辅助区设置装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够促进辅助区内的设备之间的热利用的协作并且消除设备导入时的配管连接的繁琐性的辅助区设置装置。辅助区设置装置(5)具备：真空泵(6)，其用于从处理腔室(2)排出处理气体；冷却单元(7)，其用于对在处理腔室(2)中使用了的第1循环液进行冷却；加热单元(8)，其用于对在处理腔室(2)中使用了的第2循环液进行加热；和冷却液管线(12)，其供从冷却源(15)供给的冷却液流动。冷却液管线(12)具有将冷却液分别向真空泵(6)及冷却单元(7)供给的分配管线(21)、和将从真空泵(6)及冷却单元(7)通过了的冷却液合流并使其向冷却源(15)返回的合流返回管线(22)。回的合流返回管线(22)。回的合流返回管线(22)。

【技术实现步骤摘要】
辅助区设置装置


[0001]本专利技术涉及蚀刻装置等半导体制造装置所使用的辅助区(sub fab area)设置装置，尤其涉及用于对半导体制造装置所使用的循环液进行冷却及加热的辅助间区域设置装置。

技术介绍

[0002]在作为半导体制造工序之一的干法蚀刻工序中，使用配置于无尘室的蚀刻装置。在蚀刻装置的地板下的辅助区配置有用于对在蚀刻中使用的处理气体进行除害的除害装置、用于将处理气体从蚀刻室排出的真空泵、用于对在蚀刻室中流动的循环液进行冷却的冷却单元、用于对在蚀刻室中流动的循环液进行加热的加热单元等。加热单元的加热方式为利用压缩式制冷机的热气对循环液进行加热的方式、利用电加热器进行加热的方式或利用热气和加热器双方进行加热的方式等。另外，除害装置、真空泵、冷却单元、加热单元分别需要利用冷却水进行冷却(其中，电加热器式的加热单元无需冷却水)。
[0003]在专利文献1中公开有利用来自半导体制造装置的立式热处理装置(半导体晶片热处理装置)的80℃的温冷却水作为蚀刻装置的加热源的余热利用系统。
[0004]在专利文献2中公开有利用热泵吸收来自除害装置的余热并用作对半导体制造设备中的水处理设备的原水进行净化的树脂塔、反渗透膜装置的加热源的余热回收再利用系统。
[0005]在专利文献3中公开有使除害部与真空泵一体化并将冷却水共用化的方式。
[0006]在专利文献4中公开有通过余热输送路径将多台余热产生设备和余热利用设备连接的余热利用系统。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：国际公开第2002/067301号
[0010]专利文献2：日本特开2019
‑
174050号公报
[0011]专利文献3：日本特开2014
‑
231822号公报
[0012]专利文献4：日本特开2006
‑
313048号公报

技术实现思路

[0013]随着蚀刻装置的台数的增加，这些辅助区内的设备也增加。这些设备不在设备之间进行热交换地单独运转，从辅助区的设备整体来看未被最优化，因此，耗电量与设备的数量增加相应地增加。
[0014]作为热的有效利用方法，可以想到使用在除害装置、干泵、冷却单元的冷却中使用后的温度上升了的冷却水来驱动热泵。但是，在各设备是被单独地设计的情况下，难以促进更进一步的热的有效利用。另外，在导入设备时，设备间的配管连接也会变得繁琐。
[0015]因此，本专利技术提供一种能够促进辅助区内的设备之间的热利用的协作并且消除设
备导入时的配管连接的繁琐性的辅助区设置装置。
[0016]在一个方案中，提供一种辅助区设置装置，是半导体制造装置所使用的辅助区设置装置，具备：真空泵，其用于从上述半导体制造装置的处理腔室排出处理气体；冷却单元，其用于对在上述处理腔室中使用了的第1循环液进行冷却；加热单元，其用于对在上述处理腔室中使用了的第2循环液进行加热；和冷却液管线，其供从冷却源供给的冷却液流动，上述冷却单元包括使制冷剂循环的第1热泵，上述加热单元包括使制冷剂循环的第2热泵，上述冷却液管线具有将上述冷却液分别向上述真空泵及上述冷却单元供给的分配管线、和将从上述真空泵及上述冷却单元通过了的上述冷却液合流并使其向冷却源返回的合流返回管线。
[0017]根据本专利技术，真空泵和冷却单元通过分配管线及合流返回管线而连结，因此，对于真空泵和冷却单元无需单独地设置冷却液的供给管线和排出管线。因此，能够削减配管零部件的成本以及伴随着现场配管连接的制造成本，其结果为能够减少辅助区设置装置的制造成本。
[0018]在一个方案中，上述冷却液管线还具有将从上述真空泵及上述冷却单元通过了的上述冷却液向上述加热单元供给的集合管线。
[0019]根据本专利技术，真空泵和冷却单元通过分配管线、合流返回管线及集合管线而连结，因此，对于真空泵和冷却单元无需单独地设置冷却液的供给管线和排出管线。因此，能够削减配管零部件的成本及伴随着现场配管连接的制造成本，其结果为能够进一步减少辅助区设置装置的制造成本。
[0020]在一个方案中，上述辅助区设置装置还具备在从上述加热单元通过了的上述冷却液与从上述第1热泵的冷凝器向蒸发器流动的制冷剂之间进行热交换的过冷却器。
[0021]根据本专利技术，制冷剂通过冷却液而被过冷却，因此能够提高冷却单元的冷却效率。
[0022]在一个方案中，上述辅助区设置装置还具备在上述第2循环液与在上述集合管线中流动的上述冷却液之间进行热交换的循环液冷却器。
[0023]根据本专利技术，第2循环液通过在集合管线中流动的冷却液而被冷却，能够妥当地调整被过度加热的情况下的第2循环液的温度。
[0024]在一个方案中，上述冷却液管线还具备将从上述循环液冷却器通过了的上述冷却液向上述集合管线引导的连接管线。
[0025]根据本专利技术，从循环液冷却器通过了的冷却液具有更高的温度，因此，通过集合管线向加热单元引导冷却液，从而能够提高加热单元的加热效率。
[0026]在一个方案中，上述辅助区设置装置还具备将由外部的热源加热后的冷却液向上述加热单元供给的外部供给管线。
[0027]根据本专利技术，由外部的热源加热后的冷却液具有更高的温度，因此，通过外部供给管线向加热单元引导冷却液，从而能够提高加热单元的加热效率。
[0028]在一个方案中，提供一种辅助区设置装置，是半导体制造装置所使用的辅助区设置装置，具备：真空泵，其用于从上述半导体制造装置的处理腔室排出处理气体；冷却单元，其用于对在上述处理腔室中使用了的第1循环液进行冷却；加热单元，其用于对在上述处理腔室中使用了的第2循环液进行加热；和冷却液管线，其供从冷却源供给的冷却液流动，上述冷却单元包括使制冷剂循环的第1热泵，上述加热单元包括使制冷剂循环的第2热泵，上
述辅助区设置装置具备将从上述第1热泵的蒸发器通过了的制冷剂的一部分作为冷却介质向上述真空泵供给的制冷剂供给管线。
[0029]根据本专利技术，能够使用第1热泵的制冷剂来冷却真空泵，因此，无需将冷却液向真空泵引导。其结果为，能够简化冷却液的配管。
[0030]在一个方案中，上述冷却液管线具有将上述冷却液向上述冷却单元供给的上游侧管线、和将从上述冷却单元通过了的上述冷却液向上述加热单元供给的下游侧管线。
[0031]在一个方案中，上述辅助区设置装置还具备在从上述加热单元通过了的上述冷却液与从上述第1热泵的冷凝器向蒸发器流动的制冷剂之间进行热交换的过冷却器。
[0032]根据本专利技术，制冷剂被冷却液过冷却，因此能够提高冷却单元的冷却效率。
[0033]在一个方案中，还具备在上述第2循环液与从上述冷却单元通过了的上述冷却液之间进行热交换的循环液冷却器。
[0034]根据本专利技术，第2循环液被从冷却单元通过了的冷却液冷却，能够妥当地调整被过度加热的情况下的第2循环液的温度。
[0035]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辅助区设置装置，是半导体制造装置所使用的辅助区设置装置，其特征在于，具备：真空泵，其用于从所述半导体制造装置的处理腔室排出处理气体；冷却单元，其用于对在所述处理腔室中使用了的第1循环液进行冷却；加热单元，其用于对在所述处理腔室中使用了的第2循环液进行加热；和冷却液管线，其供从冷却源供给的冷却液流动，所述冷却单元包括使制冷剂循环的第1热泵，所述加热单元包括使制冷剂循环的第2热泵，所述冷却液管线具有：将所述冷却液分别向所述真空泵及所述冷却单元供给的分配管线；和将从所述真空泵及所述冷却单元通过了的所述冷却液合流并使其向冷却源返回的合流返回管线。2.根据权利要求1所述的辅助区设置装置，其特征在于，所述冷却液管线还具有将从所述真空泵及所述冷却单元通过了的所述冷却液向所述加热单元供给的集合管线。3.根据权利要求1所述的辅助区设置装置，其特征在于，还具备在从所述加热单元通过了的所述冷却液与从所述第1热泵的冷凝器向蒸发器流动的制冷剂之间进行热交换的过冷却器。4.根据权利要求2所述的辅助区设置装置，其特征在于，还具备在从所述加热单元通过了的所述冷却液与从所述第1热泵的冷凝器向蒸发器流动的制冷剂之间进行热交换的过冷却器。5.根据权利要求2所述的辅助区设置装置，其特征在于，还具备在所述第2循环液与在所述集合管线中流动的所述冷却液之间进行热交换的循环液冷却器。6.根据权利要求4所述的辅助区设置装置，其特征在于，还具备在所述第2循环液与在所述集合管线中流动的所述冷却液之间进行热交换的循环液冷却器。7.根据权利要求5所述的辅助区设置装置，其特征在于，所述冷却液管线还具备将从所述循环液冷却器通过了的所述冷却液向所述集合管线引导的连接管线。8.根据权利要求6所述的辅助区设置装置，其特征在于，所述冷却液管线还具备将从所述循环液冷却器通过了的所述冷却液向所述集合管线引导的连接管线。9.根据权利要求1至8中任一项所述的辅助区设置装置，其特征在于，还具备将由外部的热源加热后的冷却液向所述加热单元供给的外部供给管线。10.一种辅助区设置装置，是半导体制造装置所使用的辅助区设置装置，其特征在于，具备：真空泵，其用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：小博基司，福住幸大，坂内伸隆，宫田启雅，花房直也，田冈健，宫崎一知，
申请(专利权)人：荏原冷热系统株式会社，
类型：发明
国别省市：