一种陷光结构的制备方法及陷光结构技术

本公开涉及一种陷光结构的制备方法及陷光结构，涉及半导体技术领域。陷光结构的制备方法包括：在基底上形成陷光结构窗口限定层；在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球层掩膜；通过所述聚合物微球层掩膜刻蚀所述陷光结构窗口限定层形成陷光结构窗口掩膜；去除所述聚合物微球层掩膜后，在未覆盖有所述陷光结构窗口掩膜的区域形成氧化层掩膜；去除所述陷光结构窗口掩膜后，通过所述氧化层掩膜刻蚀所述基底形成陷光结构；去除所述氧化层掩膜。本公开在制作陷光结构的过程中不需要使用光刻技术，制作成本低，可以满足多种精度要求，可实现陷光结构大规模可重复性制备。实现陷光结构大规模可重复性制备。实现陷光结构大规模可重复性制备。

【技术实现步骤摘要】
一种陷光结构的制备方法及陷光结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种陷光结构的制备方法及陷光结构。

技术介绍

[0002]陷光结构是一种在位于发光器件表面的微纳结构，其作用是通过多次反射和折射，将入射光线分散至发光器件中的各个位置，从而增加光在发光器件里的光程，提高光在发光器件里的吸收。陷光结构主要分为倒金字塔型陷光结构，光栅型陷光结构等，其中倒金字塔型陷光结构因制作方法简单，表面缺陷少被广泛应用。目前湿法腐蚀制作被应用于倒金字塔型陷光结构，如使用四甲基氢氧化铵刻蚀晶向硅。
[0003]但是要得的倒金字塔型陷光结构，首先要使用光刻得到陷光窗口，之后再通过使用湿法刻蚀制备得到。由于两个陷光结构之间间隔小，只有50
‑
100nm宽，因此对光刻精度要求高。当前国内大部分实验室使用的光刻机精度在0.5
‑
1微米之间，远达不到陷光结构间距的精度。如果使用更高精度的电子束曝光，则时间成本与工艺成本大大增加。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本公开提供了一种陷光结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陷光结构的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成陷光结构窗口限定层；在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球层掩膜；通过所述聚合物微球层掩膜刻蚀所述陷光结构窗口限定层形成陷光结构窗口掩膜；去除所述聚合物微球层掩膜后，在未覆盖有所述陷光结构窗口掩膜的区域形成氧化层掩膜；去除所述陷光结构窗口掩膜后，通过所述氧化层掩膜刻蚀所述基底形成陷光结构；去除所述氧化层掩膜。2.根据权利要求1所述的陷光结构的制备方法，其特征在于，所述在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球层掩膜包括：在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球单层膜；刻蚀所述聚合物微球单层膜，以使所述聚合物微球单层膜中的聚合物微球至目标尺寸，形成聚合物微球层掩膜。3.根据权利要求2所述的陷光结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述聚合物微球单层膜，以使所述聚合物微球单层膜中的聚合物微球至目标尺寸，形成聚合物微球层掩膜包括：采用氧气等离子体各向同性刻蚀所述聚合物微球单层膜，以使所述聚合物微球单层膜中的聚合物微球至目标尺寸，形成聚合物微球层掩膜。4.根据权利要求1所述的陷光结构的制备方法，其特征在于，在基底上形成陷光结构窗口限定...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超晖，马静，马四光，刘冰，肖鹏，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：