一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途技术

本发明专利技术公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。膜。膜。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途


[0001]本专利技术属于磁控溅射靶材
，具体涉及一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途。

技术介绍

[0002]近年来随着微电子器件集成度日益提高，材料的尺寸正向着微型化趋势发展，镀膜器件也随之快速发展。溅射法是制备高质量薄膜材料的主要技术手段，溅射沉积薄膜的原材料即为靶材，是一种具有高附加价值的特种电子材料。
[0003]目前，铜靶材是电子信息行业用量最大的金属靶材之一，因具有优良的电迁移抗力、极高的导电率、较低的介电常数、良好的导热性、延展性及抗腐蚀性等优点成为了制备集成电路互连线、信息存储行业磁头、平面显示薄膜晶体管等领域首选的关键源产品之一。由于科技水平同发达国家差距明显，超高纯、超细晶、大尺寸铜靶材仍依赖进口。因此，为打破相关技术国际垄断，保障我国相关产业持续健康发展，迫切需要自主开发高纯铜靶材的制备关键技术，以实现该产品的全面国产化。
[0004]中国专利CN113046705A公开了一种高纯铜靶材的制备方法，具体方法：将高纯铜靶材铸锭在高温下进行镦粗拔长的塑性变形，经多轮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯铜靶材的制备方法，其特征在于：将采用连续铸造法制备的铜坯料依次进行切割、等通道侧向挤压、轧制、热处理后获得平均晶粒尺寸≤1μm且分布均匀的高纯铜靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，具体步骤为：步骤1，连续铸造法制备铜坯料：将纯度为≥4N的铜原料放入放入高速连铸炉，设定相关参数为：温度1200℃，真空度抽至2.3
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10
‑2Pa后充入惰性气体保护，工作气压0.01MPa，冷却水25℃，速度80
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160mm/min，进行连续铸造制得铜坯料；其中，结晶器出口长为120mm
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200mm，宽为8mm
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15mm；步骤2，坯料切割：将铜坯切割成等分的块体；步骤3，等通道侧向挤压(1)润滑剂涂覆于挤压模具、挤压杆和待挤压坯料表面；(2)坯料放入挤压模具，上压头限高挤压坯料至完全进入垂直通道；(3)固定上压头，启用侧向压头将坯料挤出模具；重复(1)～(3)，完成8
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10道次挤压，每两道次挤压后进行一次去应力退火；步骤4，轧制：根据最终产品需求，将挤压后的坯料进行近尺寸精轧，若尺寸已达到产品尺寸要求，则可省去此步；步骤5，热处理：温度200℃
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300℃，保温时间0.5
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1h，真...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈月，普志辉，闻明，王传军，陈天天，巢云秀，周利民，许彦亭，宋修庆，
申请(专利权)人：贵研铂业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：