超声波芯片封装结构、封装模组及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种超声波芯片封装结构、封装模组以及封装方法。封装结构包括衬底、压电薄膜层、焊垫以及金属凸起。所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有若干空腔；所述压电薄膜层置于所述衬底的第一表面上，且覆盖所有的所述空腔，以使所述空腔形成真空密闭腔；所述焊垫置于所述衬底的第一表面上，且位于所述压电薄膜层的外侧，所述焊垫与所述压电薄膜层耦合；所述金属凸起置于所述衬底的第二表面一侧，且与所述焊垫之间电性连接。本发明专利技术的超声波芯片封装结构，提高了超声波芯片的转换率。了超声波芯片的转换率。了超声波芯片的转换率。

【技术实现步骤摘要】
超声波芯片封装结构、封装模组及封装方法


[0001]本专利技术是关于半导体
，特别是关于一种超声波芯片封装结构、封装模组以及封装方法。

技术介绍

[0002]压电微机械超声换能器(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer， PMUT)包括柔性膜和基底等，该柔性膜通过弯曲连接到刚性基底上，弯曲部分由通过膜周边蚀刻的槽限定。这些特征释放了膜结构层上存在的应力，使其对残余应力不太敏感。弯曲部分设计成用作扭转弹簧，使得膜的振动模式形状在压电致动区域中高度弯曲，从而增加机电耦合。
[0003]现有的压电微机械超声换能器，大多包括衬底、支撑层和压电薄膜等，支撑层上形成空腔并倒装于衬底上，与衬底围合形成真空腔体，压电薄膜设置于支撑层上位于真空腔体上方。此种结构的PMUT，压电薄膜与真空腔体之间通过支撑层进行支撑，对转换效率有一定影响。
[0004]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超声波芯片封装结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有若干空腔；压电薄膜层，所述压电薄膜层置于所述衬底的第一表面上，且覆盖所有的所述空腔，以使所述空腔形成真空密闭腔；焊垫，所述焊垫置于所述衬底的第一表面上，且位于所述压电薄膜层的外侧，所述焊垫与所述压电薄膜层耦合；金属凸起，所述金属凸起置于所述衬底的第二表面一侧，且与所述焊垫之间电性连接。2.如权利要求1所述的超声波芯片封装结构，其特征在于，所述压电薄膜层包括多个压电薄膜单元，每个所述压电薄膜单元对应覆盖于一个所述空腔上，且相邻所述压电薄膜单元之间间隔设置。3.如权利要求1所述的超声波芯片封装结构，其特征在于，所述超声波芯片封装结构还包括：连接结构，所述连接结构电性连接所述金属凸起和所述焊垫；以及隔离层，所述隔离层置于所述连接结构和所述衬底之间，以隔离所述连接结构和所述衬底。4.如权利要求3所述的超声波芯片封装结构，其特征在于，所述隔离层覆盖所述衬底的第二表面以及两个侧面；所述焊垫至少部分位于所述隔离层的外侧；所述连接结构包括导电膜层，所述导电膜层部分覆盖所述隔离层且电连接所述金属凸起和所述焊垫。5.如权利要求3所述的超声波芯片封装结构，其特征在于，所述衬底上形成有通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；所述隔离层覆盖所述通孔的孔壁以及所述衬底的第二表面；所述连接结构包括导电柱和导电膜层，所述导电柱填充于所述通孔中且电性连接所述焊垫，所述导电膜层部分覆盖位于所述衬底第二表面的隔离层，且所述导电膜层相对的两端分别电性连接所述导电柱和所述金属凸起。6.一种超声波芯片封装模组，其特征在于，包括：基板，所述基板上形成有焊盘；围堰，所述围堰围设于所述基板上以形成空腔，所述空腔具有一开口，所述焊盘位于所述空腔内；如权利要求1～5任一所述的超声波芯片封装结构，所述超声波芯片封装结构位于所述空腔内且所述空腔开口完全暴露出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯厚，杨剑宏，王鑫琴，袁文杰，王蔚，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：