本发明专利技术公开了一种RF芯片线损测试方法、系统、可读储存介质及电子设备，属于芯片测试技术领域。所述方法包括步骤：将待测射频芯片置于测试底座中，第一弹簧针和第二弹簧针触及射频芯片的管脚部分；第一弹簧针连接测试仪器；建立goldensample与第二弹簧针的连接；获取goldensample向第一测试仪器发送的射频信号，计算该射频信号的功率值；获取该射频信号的频率下的射频线的线损值，以及PCB走线的线损值；获得弹簧针接触阻抗引入的线损值；断开goldensample与第二弹簧针的连接后，待测射频芯片发送或者接收射频信号，第一测试仪器测量该射频信号的功率，获得测试回路的线损值。本发明专利技术能够测量弹簧针接触阻抗引入的线损值，减小测试偏差从而提高结果准确性。小测试偏差从而提高结果准确性。小测试偏差从而提高结果准确性。
【技术实现步骤摘要】
RF芯片线损测试方法、系统、可读储存介质及电子设备
[0001]本专利技术属于芯片测试
，特别涉及一种RF芯片线损测试方法、系统、可读储存介质及电子设备。
技术介绍
[0002]不同的射频线材质及线的长短都会导致不同的功率损失，通常称之为线损。在量产测试时，必须测量射频线的功率损失，在测试过程中补偿对应的值，否则测试会引入较大的测量误差。但这个补偿值通常是针对特定线的固定补偿值，一旦未使用标定值对应的该射频线，可能导致测试值出现异常。
[0003]图1展示了目前RF芯片在量产测试中的连接关系示意图。连接弹簧针和SMA接口的为测试板上的电路走线，这一段距离比较短，引入的线损也比较小，通常会被忽略。
[0004]连接芯片管脚与电路板的弹簧针(pogo pin)在测试回路中是最容易被忽略，同时也是最容易引入较大测量误差的地方。
[0005]理想情况下弹簧针与芯片管脚间的接触阻抗在0.2欧姆左右，但随着测试次数的增加，弹簧针会出现氧化或者沾污情况，这使得接触阻抗也会发生变化，严重的时候接触阻抗可能达到5欧姆。
[0006]除此以外，handler的压力大小也会影响接触阻抗的值。不同的接触阻抗引入的射频信号功率损失是不一样的，由于接触阻抗是动态变化的，芯片跟测试底座中的弹簧针的每次接触都会导致阻抗变化，这就导致每次测试时射频信号的功率损失也是在动态变化的。因此，动态变化的线损值，使得以往的补偿固定值方法变得不再适用，也导致测试值出现较大的偏差。
[0007]综上所述，如何提供一种能够测量弹簧针接触阻抗引入的线损值，减小测试值偏差从而提高测试结果准确性的RF芯片线损测试方法，是当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0008]本专利技术的目的在于提供一种RF芯片线损测试方法、系统、可读储存介质及电子设备，在测试底座上设置触及射频芯片管脚的第一弹簧针和第二弹簧针，第一弹簧针与第一测试仪器连接，第二弹簧针与golden sample连接。在测试中，第一测试仪器到第一弹簧针的测试回路断开，连通第二弹簧针到golden sample的回路，能够获得弹簧针接触阻抗引入的线损值。
[0009]本专利技术提供了一种RF芯片线损测试方法，所述方法应用于测试装置，所述测试装置包括测试底座，测试仪器以及网络分析仪；
[0010]其中，所述测试底座包括弹簧针，所述弹簧针包括第一弹簧针和第二弹簧针；
[0011]所述测试仪器包括golden sample和第一测试仪器；
[0012]该方法包括如下步骤：
[0013]将待测射频芯片置于测试底座中，所述第一弹簧针和第二弹簧针触及射频芯片的
管脚部分，所述第一弹簧针连接到第一测试仪器，以连通从第一弹簧针到第一测试仪器的测试回路；
[0014]建立所述golden sample与所述第二弹簧针的连接，以连通从golden sample到第二弹簧针的回路；
[0015]获取所述golden sample向所述第一测试仪器发送的射频信号，计算该射频信号的功率值；
[0016]通过所述网络分析仪获取前述射频信号的频率下的射频线的线损值，以及PCB走线的线损值；其中，所述PCB走线包括第一PCB走线和第二PCB走线；
[0017]获得弹簧针接触阻抗引入的线损值；
[0018]断开所述golden sample与第二弹簧针的连接后，待测射频芯片发送或者接收射频信号，第一测试仪器测量该射频信号的功率，获得测试回路的线损值。
[0019]进一步，所述弹簧针接触阻抗引入的线损值的计算公式为，
[0020][0021]其中，X为射频信号的频率；
[0022]P1为golden sample发送的射频信号的功率值，P2为第一测试仪器收到的射频信号的功率值；
[0023]L1
x
为第一PCB走线的线损值；L2
x
为射频线线损值；L3
x
为第二PCB走线的线损值。
[0024]进一步，所述获得弹簧针接触阻抗引入的线损值还包括获得第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值，所述获得第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值包括以下步骤，
[0025]连通前述测试回路，由待测芯片根据golden sample发送的第一射频信号，得到该第一射频信号的功率；
[0026]断开前述测试回路，由待测芯片根据golden sample发送的第二射频信号，得到该第二射频信号的功率，所述第二射频信号与前述第一射频信号功率相同；
[0027]计算测得的第一射频信号的功率和测得的第二射频信号的功率的功率差值；
[0028]计算第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值以及第二弹簧针的接触阻抗引入的线损值。
[0029]进一步，所述第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值的计算公式为，
[0030][0031]其中，X为射频信号的频率；P
rg
为测得的第一射频信号的功率；P
re
为测得的第二射频信号的功率。
[0032]进一步，所述获得测试回路的线损值还包括，根据获得的前述弹簧针接触阻抗引入的线损值，对测试回路进行补偿。
[0033]进一步，所述测试回路的线损值的计算公式为，PA
x
＝PL
x
+L1
x
+L2
x
。
[0034]进一步，还包括测试前获取测试回路的理想线损值，以及计算测试回路的线损值与测试回路的理想线损值之间的差异值；
[0035]当所述差异值大于预设阈值时，触发告警。
[0036]进一步，所述第二弹簧针的长度与所述PCB走线的长度加和结果小于所述射频信
号的波长。
[0037]本专利技术还提供了一种RF芯片量产线损测试系统，用于实施上述任一项所述的方法，所述系统包括：
[0038]Switch模块：用于建立第一弹簧针与所述第一测试仪器的连接，以连通从待测射频芯片到第一测试仪器的测试回路；以及，用于建立golden sample与所述第二弹簧针的连接，以连通从golden sample到第二弹簧针的回路，或者，切断golden sample与所述第二弹簧针的连接，以断开从golden sample到第二弹簧针的回路。
[0039]发送模块：用于通过golden sample向所述第一测试仪器发送射频信号；
[0040]接收模块：用于通过所述第一测试仪器接收golden sample发生的射频信号；
[0041]获取模块：用于通过网络分析仪获取前述射频信号的频率下的射频线线损值，以及PCB走线的线损值；
[0042]计算模块：用于计算所述第一测试仪器收到的射频信号的功率值，弹簧针接触阻抗引入的线损值，和测试回路的线损值。
[0043]进一步，计算模块还被配置为用于计算测试回路的理想线损值，以及计算测试回路的线损值与测试回路的理想线损本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种RF芯片线损测试方法，所述方法应用于测试装置，所述测试装置包括测试底座，测试仪器以及网络分析仪；其中，所述测试底座包括弹簧针，所述弹簧针包括第一弹簧针和第二弹簧针；所述测试仪器包括golden sample和第一测试仪器；其特征在于，该方法包括如下步骤：将待测射频芯片置于测试底座中，所述第一弹簧针和第二弹簧针触及射频芯片的管脚部分，所述第一弹簧针连接到第一测试仪器，以连通从第一弹簧针到第一测试仪器的测试回路；建立所述golden sample与所述第二弹簧针的连接，以连通从golden sample到第二弹簧针的回路；获取所述golden sample向所述第一测试仪器发送的射频信号，计算该射频信号的功率值；通过所述网络分析仪获取前述射频信号的频率下的射频线的线损值，以及PCB走线的线损值；其中，所述PCB走线包括第一PCB走线和第二PCB走线；获得弹簧针接触阻抗引入的线损值；断开所述golden sample与第二弹簧针的连接后，待测射频芯片发送或者接收射频信号，第一测试仪器测量该射频信号的功率，获得测试回路的线损值。2.根据权利要求1所述的RF芯片线损测试方法，其特征在于：所述弹簧针接触阻抗引入的线损值的计算公式为，其中，X为射频信号的频率；P1为golden sample发送的射频信号的功率值，P2为第一测试仪器收到的射频信号的功率值；L1
x
为第一PCB走线的线损值；L2
x
为射频线线损值；L3
x
为第二PCB走线的线损值。3.根据权利要求1所述的RF芯片线损测试方法，其特征在于：所述获得弹簧针接触阻抗引入的线损值还包括获得第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值，所述获得第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值包括以下步骤，连通前述测试回路，由待测芯片根据golden sample发送的第一射频信号，得到该第一射频信号的功率；断开前述测试回路，由待测芯片根据golden sample发送的第二射频信号，得到该第二射频信号的功率，所述第二射频信号与前述第一射频信号功率相同；计算测得的第一射频信号的功率和测得的第二射频信号的功率的功率差值；计算第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值以及第二弹簧针的接触阻抗引入的线损值。4.根据权利要求3所述的RF芯片线损测试方法，其特征在于；所述第一弹簧针的接触阻抗引入的线损值的计算公式为，其中，X为射频信号的频率；P
rg
为测得的第一射频信号的功率；P
re
为测得的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：马云峰，戴文松，
申请(专利权)人：上海物骐微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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