括：将第一聚烯烃树脂、引发剂和接枝单体的混合物进行熔融接枝反应后，挤出造粒；其中所述第一聚烯烃树脂的熔指为0.5～25g/10min；所述第一聚烯烃树脂为POE中的任意一种或多种；所述引发剂为过氧化二异丙苯和/或2,5
‑
二甲基
‑
2,5
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双(叔丁基过氧基)己烷；所述接枝单体为γ
‑
甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种；所述接枝反应的温度为120～200℃；
所述接枝单体的接枝率为0.10～1.5％；所述引发剂的质量占比为0.05～0.2wt％。7.如权利要求1或3任一项所述的双重保护铜栅的异质结封装一体膜，其特征在于，所述捕捉层包括：第二聚烯烃树脂，为乙烯
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醋酸乙烯共聚物，乙烯
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辛烯共聚物，乙烯
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丁烯共聚物中的一种或多种；交联剂，为过氧化2
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乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化(2
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乙基己基)碳酸叔戊酯中的一种或多种；助交联剂，为三烯丙基异氰脲酸酯，三烯丙基氰脲酸酯，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或多种；偶联剂，为γ
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甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ
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(2,3环氧丙氧)丙基三甲氧基...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊唯诚，冯学鹏，曾祥英，茹正伟，
申请(专利权)人：盐城百佳年代薄膜科技有限公司陕西百佳年代薄膜科技有限公司来安百佳年代薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：