一种同封装工艺结合的去衬底GaN-HEMT芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种同封装工艺结合的去衬底GaN

【技术实现步骤摘要】
一种同封装工艺结合的去衬底GaN
‑
HEMT芯片及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子器件
，涉及一种GaN
‑
HEMT(高电子迁移率晶体管)芯片及其制备方法，尤其是一种同封装工艺结合的去衬底GaN
‑
HEMT芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，GaN
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HEMT(GaN基高电子迁移率晶体管)芯片已逐步应用于消费电子电源，电动汽车，高铁，电站，航空航天等应用领域。GaN
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HEMT是靠GaN材料的固有特性，在异质结处形成很强的二维电子气的高电子迁移率晶体管器件，具有高功率密度、高频率特性，具有启动快，寿命长，效率高，节能环保等优点。
[0003]目前，GaN
‑
HEMT市场的主要技术路线为在硅、蓝宝石、SiC等衬底上生长GaN
‑
HEMT外延层，再做成HEMT芯片。在硅衬底上制备，GaN
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HEMT由于晶格失配问题严重，外延层质量无法和蓝宝石、SiC媲美。且硅容易击穿，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同封装工艺结合的去衬底GaN
‑
HEMT芯片，其包括封装支架(300)，其特征在于，所述封装支架(300)上依次设有固晶层(301)、高导热耐压层(302)、缓冲层(101)、沟道层(102)和势垒层(103)，所述势垒层(103)上设有p
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GaN层(104)、源极(105)和漏极(106)，所述p
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GaN层(104)上设有栅极(107)，所述源极(105)与所述p
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GaN层(104)和栅极(107)之间以及所述漏极(106)与所述p
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GaN层(104)和栅极(107)之间都设有绝缘层(108)。2.根据权利要求1所述的同封装工艺结合的去衬底GaN
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HEMT芯片，其特征在于，所述封装支架(300)是以陶瓷或金属或印刷电路板为基材的电路支架。3.根据权利要求2所述的同封装工艺结合的去衬底GaN
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HEMT芯片，其特征在于，所述封装支架(300)的厚度为300um
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1000um。4.根据权利要求3所述的同封装工艺结合的去衬底GaN
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HEMT芯片，其特征在于，所述高导热耐压层(302)的热导率>170W/(m.k)。5.根据权利要求4所述的同封装工艺结合的去衬底GaN
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HEMT芯片，其特征在于，所述高导热耐压层(302)由AlN、SiC或金刚石制成，且其厚度为10um
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50um。6.根据权利要求5所述的同封装工艺结合的去衬底GaN
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HEMT芯片，其特征在于，所述固晶层(301)由Ag胶制成，或者由AuSn或PbSn共晶合金制成，或者由烧结Ag或绝缘胶制成，且其厚度为1um
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100um。7.根据权利要求6所述的同封装工艺结合的去衬底GaN
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HEMT芯片，其特征在于，所述缓冲层(101)、沟道层(102)、势垒层(103)和p
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GaN层(104)的总厚度为0.1um
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【专利技术属性】
技术研发人员：汪福进，白俊春，程斌，贾永，
申请(专利权)人：江苏芯港半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：