抗静电的硅胶保护膜制造技术

本发明专利技术涉及一种抗静电的硅胶保护膜，该硅胶保护膜包括：基材层；具有在基材层的一面上形成的第一抗静电层，第一抗静电层为聚噻吩涂层；在第一抗静电层上形成的有机硅压敏胶层，有机硅压敏胶层是通过将有机硅涂料涂布至第一抗静电层上并热固化形成，基于100重量份的有机硅涂料，有机硅涂料包含：20

【技术实现步骤摘要】
抗静电的硅胶保护膜


[0001]本专利技术属于膜材料
，具体涉及一种抗静电的硅胶保护膜。

技术介绍

[0002]电子产品在生产和运输过程中，需要使用硅胶保护膜对相应部位进行相应 保护、托底、排废等工序操作，其中硅胶保护膜经常用于固定部件，该应用能 够制备轻量化的超薄设备。硅胶保护膜因其耐热性高、耐候性及耐化学好而广 泛用作工艺用保护膜，优异的再剥离性使其广泛用作工艺转印用保护膜。然而， 硅胶保护膜的绝缘性高，所以在剥离电子部件时，引起剥离带电，产生的静电 有可能会击穿电子部件。为了防止剥离带电，有必要开发抗静电型硅胶保护膜。
[0003]现有抗静电型硅胶保护膜主要包括两种生产加工方法，一种是先在聚对苯 二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上涂布一层聚噻吩的抗静电层，接着再涂布硅胶压 敏胶，加工后的硅胶保护膜离型力和抗静电性能稳定，但在生产过程中需要连 续涂布两次，生产效率较低；另一种是在硅胶压敏胶配方中直接加入抗静电剂， 虽然加入抗静电剂的硅胶压敏胶仅需一次涂布，生产效率较高，但是由于在生 产过程中抗静电剂本身会让硅胶压敏胶中的白金催化剂中毒，并且抗静电剂在 工业生产中因为自身吸收大量水分，从而使硅胶压敏胶的固化变的不完全和不 稳定，导致硅胶保护膜的粘力不稳定。
[0004]术语说明
[0005]本专利技术中通过端点表述的任何数值范围包括该范围内所包含的所有数值。
[0006]本专利技术中记载的“嵌段共聚物”指包含均聚或共聚链的链段或嵌段的大致为 线性、辐射状或星形的共聚物。均聚或共聚链的链段或嵌段可具有不同的化学 组成、不同的物理特性(例如，玻璃化转变温度或溶解度参数)或这两者。
[0007]本专利技术中记载的“无机盐”指其中阴离子和阳离子为无机阴离子和无机阳离 子的盐。
[0008]本专利技术中记载的“有机盐”指其中阴离子或阳离子中的至少一者为有机阴离 子或有机阳离子(即，具有至少一个碳原子)的盐。
[0009]本专利技术中记载的“压敏粘合剂”指这样的粘合剂，其显示出强且持久的粘性， 可用不超过指压的力粘着至基材，并且具有足以从基材彻底移除的内聚强度。
[0010]本专利技术中记载的“抗静电”指阻止、散逸或移除静电荷的能力。
[0011]本专利技术中记载的“有机溶剂”选自由以下各项组成的组中的一种或多种： 乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、异丙醇， 丙酮，丁酮，甲苯，二甲苯，石油醚，正己烷，环己烷。
[0012]本专利技术中记载的“光学透明”指具有高的光学光透射比。例如，当用分光光度 计测量时，本专利技术提供的厚度为大约50μm的硅胶保护膜的光透射比(在400 纳米至700纳米范围内)为至少90％，并且雾度值小于4％。可使用ASTMD1003
‑
07的方法测量雾度和光透射百分比两者。
[0013]本专利技术中记载的“解离”指盐的阳离子和阴离子的分离。
[0014]本专利技术中记载的“移动性”指阳离子、阴离子或这两者通过扩散或由诸如电位 或电荷之类的力引起的在聚合相内移动的性质。

技术实现思路

[0015]本专利技术的目的在于解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种抗静电性优 异的硅胶保护膜，在基底薄膜上形成有抗静电层、该抗静电层上进一步形成有 机硅压敏胶层，该有机硅压敏胶层含有抗静电组合物。底涂抗静电层与有机硅 压敏胶层中抗静电组合物共同作用，双抗静电层结构保证有机硅压敏胶具有令 人满意的表面电阻率值的同时，也使在放置于高温高湿环境下时，基材、抗静 电层与有机硅压敏胶层间的粘附性良好。
[0016]本专利技术是通过如下技术方案实现上述目的的，一种抗静电的硅胶保护膜， 所述硅胶保护膜包括：
[0017]基材层；
[0018]具有在基材层的一面上形成的第一抗静电层；
[0019]在所述第一抗静电层上形成的有机硅压敏胶层，有机硅压敏胶层中包含离 抗静电组合物。
[0020]在一实施例中，有机硅压敏胶层上还贴附有离型膜层。
[0021]出于提升硅胶保护膜的透光率的观点，优选的，基材层为聚对苯二甲酸乙 二醇酯(PET)。
[0022]第一抗静电层为聚噻吩涂层，通过在基材层上涂覆包含聚噻吩系导电性聚 合物的涂料再进行热固化(温度不低于180℃，固化时间不低于1min)得到第 一抗静电层，基于100重量份的涂料，所述涂料包含：
[0023]1‑
10重量份的聚噻吩系导电性聚合物；
[0024]20
‑
40重量份的液体增粘剂；
[0025]余量为有机溶剂。
[0026]其中，所述涂料中的聚噻吩系导电性聚合物的含量若少1重量份，则难以 表现出导电性；若多于10重量份，则容易在涂料中产生团聚沉淀。
[0027]有机硅压敏胶层是通过将热固化的有机硅涂料涂布至第一抗静电层上并在 不小于140℃的温度下进行干燥和固化成形，固化条件优选140
‑
160℃下1min。 基于100重量份的有机硅涂料，所述有机硅涂料包含：
[0028]20
‑
40重量份的乙烯基五甲基二硅氧烷；
[0029]20
‑
40重量份的乙烯基三(三甲基硅氧烷基)硅烷；
[0030]5‑
10重量份的高粘有机硅树脂；
[0031]0.5
‑
1重量份的无机盐型抗静电剂；
[0032]0.5
‑
1重量份的有机盐型抗静电剂；
[0033]0.5
‑
1重量份的碳纳米管；
[0034]0.5
‑
1重量份的铂金属加成催化剂；
[0035]余量为有机溶剂。
[0036]其中，高粘有机硅树脂的粘度为8000
‑
15000CPS。
[0037]其中，碳纳米管需要预先分散形成碳纳米管溶液后使用，制备碳纳米管溶 液具体包括如下步骤：
[0038]步骤一、使用部分有机溶剂和部分高粘有机硅树脂混合制备成粘度为约 2000cps的分散液；
[0039]步骤二、将碳纳米管和分散液按质量比1:50
‑
60混合，采用高速分散机进行 搅拌分散，搅拌转速为1800
‑
2000r/min，搅拌时间不低于24h，并且高速分散机 需要安装冷却装置进行搅拌过程中的降温冷却；
[0040]步骤三、加入剩余的有机溶剂，继续搅拌分散不少于2h，得到分散均匀的 碳纳米管溶液。
[0041]在一实施例中，抗静电的硅胶保护膜的制备方法包括如下步骤：
[0042]步骤一、使用200目网纹辊凹将包含聚噻吩系导电性聚合物的涂料涂覆至 PET膜上，涂布厚度0.1
‑
1μm，然后热固化得到第一抗静电层；
[0043]步骤二、向碳纳米管溶液中依次加入乙烯基五甲基二硅氧烷、乙烯基三(三 甲基硅氧烷基)硅烷、高粘有机硅树脂、无机盐型抗静本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗静电的硅胶保护膜，其特征在于，所述硅胶保护膜包括：基材层；具有在所述基材层的一面上形成的第一抗静电层，所述第一抗静电层为聚噻吩涂层；在所述第一抗静电层上形成的有机硅压敏胶层，所述有机硅压敏胶层是通过将有机硅涂料涂布至所述第一抗静电层上并热固化形成，基于100重量份的所述有机硅涂料，所述有机硅涂料包含：20
‑
40重量份的乙烯基五甲基二硅氧烷、20
‑
40重量份的乙烯基三(三甲基硅氧烷基)硅烷、5
‑
10重量份的高粘有机硅树脂、0.5
‑
1重量份的无机盐型抗静电剂、0.5
‑
1重量份的有机盐型抗静电剂、0.5
‑
1重量份的碳纳米管、0.5
‑
1重量份的铂金属加成催化剂、余量为有机溶剂。2.根据权利要求1所述的硅胶保护膜，其特征在于，所述聚噻吩涂层通过在所述基材层上涂覆包含聚噻吩系导电性聚合物的涂料再进行热固化得到。3.根据权利要求2所述的硅胶保护膜，其特征在于，基于100重量份的所述涂料，所述涂料包含：1
‑
10重量份的聚噻吩系导电性聚合物、20
‑
4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈灏渠，李盛艺，
申请(专利权)人：惠州市浩明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：