【技术实现步骤摘要】
222纳米紫外线专用光源LED技术
[0001]本专利技术涉及紫外线光源
，具体为222纳米紫外线专用光源LED技术。
技术介绍
[0002]LED紫外线灯发光原理是PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率达得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出去。
[0003]现有LED紫外线光源技术，一般只有395纳米紫外线(验钞)、365纳米(珠宝字画鉴定)，没有222纳米的LED紫外线光源，对于222纳米的紫外线光源技术，只有用准分子高频脉冲DBD等离子技术获取222纳米紫外线光源技术和倍频晶体激光技术获取222纳米紫外线光源技术两条技术路线；
[0004]用准分子高频脉冲技术获取222纳米紫外线光源，光电转化率相对低，能耗相对高，光源使用时间在千小时至万小时之间。经济成本相对高；
[0005]用倍频晶体激光技术获取222纳米紫外线光源技术，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.222纳米紫外线专用光源LED技术，包括正极引脚和负极引脚，其特征是，所述的正极引脚和负极引脚上端一体连接一矩形金属片，所述的金属片从上端近右侧沿下端近左侧倾斜隔断成左、右金属片，所述的左、右金属片下沿对应一体连接的正极引脚和负极引脚；左金属片顶端一侧固定有LED芯片，所述的LED芯片的负极连接左金属片，所述LED芯片的外侧对应设有反射帽，所述LED芯片的正极连接结合导线，所述的结合导线另一端连接对右金属片上端；所述金属片、LED芯片和反射帽的外侧设有封装壳体，封装壳体是由石英玻璃制作而成，封装壳体同时填充隔断，使左、右金属片绝缘，并在金属片下方形成直径大于封装壳体的水平基座，所述的正极引脚和负极引脚贯穿封装壳体的基座；所述封装壳体的外侧镀有200
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230纳米光学滤光膜，所述的光学滤膜为峰值222nm紫外窄带滤膜，过滤230nm以上杂光，同时过滤200nm以下杂光；所述的LED芯片包括设置于LED外延片以及设置于外延片上的蓝宝石基层、高AI组份的AIN外延层、多量子阱材料层和AlGaN外延层，所述的多量子阱材料层基材为氮化物合金混合物，具体配比为高AI组份的氮化铝65
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80份、氮化镓2
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5份、其他氮化物合金5
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7份；所述的其他氮化物合金至少包括氮化硼1
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3份、三氯化氮2
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3份、氮化硅1
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2份、氮化铬0.5
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1份；另掺杂铟0.2
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0.5份、镁0.2
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0.5份；采用NH3.PALE技术即脉冲原子延展生成，LED芯片在在NH3气相沉积下...
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