隐秘开口制造技术

公开了一种具有半透射半反射区和大体不透明区的反射构件。所述半透射半反射区可以充当传感器开口区。当从第一方向观察所述构件时，所述构件在所述大体不透明区处和所述传感器开口区处的总光反射率之间的差小于百分之五。另外，当从所述第一方向观察所述构件时，所述构件在所述大体不透明区处和所述传感器开口区处的颜色反射率之间的差小于5个ΔC*单位。在所述构件的所述传感器开口区的第二方向上安置的传感器可用于在所述传感器开口区处接收穿过所述构件的光。所述第二方向与所述第一方向相反。一方向相反。一方向相反。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隐秘开口
[0001]相关申请交叉引用
[0002]本申请根据35 U.S.C.
§
119(e)要求2020年4月23日提交的标题为“隐秘开口(DISCREET OPENING)”的第63/014,304号美国临时申请的优先权，所述美国临时申请的公开内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本专利技术大体上涉及薄膜涂层，并且更具体地说，涉及在多区反射器的大体不透明区域与半透射半反射区域之间提供紧密视觉外观匹配的薄膜涂层。

技术介绍

[0004]反射表面是常用的，尤其是在汽车行业。此外，这些反射表面通常被并入电光装置中，以提供可变的感知反射率以减少眩光。同样，传感器常用于汽车行业。因此，将传感器安置在这些反射表面后方已成为一种理想的做法。然而，将这些传感器安置在反射表面后方通常需要透射开口以容纳传感器。这些开口相对容易看到，并且美学外观并不理想。因此，需要具有透射区的改进反射表面以允许传感器定位在反射表面后方，同时降低透射区的可见性。

技术实现思路

[0005]根据本公开，与具有透射开口的反射表面相关联的缺点和问题已经明显减少或消除。
[0006]根据本公开的一个方面，公开一种装置。所述装置可包括具有大体不透明区和传感器开口区的构件。大体不透明区可包括第一基板、第一层和第二层。第一基板在可见光谱中可以是大体透明的。第一层可以相对于第一基板在第一方向上安置，并且在可见光谱中可以是大体不透明的。在一些实施例中，第一层可以是以下中的至少一种：铬、钼、钒、钌和镍。第二层可以相对于第一层在第一方向上安置，并且在可见光谱中可以是大体反射的。在一些实施例中，第二层可包括银和银合金中的至少一种，例如具有大约七重量百分比的金的银金合金。传感器开口区可包括第一基板、第三层和第二层。第三层可以具有高折射率，并且可以相对于第一基板在第一方向上安置。在一些实施例中，第三层可以是以下中的至少一种：硅、铬、锗、氧化钽、氧化锆、氧化锡、氧化铟锡或氧化钛。在一些实施例中，折射率可为至少约1.9。第二层可以相对于第三层在第一方向上安置。当从第一方向观察时，构件在大体不透明区处和传感器开口区处的总光反射率之间的差可小于百分之五。另外，当从第一方向观察时，构件在大体不透明区处和传感器开口区处的颜色反射率之间的差可小于5个ΔC*单位。此外，在构件的传感器开口区的第二方向上安置的传感器可用于在传感器开口区处接收穿过构件的光。第二方向可以与第一方向相反。在一些实施例中，传感器开口区处的可见光的透射率可为约7％至15％。
[0007]在一些实施例中，大体不透明区还可包括安置在第一层与第二层之间的第四层。
在一些此类实施例中，第四层可以是钌。另外，传感器开口区可包括安置在第三层与第二层之间的第四层。
[0008]在其它实施例中，所述装置还可包括第二基板和电光介质。第二基板可以相对于构件以间隔开的关系在第一方向上安置。另外，第二基板可包括第一电极。电光介质可以安置在构件与第二基板之间。此外，构件可包括第二电极。在一些此类实施例中，第二层可以是第二电极。
[0009]根据本公开的另一方面，公开一种装置。所述装置可包括具有大体不透明区和传感器开口区的构件。大体不透明区可包括第一基板、第一层和第二层。第一基板在可见光谱中可以是大体透明的。第一层可以相对于第一基板在第一方向上安置，并且在可见光谱中可以是大体不透明的。在一些实施例中，第一层可包括以下中的至少一种：铬、钼、钒和镍。第二层可以相对于第一基板在第二方向上安置，并且在可见光谱中可以是大体反射的。在一些实施例中，第二层可包括银和银合金中的至少一种，例如具有大约七重量百分比的金的银金合金。第二方向可以与第一方向相反。传感器开口区可包括第一基板、第三层和第二层。第三层可以具有高折射率，并且可以相对于第一层在第一方向上安置。在一些实施例中，第三层可包括以下中的至少一种：硅、铬、锗、氧化钽、氧化锆、氧化锡、氧化铟锡或氧化钛。并且，在一些实施例中，第三层的折射率可为至少约1.9。第二层可以相对于第三层在第二方向上安置。当从第二方向观察时，构件在大体不透明区处和传感器开口区处的总光反射率之间的差可小于百分之五。另外，当从第一方向观察时，构件在大体不透明区处和传感器开口区处的颜色反射率之间的差可小于5个ΔC*单位。此外，在构件的传感器开口区的第一方向上安置的传感器可用于在传感器开口区处接收穿过构件的光。在一些实施例中，传感器开口区处的可见光的透射率可为约7％至15％。
[0010]在一些实施例中，构件还可包括第四层。第四层可以安置在第二层与第一基板之间。在一些此类实施例中，第四层可包括钌。
[0011]在其它实施例中，所述装置还可包括第二基板和电光介质。第二基板可以相对于构件以间隔开的关系在第二方向上安置。另外，第二基板可包括第一电极。电光介质可以安置在构件与第二基板之间。此外，构件可包括第二电极。在一些此类实施例中，第二层可以是第二电极。
[0012]本公开的某些实施例的优点包含反射表面，由于总反射率差较小并且半透射半反射区内与半透射半反射区外的区域之间的ΔC*单位较低，所述反射表面具有隐秘半透射半反射区。隐秘半透射半反射区具有理想美学外观的优点，其中构件看起来更均匀。另外，一些实施例可以具有不需要大面积的优点，因为可以在没有渐变过渡的情况下形成半透射半反射区。此外，一些实施例可以具有一个或多个或所有层为高沉积速率材料的优点。因此，通过使用高沉积率材料来实现隐秘半透射半反射区，可以实现更简单且更具成本效益的生产。
[0013]在研究了以下说明书、权利要求和附图后，所属领域的技术人员将理解和了解本公开的这些和其它方面、目标和特征。还将理解，本文中所公开的每个实施例的特征可结合其它实施例中的特征来使用，或用作所述特征的替代。
附图说明
[0014]在各图式中：
[0015]图1a：具有隐秘传感器开口的构件的实施例的横截面示意图。
[0016]图1b：具有隐秘传感器开口的构件的实施例的横截面示意图。
[0017]图1c：具有隐秘传感器开口的构件的实施例的横截面示意图。
[0018]图2a：具有隐秘传感器开口的构件的实施例的横截面示意图。
[0019]图2b：具有隐秘传感器开口的构件的实施例的横截面示意图。
[0020]图2c：具有隐秘传感器开口的构件的实施例的横截面示意图。
[0021]图3：电光元件的实施例的横截面示意图。
[0022]图4：比较用于第三层的硅的光学性质的图表。
[0023]图5：比较可见光的图表，其表明由半导体构成的第三层对透射率的影响。
具体实施方式
[0024]出于本文描述的目的，附图中示出且本公开中描述的特定装置和过程仅为所附权利要求书中定义的本专利技术概念的示例性实施例。因此，除非权利要求书另外明确陈述，否则与本文中所公开的实施例相关联的特定特征不应被视为限制性的。
[0025]在讨论颜色分布(即，光谱)时，参考国际照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，其包括：构件，其具有：大体不透明区，其包括：第一基板，其在可见光谱中是大体上透明的，第一层，其相对于所述第一基板在第一方向上安置，所述第一层在可见光谱中是大体不透明的，以及第二层，其相对于所述第一层在所述第一方向上安置，所述第二层在所述可见光谱中是大体反射的；以及传感器开口区，其包括：所述第一基板，第三层，其具有高折射率，并且相对于所述第一基板在所述第一方向上安置，以及所述第二层，其相对于所述第三层在所述第一方向上安置；其中：当从所述第一方向观察时：所述构件在所述大体不透明区处和所述传感器开口区处的总光反射率之间的差小于百分之五，并且所述构件在所述大体不透明区和所述传感器开口区处的颜色反射率之间的差小于5个ΔC*单位；并且在所述构件的所述传感器开口区的第二方向上安置的传感器能用于在所述传感器开口区处接收穿过所述构件的光，所述第二方向与所述第一方向相反。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述大体不透明区还包括安置在所述第一层与所述第二层之间的第四层，并且所述传感器开口区包括安置在所述第三层与所述第二层之间的所述第四层。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第四层是钌。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三层是以下中的至少一种：硅、铬、锗、氧化钽、氧化锆、氧化锡、氧化铟锡或氧化钛。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第三层是铬。6.根据权利要求4所述的装置，其中所述第三层是硅。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三层的所述折射率为至少约1.9。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层是以下中的至少一种：铬、钼、钒、钌和镍。9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层是银和银合金中的至少一种。10.根据权利要求1所述的装置，还包括：第二基板，其相对于所述构件以间隔开的关系在所述第一方向上安置，所述第二基板包括第一电极；以及电光介质，其安置在所述构件与所述第二基板之间；其中所述构件包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：金泰克斯公司，
类型：发明
国别省市：