一种剥离方法技术

本发明专利技术公开一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种剥离方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种剥离方法。

技术介绍

[0002]半导体加工工艺中常涉及导电层图形加工，即在基片上制作导电层图形。利用剥离技术制作微细的导电层图形，在微米、亚微米范围内是一种非常有价值的技术。剥离技术的基本顺序是首先在洁净的基片表面涂上一层光刻胶，进行前烘、曝光、后烘、显影等不同工艺处理后，在基片表面得到图形化的光刻胶层，然后通过蒸发或者溅射的方法，在基片表面沉积导电层，最后剥离掉光刻胶及其上的导电层，而与基片紧密接触的导电层保留下来。
[0003]在采用Lift
‑
off(即剥离工艺)进行带金剥离时，一般采用丙酮试剂在超声仪中去除光刻胶和光刻胶上的导电层，在进行Lift
‑
off剥离时，由于光刻胶上方有导电层阻挡，丙酮很难透过导电层将光刻胶溶解，光刻胶剥离效果较差，一般都是通过增加丙酮超声时间以及超声功率来提高提高光刻胶剥离效果，但是从目前了解到的情况，增加超声功率以及超声的时间，Lift
‑
off的剥离效果也只能有60％左右的去本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种剥离方法，其特征在于，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。2.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述导电层包括自下至上垂直层叠的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层之后，采用等离子体表面处理工艺去除第一区上的第一子导电层。3.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，所述第一子导电层的材料为镍；所述第二子导电层的材料为金锗合金；所述第三子导电层的材料为金；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层的参数包括：采用的刻蚀溶液为碘化钾、碘和水的混合液；碘化钾的浓度为230mg/ml～240mg/ml，碘的浓度为410mg/ml～420mg/ml；刻蚀时间为5s～8s；所述等离子体表面处理工艺的参数包括：射频功率为60W～80W...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟远，李利，成磊，梅石磊，陈宇星，刘浩伟，
申请(专利权)人：晋城市光机电产业协调服务中心晋城市光机电产业研究院，
类型：发明
国别省市：