集成电路失效点的定位方法技术

本申请涉及一种方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像，通过预处理提高集成电路的发射率。对红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图。根据目标振幅图确定集成电路的失效点的水平位置信息。根据目标相位图确定集成电路的失效点的深度信息。目标振幅图表征了集成电路失效点的水平位置信息，目标振幅图表征了集成电路的失效点的深度信息。结合水平信息和深度信息，可以确定集成电路失效点的具体位置。通过预处理提高集成电路的发射率，提高了材料表面红外发射率，提高了对集成电路失效点的定位精度。成电路失效点的定位精度。成电路失效点的定位精度。

【技术实现步骤摘要】
集成电路失效点的定位方法


[0001]本申请涉及电子元器件检测
，特别是涉及一种集成电路失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。

技术介绍

[0002]在摩尔定律发展脚步迟缓的情况下，先进制程所带来的效能增进，已不足以满足未来的应用需求。先进封装的出现，让业界看到了提高芯片集成度、电气连接、性能的优化和成本下降的巨大潜力。先进封装器件在制造和封装过程中容易产生不同的缺陷，由于工艺复杂性的增加，失效故障可能发生在任何一个组件内的走线、过孔或连接组件的互连处。
[0003]失效分析是保障先进封装器件可靠性的必要手段，传统的失效分析采用锁相红外热成像检测技术。常规的锁相红外热成像检测技术的工作原理是由函数发生器控制激励热源发出按照正弦规律变化的光源强度，光源的热辐射对被测构件进行加热，采用红外热像仪采集构件表面的温度信息，最终得到热点成像图片和相位角等失效定位信息。
[0004]而由于先进封装集成电路中厚度的增加以及特征尺寸的缩小，常规的锁相红外热成像检测技术难以进行精确的失效定位。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高集成电路失效点检测精度的热失效点的定位方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
[0006]第一方面，本申请提供了一种集成电路失效点的定位方法，所述方法包括：
[0007]对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像；通过所述预处理提高所述集成电路表面的发射率；
[0008]对所述红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图；
[0009]根据所述目标振幅图确定所述集成电路的失效点的水平位置信息；
[0010]根据所述目标相位图确定所述集成电路的失效点的深度信息。
[0011]在其中一个实施例中，所述预处理包括：
[0012]对所述集成电路的表面喷漆，漆料的发射率大于所述集成电路表面的发射率。
[0013]在其中一个实施例中，所述预处理包括：
[0014]在所述集成电路表面设置密封膜；
[0015]对所述密封膜的表面喷漆，漆料的发射率大于所述集成电路表面的发射率。
[0016]在其中一个实施例中，所述对所述红外图像进行处理，得到所述振幅图和相位图之前，所述方法还包括：
[0017]根据与所述激励信号相同频率的参考信号，对所述红外图像进行去噪处理。
[0018]在其中一个实施例中，所述红外图像的每个像点素表示温度；所述参考信号包括两个正弦参考信号，两个所述正弦参考信号具有相位差；
[0019]根据与所述激励信号相同频率的参考信号，对所述红外图像进行去噪处理，包括：
[0020]两个所述正弦参考信号分别和每个温度像素点进行相乘后求时间平均，得到去噪后的同相红外图和正交红外图；
[0021]所述对所述红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图，包括：对所述同相红外图和正交红外图进行处理，得到目标振幅图和目标相位图。
[0022]在其中一个实施例中，所述方法还包括：对所述激励信号的锁相频率进行调整，返回对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像的步骤，得到多个红外图像；
[0023]所述对所述同相红外图和正交红外图进行处理，得到目标振幅图和目标相位图，包括：从所述多个红外图像的同相红外图像中确定目标振幅图，从所述多个红外图像的正交红外图像中确定目标相位图。
[0024]第二方面，本申请提供了一种集成电路失效点的定位装置，所述装置包括：
[0025]预处理模块，用于对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像；通过所述预处理提高所述集成电路的发射率；
[0026]处理模块，用于对所述红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图；
[0027]水平定位模块，用于根据所述目标振幅图确定所述集成电路的失效点的水平位置信息；
[0028]深度定位模块，用于根据所述目标相位图确定所述集成电路的失效点的深度信息。
[0029]第三方面，本申请提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的方法的步骤。
[0030]第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
[0031]第五方面，本申请提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
[0032]上述集成电路失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，对以预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到表征集成电路温度分布的红外图像，对红外图图像进行处理得到目标振幅图和目标相位图，目标振幅图表征了集成电路失效点的水平位置信息，目标振幅图表征了集成电路的失效点的深度信息。结合水平信息和深度信息，可以确定集成电路失效点的具体位置。通过预处理提高了集成电路材料表面红外发射率，提高了对集成电路失效点的定位精度。
附图说明
[0033]图1为一个实施例中集成电路失效点的定位方法的应用环境图；
[0034]图2为一个实施例中集成电路失效点的定位方法的流程示意图；
[0035]图3为一个实施例中对集成电路施加的方波信号示意图；
[0036]图4为一个实施例中集成电路的红外图像的示意图；
[0037]图5为一个实施例中集成电路的同相热点图；
[0038]图6为一个实施例中集成电路的正交热点图；
[0039]图7为一个实施例中集成电路的目标振幅图；
[0040]图8为一个实施例中集成电路的目标相位图；
[0041]图9为另一个实施例中集成电路失效点的定位方法的流程示意图；
[0042]图10为再一个实施例中集成电路失效点的定位方法的流程示意图；
[0043]图11为一个实施例中集成电路失效点的测试方法的流程示意图；
[0044]图12为一个实施例中集成电路失效点的定位装置结构框图；
[0045]图13为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0046]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0047]本申请实施例提供的集成电路失效点的定位方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。如图1所示，该应用环境包括计算设备101、集成电路103以及红外相机102，计算机设备101向已预处理的集成电路103施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，获取红外相机102所采集的关于集成电路103的红外图像。
[0048]具体地，计算机设备101向已预处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路失效点的定位方法，其特征在于，所述方法包括：对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像；通过所述预处理提高所述集成电路表面的发射率；对所述红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图；根据所述目标振幅图确定所述集成电路的失效点的水平位置信息；根据所述目标相位图确定所述集成电路的失效点的深度信息。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理包括：对所述集成电路的表面喷漆，漆料的发射率大于所述集成电路表面的发射率。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理包括：在所述集成电路表面设置密封膜；对所述密封膜的表面喷漆，漆料的发射率大于所述集成电路表面的发射率。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述红外图像进行处理，得到所述振幅图和相位图之前，所述方法还包括：根据与所述激励信号相同频率的参考信号，对所述红外图像进行去噪处理。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述红外图像的每个像点素表示温度；所述参考信号包括两个正弦参考信号，两个所述正弦参考信号具有相位差；根据与所述激励信号相同频率的参考信号，对所述红外图像进行去噪处理，包括：两个所述正弦参考信号分别和每个温度像素点进行相乘后求时间平均，得到去噪后的同相红外图和正交红外图；所述对所述红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图，包括：对所述同相红外图和正交红外图进行处理，得到目标振幅...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪毅强，庞超，杨施政，陈选龙，何亮，张志鑫，刘宇锋，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：