体声波谐振结构及其制造方法技术

本申请实施例提供一种体声波谐振结构及其制造方法，其中，体声波谐振结构，包括：衬底；依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；其中，所述压电层中设置有环状的凹槽，所述凹槽处于有源区内，且靠近所述有源区的边缘；所述凹槽中至少部分填充有与所述第二电极层相同的材料。有与所述第二电极层相同的材料。有与所述第二电极层相同的材料。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振结构及其制造方法


[0001]本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种体声波谐振结构及其制造方 法。

技术介绍

[0002]体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)谐振器(或称为“体声波谐振结构”) 具有体积小、品质因数(Quality Factor，Q值)高等优点，因此，被广泛应用 在移动通讯技术中，如移动终端中的滤波器或双工器。而在移动终端中，存在 多个频段同时使用的情况，这要求滤波器或双工器具有更加陡峭的裙边和更小 的插入损耗。滤波器的性能由构成它的谐振器决定，提高谐振器的Q值可以实 现陡峭的裙边和小的插入损耗。同时，寄生谐振过大也会造成滤波器或双工器 抑制变差，通带内存在寄生扰动，增大插入损耗，影响良率等不好的影响。如 何减小寄生谐振同时提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种体声波谐振结构及其制造方法。
[0004]本申请实施例一方面提供了一种体声波谐振结构，包括：
[0005]衬底；
[0006]依次层叠于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振结构，其特征在于，包括：衬底；依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；其中，所述压电层中设置有环状的凹槽，所述凹槽处于有源区内，且靠近所述有源区的边缘；所述凹槽中至少部分填充有与所述第二电极层相同的材料。2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽中全部填充有与所述第二电极层相同的材料。3.根据权利要求2所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽包括由所述压电层的顶面延伸至所述压电层中的第一凹槽；所述第一凹槽的数量包括多个，多个第一凹槽沿第一方向依次排布，所述第一方向包括由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部的方向；所述多个第一凹槽的深度沿所述第一方向依次递减。4.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述第一凹槽的数量包括三个。5.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，每一所述第一凹槽的开口宽度范围为：0.6μm～1.6μm。6.根据权利要求5所述的谐振结构，其特征在于，所述第一凹槽的开口宽度为：1.4μm。7.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，相邻两个所述第一凹槽之间的间距范围为：0.8μm～2.4μm。8.根据权利要求7所述的谐振结构，其特征在于，相邻两个所述第一凹槽之间的间距为：1
±
0.05μm。9.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述体声波谐振结构还包括位于所述第二电极层和所述第一凹槽之间的环状桥结构；所述桥结构覆盖所述多个第一凹槽。10.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽还包括由所述压电层的底面延伸至所述压电层中的第二凹槽；所述第二凹槽的数量包括多个，多个第二凹槽沿第一方向依次排布；所述多个第二凹槽的深度沿所述第一方向依次递增。11.根据权利要求10所述的谐振结构，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽在第二方向上相对设置，且所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述第二方向上的厚度之和小于所述压电层在所述第二方向上的厚度；所述第二方向与所述衬底的表面垂直。12.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽中填充有与所述第二电极层相同的材料的第一部分及填充有空气的第二部分。13.根据权利要求12所述的谐振结构，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分均由所述压电层的顶面延伸所述压电层中；所述第一部分位于所述凹槽中靠近所述有源区的边缘的一侧，所述第二部分位于所述凹槽中远离所述有源区的边缘的一侧；或者，所述第一部分位于所述凹槽中远离所述有源区的边缘的一侧，所述第二部分位于所述凹槽中靠近所述有源区的边缘的一侧。14.根据权利要求13所述的谐振结构，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分各占所述凹槽开口宽度的一半。15.根据权利要求13所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的数量包括一个或多个，多个凹槽沿第一方向依次排布，所述多个凹槽中每个凹槽的深度相等或者沿所述第一方向依次递减，所述第一方向包括由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部的方向。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张大鹏，林瑞钦，段志，黄韦胜，胡志雄，
申请(专利权)人：武汉光钜微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：