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本公开涉及一种陷光结构的制备方法及陷光结构，涉及半导体技术领域。陷光结构的制备方法包括：在基底上形成陷光结构窗口限定层；在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球层掩膜；通过所述聚合物微球层掩膜刻蚀所述陷光结构窗口限定层形成陷光结构窗口掩膜；...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

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