用于蚀刻处理的药液制造技术

本发明专利技术提供一种蚀刻处理用的药液，能够在良好地蚀刻作为籽晶层的铜薄膜的同时，防止镀铜造型物的过度的蚀刻，并提供一种包括使用该药液进行蚀刻的、具备镀铜造型物的基板的制造方法。使氧化性物质(A)与水(W)包含在用于将基板、通过镀覆以外的方法形成的铜薄膜及镀铜造型物依次在基板的厚度方向上堆叠而得的被处理体的蚀刻处理的药液中，作为氧化性物质(A)，使用含氧酸(A1a)与过氧化物(A1b)的组合或使用过酸(A2)，且使作为含氧酸(A1a)的乙酸及作为过酸(A2)的过乙酸的至少一方包含在氧化性物质(A)中。物质(A)中。

【技术实现步骤摘要】
用于蚀刻处理的药液


[0001]本专利技术涉及用于将基板、铜薄膜及镀铜造型物依次在基板的厚度方向上堆叠而得的被处理体的蚀刻处理的药液，以及使用该药液的具备镀铜造型物的基板的制造方法。

技术介绍

[0002]与半导体器件的功能强大化和小型化相对应地，作为在基板上搭载与接合半导体器件的方法而广泛采用倒装芯片安装。在倒装芯片安装中，在基板上的主要由铜构成的籽晶层上形成多个电极(凸块)，通过该电极将半导体器件连接至基板。
[0003]作为可适用于倒装芯片安装的带凸块的配线基板的制造方法，提出有以下方法：在通过化学镀形成的基板上的籽晶层上，设置作为电极形成用的铸模的抗蚀剂膜后，对基板实施电镀，由此在铸模内形成由铜构成的柱凸块，接着，进行抗蚀剂膜的去除与通过蚀刻进行对在基板表面露出的籽晶层的去除(参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
‑
157051号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种药液，在将基板、铜薄膜及镀铜造型物依次在基板的厚度方向上堆叠而成的被处理体的蚀刻处理中使用，其特征在于，所述药液包含氧化性物质(A)与水(W)，所述氧化性物质(A)包含含氧酸(A1a)与过氧化物(A1b)的组合或包含过酸(A2)，所述氧化性物质(A)包含作为所述含氧酸(A1a)的乙酸及作为所述过酸(A2)的过乙酸的至少一方，所述铜薄膜包覆所述基板的主面的至少一部分，所述铜薄膜是通过镀覆以外的方法形成的膜，所述镀铜造型物是将所述铜薄膜作为籽晶层通过镀覆形成的造型物。2.如权利要求1所述的药液，其特征在于，还包含防腐蚀剂(B)。3.如权利要求1或2所述的药液，其特征在于，还包含表面活性剂(C)。4.如权利要求1或2所述的药液，其特征在于，所述含氧酸(A1a)包含磷酸，或者所述过酸(A2)包含过磷酸。5.如权利要求1或2所述的药液，其特征在于，对所述镀铜造型物的蚀刻速度ER1与对所述铜薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宇耕，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：