一种场发射电子源及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种场发射电子源，包括WO3纳米线、单晶钨丝、固定导电层、发叉钨丝、基座与金属触角；所述基座上设置有金属触角，所述金属触角的一端与所述发叉钨丝的一端连接，所述单晶钨丝圆柱状区域的一端与所述发叉钨丝的另一端连接，所述单晶钨丝尖端平台区域上通过固定导电层固定有WO3纳米线。本申请还提供了一种场发射电子源的制备方法。本申请场发射电子源中WO3纳米线的引入，使其具有较高的亮度、高发射寿命和高发射稳定性。高发射寿命和高发射稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种场发射电子源及其制备方法


[0001]本专利技术涉及场发射电子源
，尤其涉及一种场发射电子源及其制备方法。

技术介绍

[0002]点电子源是扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及电子束光刻等基于电子束的检测仪器和微细加工设备的主要部件。半导体的不断进步工业增加了对这些仪器性能的要求，这在很大程度上受到电子源的限制。因此，高性能点电子源对于这些仪器的开发至关重要。与热电子发射和肖特基发射阴极相比，冷阴极源可以提供具有更高亮度和更低能量扩散的电子束。因此，它们有望满足这些仪器中电子源日益增长的需求。
[0003]目前钨尖端仍然是商业SEM或TEM的主要冷阴极点电子源。在使用钨尖端作为冷阴极时，需要<10
‑8Pa的真空度；而在这种真空环境中工作每隔几个小时就需要对钨尖端进行一次闪光清洁，以防止电流随时间衰减，增加了设备应用的繁杂性。
[0004]新型纳米材料具有高亮度、低能量扩散和高发射稳定性，无疑是下一代点电子源的合格候选者。因此，纳米材料引入点电子源具有极大的意义和挑战性，成为了研究者的关注对象。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场发射电子源，包括WO3纳米线、单晶钨丝、固定导电层、发叉钨丝、基座与金属触角；所述单晶钨丝依次由圆柱状区域、尖端区域和尖端平台区域组成；所述基座上设置有金属触角，所述金属触角的一端与所述发叉钨丝的一端连接，所述单晶钨丝圆柱状区域的一端与所述发叉钨丝的另一端连接，所述单晶钨丝尖端平台区域上通过固定导电层固定有WO3纳米线。2.根据权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述金属触角包括第一金属触角和第二金属触角，所述发叉钨丝包括第一发叉钨丝和第二发叉钨丝，所述第一金属触角的一端与所述第一发叉钨丝的一端连接，所述第二金属触角的一端与所述第二发叉钨丝的一端连接；所述第一发叉钨丝和所述第二发叉钨丝的另一端相接触并与所述单晶钨丝圆柱状区域的一端连接。3.根据权利要求1或2所述的场发射电子源，其特征在于，所述固定导电层为Pt薄膜沉积层或C薄膜沉积层。4.根据权利要求2所述的场发射电子源，其特征在于，所述第一发叉钨丝和所述第二发叉钨丝的夹角为30～80
°
。5.根据权利要求1或2所述的场发射电子源，其特征在于，所述WO3纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑克亮，夏斌，方琦，王积超，吴长征，谢毅，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：