【技术实现步骤摘要】
一种绝缘耐压的MOSFET管高效安装结构
[0001]本专利技术涉及MOSFET管安装
,具体是涉及一种绝缘耐压的MOSFET管高效安装结构。
技术介绍
[0002]MOSFET管全称为金属
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氧化物半导体场效应晶体管,其是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型。在直流无刷多相电机的驱动和控制器设计中,大功率MOSFET管多使用TO
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220封装的MOSFET管并联并排连接方式安装在PCB线路板上,随着开关电源大批量应用于各行各业中,作为开关电源主要开关管的MOSFE被大量使用,MOSFE管分为上、下桥臂管,电源线和电机线之间并联的MOSFET称上桥臂管,电源地线和电机线之间并联的MOSFET称下桥臂管,上下桥臂管串成一线焊接在PCB上,MOSFET管的散热片成一平面压紧贴在散热器上,并联的上桥臂管的源极连接并联的下桥臂管的漏极,MOSFET管的栅极连接驱动控制器的控制输出端,电源线连接上桥臂管的漏极,电源地线连接下桥臂管的源极,电机线连接上桥臂管的源极,在电源线和电源地线之间还并联多个电容,由于上、下桥臂管一般各由多个T0
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220封装的MOSFET管并联而成,现有技术中一般来说,MOSFET管安装在PCB板一侧,把MOSFET管的散热片直接贴在PCB板侧面的铝散热器上,MOSFET管并联密植连接方式时,存在安全隐患和效果不佳灯问题,而且MOSFET管在散热、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种绝缘耐压的MOSFET管高效安装结构,包括底座(1)、安装装置(2)和外壳(3);其特征在于,安装装置(2)包括绝缘装置(21)、触发装置(22)、夹取装置(23)、锁死装置(24)、复位装置(25)和定位组件(26);绝缘装置(21)设置在外壳(3)的上部,绝缘装置(21)用于承接MOSFET管;触发装置(22)设置在绝缘装置(21)的一侧,触发装置(22)在MOSFET管被放置在绝缘装置(21)上后完全激活;夹取装置(23)设置在外壳(3)内,夹取装置(23)与触发装置(22)相连,触发装置(22)在完全激活后可带动夹取装置(23)将MOSFET管夹取住;锁死装置(24)设置在外壳(3)内,锁死装置(24)用于保持触发装置(22)始终处于激活的状态;复位装置(25)设置在夹取装置(23)的一侧,复位装置(25)用于在锁死装置(24)解锁后带动夹取装置(23)复位;定位组件(26)设置在外壳(3)的上部,定位组件(26)用于辅助MOSFET管能正确安装在绝缘装置(21)上。2.根据权利要求1所述的一种绝缘耐压的MOSFET管高效安装结构,其特征在于,触发装置(22)包括齿条(221)、第一齿轮(222)和连接轴;齿条(221)沿底座(1)的高度方向贯穿的设置在外壳(3)的上部,齿条(221)与外壳(3)滑动配合;第一齿轮(222)沿底座(1)的长度方向可转动设置在外壳(3)的内部,第一齿轮(222)与齿条(221)相互啮合;连接轴沿第一齿轮(222)的轴线固定设置在第一齿轮(222)的一侧,底座(1)上设置有支撑架,连接轴与支撑架转动配合,连接轴远离第一齿轮(222)的一端与夹取装置(23)固定连接。3.根据权利要求2所述的一种绝缘耐压的MOSFET管高效安装结构,其特征在于,夹取装置(23)包括第二齿轮(231)、第一推动杆(232)、第二推动杆(233)和限位件(234);第二齿轮(231)沿连接轴的轴线固定设置在连接轴远离第一齿轮(222)的一端上;第一推动杆(232)沿底座(1)的宽度方向设置在第二齿轮(231)的上方,第一推动杆(232)靠近第二齿轮(231)的一侧设置有第一啮合齿,第一啮合齿设置有多个,第一啮合齿沿第一推动杆(232)的长度方向均匀设置,第一推动杆(232)通过第一啮合齿与第二齿轮(231)啮合;第二推动杆(233)沿底座(1)的宽度方向设置在第二齿轮(231)的下方,第二推动杆(233)靠近第二齿轮(231)的一侧设置有第二啮合齿,第二啮合齿设置有多个,第二啮合齿沿第二推动杆(233)的长度方向均匀设置,第二推动杆(233)通过第二啮合齿与第二齿轮(231)啮合;限位件(234)为倒“L”形结构,限位件(234)设置有两个,限位件(234)分别设置在第一推动杆(232)的上部和第二推动杆(233)的上部。4.根据权利要求3所述的一种绝缘耐压的MOSFET管高效安装结构,其特征在于,锁死装置(24)包括旋钮(241)、套筒(242)、延伸杆(243)、卡接块(244)、卡接槽(245)和限位组件(246);
旋钮(2...
【专利技术属性】
技术研发人员:柴力,
申请(专利权)人:先之科半导体科技东莞有限公司,
类型:发明
国别省市:
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