【技术实现步骤摘要】
一种电致变色器件及其制备方法
[0001]本专利技术属于电致变色
,涉及一种电致变色器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]电致变色是指某些物质在一定电压作用下,颜色会发生可逆的、持久的变化。电致变色材料因其驱动电压低、颜色变化丰富、能耗低、开路记忆、易与集成电路匹配等特点,在柔性显示屏幕、智能窗和电子纸等节能领域拥有广泛的应用前景
[0003]基于电致变色材料的智能窗类产品,主要受制于产品推广及生产成本;而基于电致变色材料的显示器类产品,主要受制于响应速度及循环寿命。因此,构建具有比表面积大、活性位点多、离子扩散距离小等特点的纳米结构电致变色材料对于基础科学研究和产业化应用均具有重要意义。
[0004]三氧化钨是一种研究较多的无机电致变色材料,非晶态的三氧化钨结构疏松,离子/电子在其中嵌脱时响应速度快,但经多次循环后,非晶态材料内部结构易于坍塌,导致材料的稳定性较差。非晶态的氧化钨外层存在丰富的缺陷位置和不饱和配位位点,具有较多的离子输运通道和嵌入位点。而晶态氧化钨的内部具有高度对称的刚性结构,使其具有出色的稳定性,但较致密有序的原子排列也使得晶态材料的离子/电子脱嵌速度较慢,电致变色活性较低。
[0005]非晶态材料通常比晶态材料表现出更好的电致变色性能。但与晶态材料相比,非晶态材料不稳定。
[0006]相比刚性电致变色材料,柔性电致变色智能窗价格更低,且可以直接吸附在传统玻璃表面,在不需要更换玻璃的情况下实现电致变色,然而,柔性电致变色薄膜、器件设计研发遇到的挑战限制了柔 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致变色器件,其特征在于,所述电致变色器件包括依次层叠的电致变色层、离子导电层和离子储存层;所述电致变色层包括核壳结构氧化钨材料,所述核壳结构氧化钨材料的核心为晶态氧化钨,核壳结构氧化钨材料的外壳为非晶氧化钨层。2.根据权利要求1所述的电致变色器件,其特征在于,所述电致变色层位于第一导电基底上,且所述第一导电基底位于电致变色层的外侧;优选地,所述第一导电基底包括ITO
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PET、FTO
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PET、ITO
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玻璃或FTO
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玻璃中的一种;优选地,所述离子储存层包括普鲁士白、二氧化钛、氧化镍、氧化钴或五氧化二钒中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述普鲁士白通过先电沉积法制备普鲁士蓝,再进行恒电压转化的方法得到;优选地,所述离子储存层位于第二导电基底上,所述第二导电基底位于离子储存层的外侧;优选地,所述离子导电层包括凝胶电解质;优选地,所述凝胶电解质包括有机溶剂、盐类电解质和粘结剂;优选地,所述有机溶剂包括碳酸丙烯酯、N
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甲基吡咯烷酮、碳酸乙烯酯、碳酸二乙酯或N,N
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二甲基甲酰胺中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述盐类电解质包括高氯酸锂、六氟磷酸锂、双(三氟甲基磺酰)亚胺锂或双氟磺酰亚胺锂中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述粘结剂包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛酯、聚乙烯醇或聚偏氟乙烯中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述凝胶电解质中,盐类电解质在有机溶剂中的浓度为0.1
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0.2g/mL;优选地,所述凝胶电解质中,粘结剂在有机溶剂中的浓度为0.05
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0.15g/mL;优选地,所述第二导电基底包括ITO
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PET、FTO
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PET、ITO
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玻璃或FTO
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玻璃中的一种;优选地,所述离子导电层还包括纳米胶,所述纳米胶用于粘合电致变色层和离子储存层,所述凝胶电解质位于由电致变色层、离子储存层和纳米胶围成的空间区域中。3.根据权利要求1或2所述的电致变色器件,其特征在于,所述核壳结构氧化钨中,外壳中掺杂有过渡金属;优选地,外壳中掺杂的所述过渡金属包括钼;优选地,所述核壳结构氧化钨的外壳中,掺杂的过渡金属与钨的摩尔比为0
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0.07且不为0;优选地,所述晶态氧化钨的形貌为纳米棒状;优选地,所述核壳结构氧化钨中,外壳的厚度为10
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150nm。4.如权利要求1
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3任一项所述电致变色器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)水热法生长晶态氧化钨,并用电沉积法在所述晶态氧化钨上沉积非晶氧化钨层,得到核壳结构氧化钨材料作为电致变色层;(2)将电致变色层制备成电致变色器件,所述电致变色器件包括依次层叠的电致变色层、离子导电层和离子储存层。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述水热法生长晶态氧化钨的方法包括将第一钨源溶于第一溶剂中,加入无机酸进行搅拌,固液分离取沉淀,将沉淀溶
于氧化剂,水浴加热得到水热前驱液,将所述水热前驱液与无机酸、第一溶剂和第二溶剂混合,进行水热反应,得到晶态氧化钨;优选地,所述第一钨源包括钨酸钠;优选地,所述第一溶剂包括水;优选地,所述无机酸包括盐酸;优选地,所述氧化剂包括过氧化氢;优选地,所述沉淀与氧化剂的固液比为0.05
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0.2g/mL;优选地,所述第二溶剂包括乙醇;优选地,所述水浴的温度为90...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔彦斌,李文丽,朱多银,
申请(专利权)人:中国科学院过程工程研究所,
类型:发明
国别省市:
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