【技术实现步骤摘要】
一种翻转装置
[0001]本专利技术涉及半导体激光器
,具体涉及一种翻转装置
。
技术介绍
[0002]半导体激光器目前都是在衬底上生长外延片,然后进行图形制备,目前使用的衬底尺寸主要是2~4英寸,并且由于半导体激光器往大规模化生产方向发展,用更大的衬底去制备,从而在一次流片中得到更多的激光器管芯成为趋势,由于外延片都是单晶相排列,外延片在受到外力挤压或者晃动时很容易碎裂,造成生产流片失败
。
[0003]外延片的制备过程包括:完成
P
面电极制备后,需要对外延片进行减薄抛光,减薄抛光后,需要对
N
面进行电极制备,此时需要将外延片从
P
面朝上的状态翻转成
N
面朝上的状态,在完成
N
面合金后,还需要将外延片从
N
面朝上调整为
P
面朝上
。
上述的翻转通常需要操作者采用3~5爪镊子完成,但是在将外延片翻转时,由于操作者在使用镊子时力度不好控制,力度大了容易将外延片夹碎,力度小了外延片在翻转的过程中容易滑落,从而导致流片失败,降低了激光器件的成品率,同步提升了制造成本
。
技术实现思路
[0004]因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的外延片在翻转过程中容易被夹碎或脱落,而导致流片失败的缺陷,从而提供一种吸取外延片进行翻转的翻转装置
。
[0005]为了解决上述问题,本专利技术提供了一种翻转装置,包括: ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种翻转装置,其特征在于,包括:基座
(1)
,包括底板
(11)
及设置在所述底板
(11)
上的至少两个第一支撑件
(12)
,所述底板
(11)
上设有适于放置待翻转件的放置区
(13)
,所述放置区
(13)
位于至少两个所述第一支撑件
(12)
之间;翻转结构
(2)
,包括基板
(21)
及设置在所述基板
(21)
上的至少两个第二支撑件
(22)
,所述第二支撑件
(22)
适于支撑在所述第一支撑件
(12)
上,每个所述第二支撑件
(22)
均匹配一个所述第一支撑件
(12)
;所述基板
(21)
上设有翻转面,位于至少两个所述第二支撑件
(22)
之间,所述翻转面具有朝向所述放置区
(13)
的第一状态,及背向所述放置区
(13)
的第二状态;吸取结构
(3)
,包括吸头
(31)
,所述吸头
(31)
设置在所述翻转面上,适于吸取所述待翻转件
。2.
根据权利要求1所述的翻转装置,其特征在于,所述第一支撑件
(12)
包括:支撑板
(121)
,一端连接在所述底板
(11)
上,另一端向上延伸;支撑槽
(122)
,设置在所述支撑板
(121)
的另一端上;所述第二支撑件
(22)
适于支撑在所述支撑槽
(122)
内
。3.
根据权利要求2所述的翻转装置,其特征在于,所述支撑槽
(122)
为槽口朝上的矩形槽,所述第二支撑件
(22)
为与所述支撑槽
(122)
匹配的板状结构
。4.
根据权利要求1‑3中任一项所述的翻转装置,其特征在于,所述第一支撑件
(12)
具有两个,相对设置在所述放置区
(13)
的两侧
。5.
根据权利要求1‑3中任一项所述的翻转装置,其特征在于,还包括缓冲结构
(4)
,所述吸头
(31)
通过所述缓冲结构
(4)
与所述翻转面连接
。6.
根据权利要求5所述的翻转装置,其特征在于,所述缓冲结构
(4)
包括:缓冲杆
(41)
,一端与所述翻转面连接,所述缓冲杆
(41)
内沿...
【专利技术属性】
技术研发人员:王伟远,成磊,陈宇星,梅石磊,刘浩伟,
申请(专利权)人:晋城市光机电产业协调服务中心晋城市光机电产业研究院,
类型:发明
国别省市:
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