电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，包括以封装层包覆多个电子元件，且该封装层于该多个电子元件的至少两相邻者之间定义为间隔结构，以于该间隔结构上形成凹部，供作为隔热区，以经由该隔热区的设计，使该多个电子元件之间能有效隔热，以避免高功率的电子元件将其所发的热传递至低功率的电子元件，热影响低功率电子元件的运行。运行。运行。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法


[0001]本专利技术有关一种半导体装置，尤指一种电子封装件及其制法。

技术介绍

[0002]随着5G快速发展，电子产品需求趋势朝向异质整合迈进，且为了缩短高运算处理芯片与存储器之间的走线距离，加强信号完整性(signal integrity)，为此，多芯片封装结构(MCM/MCP)逐渐兴起，以满足高运算芯片整合存储器(DDR/HBW memory)于单一封装件的需求。
[0003]如图1所示的多芯片封装结构1，包括将多个半导体芯片11a,11b经由多个焊锡凸块13结合至一封装基板10上，再形成包覆该多个半导体芯片11a,11b的封装材料14。以经由将多颗半导体芯片封装成一颗半导体芯片的特性，使其具有较多的I/O数，且可以大幅增加处理器的运算能力，减少信号传递的延迟时间，以应用于高密度线路/高传输速度/高叠层数/大尺寸设计的高阶产品。
[0004]此外，现有存储器形式的半导体芯片11a需严格控制其工作温度范围以维持正常运行。
[0005]然而，具高运算功能的半导体芯片11b，如系统单芯片(System本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：多个电子元件；以及封装层，其包覆该多个电子元件，其中，该封装层于至少二相邻的该多个电子元件之间定义为间隔结构，且该间隔结构上形成有凹部，以供作为隔热区。2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该隔热区呈现空气状态。3.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该隔热区中填入绝缘材。4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该隔热区的热传导系数小于该封装层的热传导系数。5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该隔热区的热传导系数小于0.02W/mK。6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹部的宽度至少为50微米。7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹部未贯穿该间隔结构。8.如权利要求7所述的电子封装件，其特征在于，该封装层于该间隔结构处的厚度至少为10微米。9.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括承载及电性连接该多个电子元件的承载结构，其具有相对两侧，以令该多个电子元件设于该承载结构的相对两侧的其中一者，且于该承载结构的相对两侧的另一者上配置有多个导电元件。10.如权利要求9所述的电子封装件，其特征在于，该凹部延伸至该承载结构。11.如权利要求10所述的电子封装件，其特征在于，该凹部贯穿该承载结构。12.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子元件具有相对的作用面与非作用面及邻接该作用面与非作用面的侧面，以令该间隔结构连接该多个电子元件的侧面。13.如权利要求12所述的电子封装件，其特征在于，该凹部外露该电子元件的侧面。14.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括结合至该多个电子元件上且遮盖该凹部的散热件。15.如权利要求14所述的电子封装件，其特征在于，该散热件经由结合层结合至该多个电子元件上。16.如权利要求15所述的电子封装件，其特征在于，该结合层填入该凹部中但未填满该凹部。17.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：提供多个电子元件；以封装层包覆该...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志贤，林骧宇，蔡文荣，陈嘉扬，林建成，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：