一种提高单层GaSe光催化性能的方法技术

本发明专利技术专利涉及光催化技术领域，尤其指一种提高单层GaSe光催化性能的方法。包括S1、单层硒化镓的优化：首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构。然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化，最后计算基本的性质；S2、构件多种异质结构：选择组成异质结的另一种材料重复上述的操作。使用MS软件将两种单层二维材料堆叠在一起形成异质结；S3、选择异质结：对不同的异质结进行高精度结构优化并计算它们的结合能，选择出结合能最小的异质结进行后续的研究；对选中的异质结进行更高精度的结构优化；S4、计算异质结相关参数；S5、施加双轴应变后再计算其光吸收。该方法能够提高了电子空穴的氧化还原能力，提高光催化的效率。提高光催化的效率。提高光催化的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高单层GaSe光催化性能的方法


[0001]本专利技术专利涉及光催化
，尤其指一种提高单层GaSe光催化性能的方法。

技术介绍

[0002]半导体的光催化剂分解水分为两个过程。
[0003](1)在阳光的照射下，电子从半导体价带顶(VBM)迁移至导带底(CBM)，在VBM留下空穴。
[0004](2)被激发的电子和空穴与水反应生成氢气和氧气。但是只有半导体的CBM大于H+/H2的还原电势(
‑
4.44eV，PH＝0时)，VBM的势能小于O2/H2O的氧化电势)(
‑
5.67eV，PH＝0时)时才能作为光催化。而要作为高效的光催化剂还需要高的可见光吸收、有效的分离电子空穴对。
[0005]已有的研究表明单层的GaSe有合适的带边位置作为光催化剂，但是GaSe在可见光范围的光吸收比较低，并且作为单层的二维材料不能有效地进行电子空穴对的分离。

技术实现思路

[0006](一)要解决的问题
[0007]主要用于解决GaSe作为光催化剂，在可见光范围的光吸收比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强单层GaSe光催化性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、单层硒化镓的优化：首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构，然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化，最后计算基本的性质；S2、构件多种异质结构：选择组成异质结的另一种材料重复上述的操作，使用MS软件将两种单层二维材料堆叠在一起形成异质结；S3、选择异质结：对不同的异质结进行高精度结构优化并计算它们的结合能，选择出结合能最小的异质结进行后续的研究；对选中的异质结进行更高精度的结构优化；S4、计算异质结相关参数；S5、施加双轴应变后再计算其光吸收。2.根据权利要求1所述的一种增强单层GaSe光催化性能的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛传鹏，邓洪祥，祖小涛，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：