一种剥离方法技术

本发明专利技术公开一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种剥离方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种剥离方法。

技术介绍

[0002]半导体加工工艺中常涉及导电层图形加工，即在基片上制作导电层图形。利用剥离技术制作微细的导电层图形，在微米、亚微米范围内是一种非常有价值的技术。剥离技术的基本顺序是首先在洁净的基片表面涂上一层光刻胶，进行前烘、曝光、后烘、显影等不同工艺处理后，在基片表面得到图形化的光刻胶层，然后通过蒸发或者溅射的方法，在基片表面沉积导电层，最后剥离掉光刻胶及其上的导电层，而与基片紧密接触的导电层保留下来。
[0003]在采用Lift
‑
off(即剥离工艺)进行带金剥离时，一般采用丙酮试剂在超声仪中去除光刻胶和光刻胶上的导电层，在进行Lift
‑
off剥离时，由于光刻胶上方有导电层阻挡，丙酮很难透过导电层将光刻胶溶解，光刻胶剥离效果较差，一般都是通过增加丙酮超声时间以及超声功率来提高提高光刻胶剥离效果，但是从目前了解到的情况，增加超声功率以及超声的时间，Lift
‑
off的剥离效果也只能有60％左右的去除效果，并且超声时间过长，会使得导电层和半导体器件表面分离，从而影响半导体激光器芯片的正常工作。
[0004]还有一种常用方法是利用蓝膜辅助，该方法是将Lift
‑
off分为两步，首先使用光刻胶在晶圆上制备出结构图形，其次溅射导电层，然后在上面覆盖带有粘性的蓝膜，将蓝膜揭下，此时导电层随蓝膜一起被揭下，再利用丙酮溶液在超声环境中将光刻胶剥离，从而达到优化Lift
‑
off剥离效果，较上一种方法，该方法是利用蓝膜上面涂覆的胶的粘性将光刻胶上的导电层粘住带起，再进行去除光刻胶，虽然能够快速去除光刻胶，但是蓝膜粘性的均一性无法保证，并且在溅射时，导电层是一个整体的金属膜层，在使用蓝膜撕除光刻胶上的导电层时，会将晶圆上的导电层一起撕下来，造成“撕金”的问题，影响器件良率。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于如何同时提高剥离效率和良率的问题。
[0006]本专利技术提供一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。
[0007]可选的，所述导电层包括自下至上垂直层叠的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层之后，采用等离子体表面处理工艺去除第一区上的第一子导电层。
[0008]可选的，所述第一子导电层的材料为镍；所述第二子导电层的材料为金锗合金；所述第三子导电层的材料为金；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层的参数包括：采用的刻蚀溶液为碘化钾、碘和水的混合液；碘化钾的浓度为230mg/ml～240mg/ml，碘的浓度为410mg/ml～420mg/ml；刻蚀时间为5s～8s；所述等离子体表面处理工艺的参数包括：射频功率为60W～80W；采用的刻蚀气体包括氩气；氩气的流量为30sccm～35sccm；腔室压强为3.0*10
‑3Pa～5.0*10
‑3Pa；时间为5min～6min。
[0009]可选的，还包括：在采用等离子体表面处理工艺刻蚀去除第一区上的第一子导电层之前，对第一区上的第一子导电层进行去离子水清洗处理。
[0010]可选的，所述第一子导电层的厚度为5nm～10nm，所述第二子导电层的厚度为40nm～60nm，所述第三子导电层的厚度为200nm～300nm。
[0011]可选的，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层的工艺包括超声波清洗工艺。
[0012]可选的，超声波清洗工艺的参数包括：超声波功率为70W～90W，超声波频率为80KHz～100KHz；温度为50℃～60℃。
[0013]可选的，超声波清洗工艺采用丙酮清洗剂和乙醇清洗剂交替清洗。
[0014]可选的，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层，所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。
[0015]可选的，所述初始器件包括半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的半导体单元层；去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层之后，第二区的导电层形成位于半导体单元层上的测试电极，测试电极包括间隔的正极测试电极和负极测试电极。
[0016]本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0017]本专利技术提供的剥离方法，通过以第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；再去除第二光刻胶层和第一光刻胶层。由于在去除第一区上的导电层的过程中采用第二光刻胶层作为掩膜，因此能完全去除第一区上的导电层，且不会对第二区上的导电层进行撕扯，使得较好的保留第二区上的导电层的同时实现完全去除第一光刻胶层表面上的导电层。由于不会对第二区上的导电层进行撕扯，因此使得良率得到提高。由于刻蚀去除第一区上的导电层，因此能在较短的时间内完全去除第一光刻胶层表面的导电层，这样使得工艺效率提高，且不会对第二区的导电层和初始器件之间的界面有影响，对良率的提高有帮助。综上，使得剥离效率和良率均得到提高。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请实施例的剥离方法的流程图；
[0020]图2至图8为本申请实施例剥离方法实施过程的结构示意图。
[0021]附图标记：
[0022]1，初始器件；2，第一光刻胶层；3，第一子导电层；4，第二子导电层；5，第三子导电层；6，第二光刻胶层；10，第一区；20，第二区；30，导电层。
具体实施方式
[0023]下面将对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0024]本专利技术实施例提供了一种剥离方法，如图1所示，包括步骤如下：
[0025]S1：提供初始器件1，所述初始器件包括第一区10和与第一区10邻接的第二区20；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种剥离方法，其特征在于，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。2.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述导电层包括自下至上垂直层叠的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层之后，采用等离子体表面处理工艺去除第一区上的第一子导电层。3.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，所述第一子导电层的材料为镍；所述第二子导电层的材料为金锗合金；所述第三子导电层的材料为金；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层的参数包括：采用的刻蚀溶液为碘化钾、碘和水的混合液；碘化钾的浓度为230mg/ml～240mg/ml，碘的浓度为410mg/ml～420mg/ml；刻蚀时间为5s～8s；所述等离子体表面处理工艺的参数包括：射频功率为60W～80W...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟远，李利，成磊，梅石磊，陈宇星，刘浩伟，
申请(专利权)人：晋城市光机电产业协调服务中心晋城市光机电产业研究院，
类型：发明
国别省市：