一种双芯片通讯电路制造技术

本实用新型专利技术属于通讯电路技术领域，具体涉及一种双芯片通讯电路，包括主CPU和副CPU，所述主CPU和副CPU之间连接π121U31芯片，所述π121U31芯片的VOA端、VOB端与接收数据的引脚连接，VIB端、VIA端与发送数据的引脚连接；VCC1端串联限流电阻一后接电源一，所述限流电阻一后连接第一电容后接地，VCC2端串联限流电阻二后接电源二，所述限流电阻二后连接第二电容后接地。本实用新型专利技术相比现有技术具有以下优点：选择π121U31芯片应用在主从CPU之间的通讯，具有隔离功能；在两个CPU之间通讯频率较高时，避免外界的共模及噪声干扰对CPU通讯造成影响，进而实现在恶劣使用环境中的正常工作。进而实现在恶劣使用环境中的正常工作。进而实现在恶劣使用环境中的正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种双芯片通讯电路


[0001]本技术属于通讯电路
，具体涉及一种双芯片通讯电路。

技术介绍

[0002]再设计电子电气系统时，通常需要设计两个CPU协同工作；现有的主从CPU通讯电路由光耦、三极管及相应的外围电路组成，如图1所示，主CPU发送信号时，接收数据的引脚TXD1被拉低，P2光耦的原边因为压差开始发亮工作，使副边导通，光耦P2（LTV356C）的副边导通后，三极管T3（MMBT5551）的基极电平变高，三极管T3的集电极和发射极之间导通，副CPU的管脚RXD2接收到主CPU的信号；在实际应用中，由于双CPU之间的通讯频率比较高，导致光耦开通时达到了线性区就会关断，这种情况下容易出现传输的波形信号失真、丢失，导致参数偏移。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是针对现有通讯频率比较高的电路容易出现传输的波形信号失真、丢失的问题，提供了一种双芯片通讯电路。
[0004]本技术是通过以下技术方案实现的：一种双芯片通讯电路，包括主CPU和副CPU，所述主CPU包括接收数据的引脚RXD1和发送数据的引脚TXD1，副CPU包括接收数据的引脚RXD2和发送数据的引脚TXD2；所述主CPU和副CPU之间连接π121U31芯片，所述π121U31芯片的VOA端与接收数据的引脚RXD1连接，VIB端与发送数据的引脚TXD1连接， VIA端与发送数据的引脚TXD2连接， VOB端与发送数据的引脚RXD2连接,GND1端和GND2端分别接地；VCC1端串联限流电阻一后接电源一，所述限流电阻一后连接第一电容后接地，VCC2端串联限流电阻二后接电源二，所述限流电阻二后连接第二电容后接地。
[0005]所述π121U31芯片内部由通向、反向施密特触发器和电容组成，在CPU之间通信时，脉冲信号经常发生波形畸变，出现上升沿和下降沿不理想的状况，可使用触发器整形后获得较为理想的脉冲波形，防止参数漂移，保证通讯结果；该芯片通过电容将输入信号进行转换并输出，以实现输入、输出两端的电气隔离。
[0006]具体的，所述限流电阻一和限流电阻二的阻值均为20欧姆，能够防止电源端有较大的电流灌入芯片，保障芯片的安全；
[0007]第一电容和第二电容的电容均为0.1μF，保证芯片电源的稳定性。
[0008]本技术相比现有技术具有以下优点：选择π121U31芯片应用在主从CPU之间的通讯，具有隔离功能；在两个CPU之间通讯频率较高时，避免外界的共模及噪声干扰对CPU通讯造成影响，进而实现在恶劣使用环境中的正常工作。
附图说明
[0009]图1是现有主从CPU的通讯电路示意图。
[0010]图2是本技术双芯片通讯电路示意图。
[0011]图3是π121U31芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0012]下面结合附图对本技术进一步说明。
[0013]下面将结合本技术实施例附图，对本技术实施例技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]实施例1
[0015]一种双芯片通讯电路，包括主CPU和副CPU，所述主CPU包括接收数据的引脚RXD1和发送数据的引脚TXD1，副CPU包括接收数据的引脚RXD2和发送数据的引脚TXD2；
[0016]如图2
‑
3中所示，所述主CPU和副CPU之间连接π121U31芯片，所述π121U31芯片的VOA端与接收数据的引脚RXD1连接，VIB端与发送数据的引脚TXD1连接， VIA端与发送数据的引脚TXD2连接， VOB端与发送数据的引脚RXD2连接,GND1端和GND2端分别接地；
[0017]VCC1端串联限流电阻一R30后接电源一﹢5V，所述限流电阻一R30后连接第一电容C25后接地，VCC2端串联限流电阻二R18后接电源二﹢5V，所述限流电阻二R18后连接第二电容C15后接地；本实施例中优选，限流电阻一R30和限流电阻二R18的阻值均为20欧姆，第一电容C25和第二电容C18的电容均为0.1μF。
[0018]工作原理为：所述π121U31芯片内部由通向、反向施密特触发器和电容组成，在CPU之间通信时，脉冲信号经常发生波形畸变，出现上升沿和下降沿不理想的状况，通过触发器整形后获得较为理想的脉冲波形，防止参数漂移，保证通讯结果；该π121U31芯片通过电容将输入信号进行转换并输出，以实现输入、输出两端的电气隔离。
[0019]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或 基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0020]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员 可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种双芯片通讯电路，包括主CPU和副CPU，所述主CPU包括接收数据的引脚RXD1和发送数据的引脚TXD1，副CPU包括接收数据的引脚RXD2和发送数据的引脚TXD2；其特征在于，所述主CPU和副CPU之间连接π121U31芯片，所述π121U31芯片的VOA端与接收数据的引脚RXD1连接，VIB端与发送数据的引脚TXD1连接， VIA端与发送数据的引脚TXD2连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆磊，石悦，
申请(专利权)人：安徽海尚变频技术有限公司，
类型：新型
国别省市：