半导体封装和用于制造该半导体封装的方法技术

一种半导体封装包括：第一重分布结构，包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层下方的第一重分布层；半导体芯片，设置在第一重分布结构上，其中所述半导体芯片包括与第一重分布层电连接并埋设在第一绝缘层中的连接端子；密封件，设置在第一重分布结构上，其中密封件密封半导体芯片的一部分；第二重分布结构，包括设置在密封件上的第二重分布层；以及贯通孔，包括埋设在第一绝缘层中并与第一重分布层电连接的图案部分，以及贯穿密封件并与图案部分和第二重分布层电连接的通孔部分。连接端子的上表面和图案部分的上表面位于第一水平处，并且连接端子和图案部分在低于第一水平的第二水平处彼此电连接。平处彼此电连接。平处彼此电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装和用于制造该半导体封装的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年5月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0064713的优先权，其内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术构思的实施例涉及一种半导体封装和用于制造该半导体封装的方法。

技术介绍

[0004]随着电子产品进一步小型化并实现更高性能，需要减小半导体封装的安装面积。因此，已经提出了堆叠多个封装的层叠封装(PoP)结构。为了实现PoP结构，形成通孔从而在半导体封装中提供竖直电连接路径。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种在设计重分布层时具有高自由度的半导体封装。
[0006]根据本专利技术构思的实施例，一种半导体封装包括：第一重分布结构，包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层下方的第一重分布层；半导体芯片，设置在第一重分布结构上，其中所述半导体芯片包括与第一重分布层电连接并埋设在第一绝缘层中的连接端子；密封件，设置在第一重分布结构上，其中密封件密封半导体芯片的至少一部分；第二重分布结构，包括设置在密封件上的第二重分布层；以及贯通孔，包括埋设在第一绝缘层中并与第一重分布层电连接的图案部分，以及贯穿密封件并与图案部分和第二重分布层电连接的通孔部分。连接端子的上表面和图案部分的上表面位于第一水平处，并且所述连接端子和所述图案部分在低于第一水平的第二水平处彼此电连接。
[0007]根据本专利技术构思的实施例，一种半导体封装包括：重分布结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括绝缘层和设置在绝缘层下方的重分布层；半导体芯片，设置在重分布结构的第一表面上，其中半导体芯片包括与重分布层电连接并埋设在绝缘层中的连接端子；以及贯通孔，包括与重分布层电连接并埋设在绝缘层中的图案部分，以及从图案部分延伸并位于绝缘层上的通孔部分。在垂直于图案部分的第一表面的方向上的高度大于连接端子的高度。
[0008]根据本专利技术构思的实施例，一种半导体封装包括：重分布结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括绝缘层和设置在绝缘层下方的重分布层；半导体芯片，设置在重分布结构的第一表面上，其中半导体芯片包括与重分布层电连接并埋设在绝缘层中的连接端子；以及贯通孔，包括与重分布层电连接并埋设在绝缘层中的图案部分，以及从图案部分延伸并位于绝缘层上的通孔部分。图案部分的埋设在绝缘层中的部分的高度大于连接端子的埋设在绝缘层中的部分的高度。
[0009]根据本专利技术构思的实施例，一种制造半导体封装的方法包括：将半导体芯片设置在胶带上，其中半导体芯片包括埋设在胶带中的连接端子；在密封半导体芯片的胶带上形
成密封件，其中密封件具有面向胶带的正面和与正面相对的背面；将密封件和半导体芯片布置在载体上，其中背面面向该载体；形成贯穿密封件的贯通孔洞；沿着贯通孔洞的内壁和正面形成种子层；使用种子层形成贯通孔，其中贯通孔包括填充贯通孔洞的通孔部分和位于正面的图案部分；从图案部分去除种子层的显露部分；以及形成重分布结构，该重分布结构包括覆盖连接端子和图案部分的位于正面上的绝缘层、位于绝缘层上的重分布层、以及重分布通孔，该重分布通孔贯穿绝缘层并将重分布层连接到图案部分和连接端子。
附图说明
[0010]图1A是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装的截面图，且图1B是沿线I
‑
I
′
截取的图1A的半导体封装的平面图。
[0011]图2是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装的截面图。
[0012]图3是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装的截面图。
[0013]图4是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装的截面图。
[0014]图5是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装的截面图。
[0015]图6是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装的截面图。
[0016]图7A到图7I是依次示出制造图6所示的半导体封装的方法的步骤的截面图。
具体实施方式
[0017]在下文中，将参考附图描述本专利技术构思的实施例。
[0018]如本文所用，考虑所讨论的测量和与特定量测量相关的误差(例如测量系统的限制)，术语“约”包括所述值，并且表示在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在本领域普通技术人员所理解的一个或多个标准偏差内。此外，本领域普通技术人员将理解，虽然本文可以将参数描述为具有“约”特定值，但是根据实施例应当理解，参数可以精确地是该特定值或者在测量误差内基本是该特定值。
[0019]图1A是根据本专利技术构思的实施例的半导体封装100A的截面图，且图1B是沿线I
‑
I
′
截取的图1A的半导体封装的平面图。图1A示出了与图1B中的线II
‑
II
’
相对应的竖直截面。
[0020]参照图1A和图1B，根据实施例的半导体封装100A包括第一重分布结构110、半导体芯片120和贯通孔150。此外，半导体封装100A还包括密封件130以及第二重分布结构140。
[0021]第一重分布结构110是支撑基板，半导体芯片120安装在该支撑基板上，并具有第一表面S1以及与第一表面S1相对的第二表面S2，并且包括至少一个第一绝缘层111、分别设置在至少一个第一绝缘层111下方的至少一个第一重分布层112，以及贯穿至少一个第一绝缘层111并与至少一个第一重分布层112电连接的至少一个第一重分布通孔113。第一重分布结构110使半导体芯片120的连接端子122重新分布，并且可以包括比图中所示的那些数量更多或更少的第一绝缘层111、第一重分布层112和第一重分布通孔113。与第一重分布层112电连接的连接凸块170设置在第一重分布结构110的第二表面S2上。连接凸块170设置在最下方第一重分布层下方，并且可以具有由低熔点金属制成的球形或球状形状，诸如锡(Sn)、铟(In)、铋(Bi)、锑(Sb)、铜(Cu)、银(Ag)，锌(Zn)或铅(Pb)或其合金，诸如Sn
‑
Ag
‑
Cu。
[0022]第一绝缘层111包括绝缘树脂。绝缘树脂可以是如环氧树脂的热固性树脂；如聚酰亚胺的热塑性树脂；或浸渍有无机填料和/或玻璃纤维、玻璃布或玻璃织物的树脂，如预浸
料、Ajinomoto积层膜(ABF)、FR
‑
4或双马来酰亚胺三嗪(BT)。在实施例中，第一绝缘层111包括光敏树脂，诸如光可成像电介质(PID)。第一绝缘层111可以包括沿竖直方向(Z轴方向)堆叠的多个第一绝缘层111。取决于工艺，多个第一绝缘层111之间的边界可能不清楚。此外，为了描述方便，附图中仅示出了三个绝缘层111，但本专利技术构思的实施例不限于此。在一些实施例中，第一重分布结构110包括四个或更多个第一绝缘层111。
[0023]第一重分布层11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：第一重分布结构，包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层下方的第一重分布层；半导体芯片，设置在所述第一重分布结构上，其中，所述半导体芯片包括与所述第一重分布层电连接并埋设在所述第一绝缘层中的连接端子；密封件，设置在所述第一重分布结构上，其中，所述密封件密封所述半导体芯片的至少一部分；第二重分布结构，设置在所述密封件上，其中，所述第二重分布结构包括所述第二重分布层；以及贯通孔，包括图案部分和通孔部分，所述图案部分埋设在所述第一绝缘层中并与所述第一重分布层电连接，并且所述通孔部分贯穿所述密封件并电连接所述图案部分和所述第二重分布层，其中，所述连接端子的上表面和所述图案部分的上表面位于第一水平处，并且所述连接端子和所述图案部分在低于所述第一水平的第二水平处彼此电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述连接端子的下表面和所述图案部分的下表面位于不同的水平处。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述图案部分的所述下表面位于比所述连接端子的所述下表面低的水平处。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述连接端子和所述图案部分具有接触所述第一绝缘层的侧表面，其中，所述图案部分的所述侧表面的第二高度大于所述连接端子的所述侧表面的第一高度。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述第一高度为约1μm至约6μm，以及所述第二高度为约5μm至约15μm。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述贯通孔具有集成结构，其中，所述图案部分和所述通孔部分之间的边界是不可区分的。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述通孔部分具有侧表面为锥形的形状，其中，所述通孔部分的宽度随着所述通孔部分接近所述图案部分而增加。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述图案部分的上表面的至少一部分与所述密封件接触。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述通孔还包括设置在所述图案部分的上表面以及所述通孔部分的侧表面和上表面上的种子层。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述种子层包括与所述图案部分和所述通孔部分的金属基本相同的金属。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二重分布结构还包括设置在所述密封件和所述第二重分布层之间的第二绝缘层，以及贯穿所述第二绝缘层并电连接所述第二重分布层和所述贯通孔的第二重分布通孔。...

【专利技术属性】
技术研发人员：权容焕，朴庸镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：