热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶制造技术

一种热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶，其中铜管靶的生产包括通过热挤压和冷拔塑形的铸造铜锭(纯度至少99.99％铜，氧气不超过5ppm)步骤。晶粒尺寸的控制基于动态再结晶机理。因此，控制热铜在挤压模具挤压时立即用水冷却。此技术称为水下挤压技术，它将停止晶粒生长机制。使铜的晶粒尺寸不超过100微米的挤压过程的最佳条件是：(1)对于10英寸铜锭温度为750℃，挤压速度在5～20毫米/秒之间。(2)对于12英寸铜锭温度为750～800℃，挤压速度在5～20毫米/秒之间。挤压后的铜尺寸在冷拔过程再次缩小。控制冷加工缩小量不超过30％，以达到尺寸185

【技术实现步骤摘要】
热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶


[0001]本专利技术属于金属科学
，其中，热挤压法用于溅射法薄膜镀膜的铜冶金领域，具体是指一种热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶。

技术介绍

[0002]目前，多数镀膜采用化学方法例如电镀法。然而，这种方法具有镀层质量低的缺点，并且存在环境问题，因此研究开发新的镀膜技术如真空镀膜来替代。真空镀膜只在真空中进行，在镀膜过程中不使用引起环境问题的化学品。也可以被镀上非常薄的膜，称为“薄膜”，“薄膜”是指厚度不超过5微米的膜。
[0003]真空薄膜镀膜分成两类：化学法薄膜镀膜和物理法薄膜镀膜。
[0004]1、化学气相沉积法(CVD)是气态化学镀层和化学反应成为新的基底材料上的镀层如等离子体CVD和激光CVD方法。
[0005]2、物理气相沉积法(PVD)是将镀层中的原子从表面去除，然后扩散或散射到基底材料表面的过程，如蒸发法和溅射法。
[0006]溅射技术是最合适的用于研究和开发某些类型薄膜产品的真空镀膜技术之一。该工艺使用各种薄膜镀层，如薄膜、金属、合金玻璃、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶，其特征在于，所述的铜靶包含至少99.99％的纯铜。2.根据权利要求1所述的热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶，其特征在于，所述的铜靶含氧量不超过5ppm。3.根据权利要求1所述的热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶，其特征在于，所述的铜靶含有其它元素不超过100ppm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶，其特征在于，所述的铜靶具有以下工艺：4.1)水下热挤压；4.2)冷拔；4.3)拉伸。5.根据权利要求4所述的热挤压法制备用于溅射法薄膜镀膜技术的铜靶，其特征在于，在热挤压前铜锭被加热到750～850℃之间。6.根据权利要求5所述的热挤压法制备用于溅射...

【专利技术属性】
技术研发人员：瓦查克拉，
申请(专利权)人：东方铜业有限公司，
类型：发明
国别省市：