一种基于非易失内存器件的数据库访问管理方法技术

本发明专利技术提供了一种基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，方法包括：非易失内存器件的控制单元接收数据库的查询请求；控制单元核实查询请求是否为数据库访问管理单元注册的查询请求，输出查询请求结果或发出重新输入提示；通过内存索引、位图索引及字典索引根据查询请求进行查找，输出查询请求的结果。本发明专利技术对查询请求的初始判断有利于节省操作程序，降低数据库访问管理单元的负载，可以节省出更大的空间来处理注册的查询请求，一定程度上缩短了查询时间，保证了查询结果的准确性；由于非易失内存器件具有稳定性高且数据不易丢失的优势，查询请求的存储便于管理终端查询，为数据库访问管理单元弥补漏洞或增加注册的查询请求提供参考。询请求提供参考。询请求提供参考。

【技术实现步骤摘要】
一种基于非易失内存器件的数据库访问管理方法


[0001]本专利技术涉及数据库管理
，特别涉及一种基于非易失内存器件的数据库访问管理方法。

技术介绍

[0002]非易失内存器件在存储领域应用广泛，由于其本身具有较高的可靠性，而且存储的数据不易丢失，
[0003]现有技术一，CN201210210037.8导航地图多个更新区域的数据库文件访问管理方法及装置，该方法包括步骤：将各个导航功能模块使用的、用于查询数据库的查询请求在数据库访问管理单元中进行注册；数据库访问管理单元为注册的查询请求分配查询请求ID；各个导航功能模块使用查询请求ID进行数据访问。
[0004]现有技术二，CN202010164911.3数据库访问管理系统，该系统包括：数据库路由管理层和部署在云端的数据库，数据库路由管理层，包括设定数量的路由器，其中，设定数量与云端所部署数据库的个数相同；各路由器一一对应管理云端的一个数据库，且各数据库记为相应路由器内的主库，各路由器还一一对应管理一个备用库，备用库为部署在云端且不同于所属路由器内主库的数据库；路由器，用于在接收到外部业务应用的数据库访问请求时，如果监听到所管理的主库处于宕机状态时，控制所管理的备用库响应数据库访问请求，以实现外部业务应用到备用库的数据写入访问。使得外部业务应用的实现不受数据库宕机影响，提升了系统的稳定性。
[0005]现有技术三，CN200510127058.3数据库访问管理的系统和方法，通过提供系统和方法允许网络管理员限制特定系统用户从某些公用的或其它未控制的数据库访问信息。采用一个关系数据库来确定访问权限，而且管理员可容易地更新和修改这个数据库。在这个关系数据库内，特定的资源标识符分类放在具体的访问组中。如果资源标识符在管理员给用户分配特定权限的访问组中，则组织关系数据库，以使系统的每个用户只从本地网络把具体资源的请求传送到提供与公用的/未控制的数据库链接的服务器上。
[0006]目前现有技术一、现有技术二和现有技术三均存在查询请求的处理速度慢，效率低，数据库访问管理系统的稳定性差且数据很容易丢失的问题，因而，本专利技术采用非易失内存器件对数据的查询请求进行处理，对查询请求的初始判断有利于节省操作程序，缩短查询时间；将注册的查询请求存储至非易失内存器件的存储单元，为数据库访问管理单元弥补漏洞或增加注册的查询请求提供参考，这样也提高了客户体验感。

技术实现思路

[0007]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，包括以下步骤：
[0008]非易失内存器件的控制单元接收数据库的查询请求；
[0009]控制单元核实查询请求是否为数据库访问管理单元注册的查询请求，输出查询请
求结果或发出重新输入提示；
[0010]通过内存索引、位图索引及字典索引根据查询请求进行查找，输出查询请求的结果。
[0011]可选的，控制单元核实查询请求是数据库访问管理单元注册的查询请求，则保存至非易失内存器件的存储单元，通过内存索引、位图索引及字典索引根据查询请求进行查找，输出查询请求的结果。
[0012]可选的，控制单元核实查询请求不是数据库访问管理单元注册的查询请求，则发出查询请求的重新输入提示，返回非易失内存器件的控制单元接收数据库的查询请求。
[0013]可选的，查询请求的处理包括：
[0014]读出放大器读出的查询请求的信息经由数据线传送到非易失内存器件的易失性存储单元；
[0015]易失性存储单元配置有与数据线并联连接的具有静态随机存取存储器配置的第一易失性存储器和配置有欠压锁存电路的第二易失性存储器，响应于与查询请求相关联的识别信息。
[0016]可选的，读出放大器的限压电路的连接为：控制单元的输出端连接读出放大器的输入端，读出放大器的输出端与电阻R1的一端及防倒灌二级管D1的阳极连接，电阻R1的另一端与晶体管MN0的漏极连接，晶体管MN0的源极连接稳压二级管D0的阴极，稳压二级管D0的阳极连接GND端，晶体管MN0的栅极连接其漏极连接晶体管MN1的栅极，晶体管MN1的栅极与防倒灌二级管D1的阴极连接，晶体管MN1的源极和漏极与易失性存储单元连接。
[0017]可选的，欠压锁存电路的具体连接为：电压输入点VDD与场效应管M1的源极、晶体管Q3的发射极、偏置电流I
bias
的一端、电阻R5的一端、带隙基准的恒流源有源负载及两管带隙基准电压源连接，偏置电流I
bias
的另一端于场效应管M2的漏极、场效应管M2的栅极及场效应管M3的栅极连接，晶体管Q3的集电极与反相器INV1的输入端、场效应管M3的漏极、场效应管M4的栅极连接，场效应管M1的栅极与反相器INV1的输出端及反相器INV2的输入端连接，反相器INV2的输出端与第二易失性储存器及电阻R8的一端连接，场效应管M2的漏极与电阻R5的另一端及电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电阻R7的一端和两管带隙基准电压源连接，带隙基准的恒流源有源负载与晶体管Q3的基极及两管带隙基准电压源连接，场效应管M2的源极、场效应管M3的源极、场效应管M4的源极、场效应管M4的漏极、电阻R8的另一端、电阻R7的另一端连接GND端。
[0018]可选的，带隙基准的恒流源有源负载的内置电路包括：电阻R4、电阻R3、场效应管M5和场效应管M6：电阻R4的一端与场效应管M5的源极连接，电阻R3的一端与场效应管M6的源极连接，场效应管M5的基极与场效应管M6的基极连接；电阻R4和电阻R3的另一端与电压输入点VDD连接；
[0019]两管带隙基准电压源的内置电路包括：晶体管Q1、电阻R2、电阻R9和晶体管Q2；晶体管Q1和晶体管Q2的漏极与带隙基准的恒流源有源负载连接，晶体管Q1的发射极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与晶体管Q1的发射极及电阻R9的一端连接，晶体管Q1的基极和晶体管Q2的基极连接，电阻R9的另一端连接GND端。
[0020]可选的，当控制单元接收到查询请求时，向数据库访问管理单元发送查询请求，以指示数据库访问管理单元根据查询请求判断是否为注册的查询请求；
[0021]接收来自数据库访问管理单元的判断结果；
[0022]根据判断结果确定保存查询请求至非易失内存器件的存储单元还是发出查询请求的重新输入提示；
[0023]若是注册的查询请求，则按照查询请请求到数据库进行查询；若不是注册的查询请求，发出查询请求的重新输入提示，并在显示界面上显示重新输入。
[0024]可选的，注册的查询请求包括：检索、创建、修改或删除的特定请求。
[0025]可选的，内存索引、位图索引及字典索引的调优方法包括：
[0026]按照查询请求的操作方式分为读查询与写查询，对注册的查询请求中的每一条查询进行解析；
[0027]对于查询请求的解析结果产生的属于同一个数据表上的字段集合，其任意字段的组合作为候选索引；
[0028]从候选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，其特征在于，包括以下步骤：非易失内存器件的控制单元接收数据库的查询请求；控制单元核实查询请求是否为数据库访问管理单元注册的查询请求，输出查询请求结果或发出重新输入提示；通过内存索引、位图索引及字典索引根据查询请求进行查找，输出查询请求的结果。2.如权利要求1所述的基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，其特征在于，控制单元核实查询请求是数据库访问管理单元注册的查询请求，则保存至非易失内存器件的存储单元，通过内存索引、位图索引及字典索引根据查询请求进行查找，输出查询请求的结果。3.如权利要求1所述的基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，其特征在于，控制单元核实查询请求不是数据库访问管理单元注册的查询请求，则发出查询请求的重新输入提示，返回非易失内存器件的控制单元接收数据库的查询请求。4.如权利要求1所述的基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，其特征在于，查询请求的处理包括：读出放大器读出的查询请求的信息经由数据线传送到非易失内存器件的易失性存储单元；易失性存储单元配置有与数据线并联连接的具有静态随机存取存储器配置的第一易失性存储器和配置有欠压锁存电路的第二易失性存储器，响应于与查询请求相关联的识别信息。5.如权利要求4所述的基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，其特征在于，读出放大器的限压电路的连接为：控制单元的输出端连接读出放大器的输入端，读出放大器的输出端与电阻R1的一端及防倒灌二级管D1的阳极连接，电阻R1的另一端与晶体管MN0的漏极连接，晶体管MN0的源极连接稳压二级管D0的阴极，稳压二级管D0的阳极连接GND端，晶体管MN0的栅极连接其漏极连接晶体管MN1的栅极，晶体管MN1的栅极与防倒灌二级管D1的阴极连接，晶体管MN1的源极和漏极与易失性存储单元连接。6.如权利要求4所述的基于非易失内存器件的数据库访问管理方法，其特征在于，欠压锁存电路的具体连接为：电压输入点VDD与场效应管M1的源极、晶体管Q3的发射极、偏置电流I
bias
的一端、电阻R5的一端、带隙基准的恒流源有源负载及两管带隙基准电压源连接，偏置电流I
bias
的另一端于场效应管M2的漏极、场效应管M2的栅极及场效应管M3的栅极连接，晶体管Q3的集电极与反相器INV1的输入端、场效应管M3的漏极、场效应管M4的栅极连接，场效应管M1的栅极与反相器INV1的输出端及反相器INV2的输入端连接，反相器I...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄帅，林韶宾，高孝鑫，党中华，张文凤，田俊，林禹，叶金荣，
申请(专利权)人：北京万里开源软件有限公司，
类型：发明
国别省市：