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本发明专利涉及光催化技术领域,尤其指一种提高单层GaSe光催化性能的方法。包括S1、单层硒化镓的优化:首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构。然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化,最后计算基本的性质;S2、构件多种异...该专利属于电子科技大学长三角研究院(湖州)所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学长三角研究院(湖州)授权不得商用。
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本发明专利涉及光催化技术领域,尤其指一种提高单层GaSe光催化性能的方法。包括S1、单层硒化镓的优化:首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构。然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化,最后计算基本的性质;S2、构件多种异...