一种集成式MicroLED的测试方法技术

本发明专利技术公开了一种集成式Micro LED的测试方法，通过将Micro LED浸入导电液体中测试，P电极通过导电液体接地，未浸入导电液体中的共N极与电压输入端连接，能够实现对全部子像素全角度、充分接触地通电。相较于现有技术中的探针接触测试，本发明专利技术中可以使用电流驱动的方式实现整面点亮，且不需要探针，不损伤芯片本身，不影响每个像素的电极，也不会因为刮伤压伤导致后续的焊接异常；相较于现有技术中的光致发光测试，在负电压和接地端之间设置电性参数测试模组，可多次反复地进行电性参数的测试，从而提升集成式Micro LED的检测效率和准确性。确性。确性。

【技术实现步骤摘要】
一种集成式Micro LED的测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，特别涉及一种集成式Micro LED的测试方法。

技术介绍

[0002]集成式Micro LED一般由大量子像素组成，其像素个数在50万至数百万个，同时其电极尺寸极小在1～8μm之间，无法用目前常见的探针测试法进行测试，如果使用光致激的方法又无法对一些重要的电性参数进行检测，因此高集成度、小尺寸的Micro LED测试尤其是通电测试是整个行业目前没有解决的问题。
[0003]现有的测试主要有两种：一种是探针接触测试，但对于Micro LED来说，电极小，探针无法有效接触，且子像素个数太多，逐颗测试效率也极低；另一种是光致发光测试，其可以检测基本的光学参数，但是无法检测漏电、正向电压、启动电压等重要的电性参数。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种集成式Micro LED的测试方法，能够测试集成式Micro LED整面的电性参数，提升集成式Micro LED的检测效率和准确性。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种集成式Micro LED的测试方法，包括步骤：
[0007]在可透光容器中添加导电液体，所述导电液体接地；
[0008]将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中，所述像素区中的每一个像素均与一个P电极一一对应；
[0009]将未浸入所述导电液体的集成式Micro LED的共N极与电性参数测试模组的电压输入端连接；
[0010]在所述电压输入端与导电液体的接地端之间通过所述电性参数测试模组进行电性参数测试。
[0011]本专利技术的有益效果在于：通过将Micro LED浸入导电液体中测试，P电极通过导电液体接地，未浸入导电液体中的共N极与电压输入端连接，能够实现对全部子像素全角度、充分接触地通电。相较于现有技术中的探针接触测试，本专利技术中可以使用电流驱动的方式实现整面点亮，且不需要探针，不损伤芯片本身，不影响每个像素的电极，也不会因为刮伤压伤导致后续的焊接异常；相较于现有技术中的光致发光测试，在负电压和接地端之间设置电性参数测试模组，可多次反复地进行电性参数的测试，从而提升集成式Micro LED的检测效率和准确性。
附图说明
[0012]图1为本专利技术实施例的一种集成式Micro LED的测试方法的流程图；
[0013]图2为本专利技术实施例的一种集成式Micro LED的测试方法的液相法示意图；
[0014]图3为本专利技术实施例的一种集成式Micro LED的测试方法的收光示意图；
[0015]标号说明：
[0016]1、可透光容器；2、导电液体；3、液面线；4、共N极；5、P电极；6、收光装置；7、电性参数测试模组。
具体实施方式
[0017]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0018]请参照图1，本专利技术实施例提供了一种集成式Micro LED的测试方法，包括步骤：
[0019]在可透光容器中添加导电液体，所述导电液体接地；
[0020]将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中，所述像素区中的每一个像素均与一个P电极一一对应；
[0021]将未浸入所述导电液体的集成式Micro LED的共N极与电性参数测试模组的电压输入端连接；
[0022]在所述电压输入端与导电液体的接地端之间通过所述电性参数测试模组进行电性参数测试。
[0023]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：通过将Micro LED浸入导电液体中测试，P电极通过导电液体接地，未浸入导电液体中的共N极与电压输入端连接，能够实现对全部子像素全角度、充分接触地通电。相较于现有技术中的探针接触测试，本专利技术中可以使用电流驱动的方式实现整面点亮，且不需要探针，不损伤芯片本身，不影响每个像素的电极，也不会因为刮伤压伤导致后续的焊接异常；相较于现有技术中的光致发光测试，在负电压和接地端之间设置电性参数测试模组，可多次反复地进行电性参数的测试，从而提升集成式Micro LED的检测效率和准确性。
[0024]进一步地，还包括：
[0025]在所述可透光容器外通过收光装置获取所述像素区点亮后的光学参数。
[0026]由上述描述可知，利用可透光容器的透光性，可以使用收光装置在容器壁之外一次性测试到全部像素的光学参数。
[0027]进一步地，所述将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中之前包括：
[0028]在所述集成式Micro LED的共N极和像素区之间设置液面缓冲区；
[0029]在所述集成式Micro LED中除所述共N极和像素区之外的区域覆盖绝缘层。
[0030]由上述描述可知，在共N极与像素区之间预留液面缓冲区，便于将共N极与像素区区分开来；通过表面覆盖绝缘材料的方式解决芯片在液相内的短路问题。
[0031]进一步地，所述将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中还包括：
[0032]调整所述集成式Micro LED的位置，使得所述导电液体液面位于所述液面缓冲区的范围内。
[0033]由上述描述可知，将芯片浸入导电液体时，便于控制浸没像素区的同时不对共N极造成影响。
[0034]进一步地，所述将未浸入所述导电液体的集成式Micro LED的共N极与电性参数测试模组的电压输入端连接包括：
[0035]使用导电夹具夹持集成式Micro LED的共N极，将所述导电夹与电性参数测试模组
的电压输入端连接。
[0036]由上述描述可知，使用电压输入端通过导电夹具与集成式Micro LED的共N极金属接触，同时起到输入N极电子以及固定芯片的功能。
[0037]进一步地，所述可透光容器为至少一面透明的容器。
[0038]进一步地，所述可透光容器的材料包括氧化硅或氧化铝。
[0039]由上述描述可知，使用透光度好的稳定材料制作可透光容器，使得可透光容器具有良好的透光性。
[0040]进一步地，所述导电液体包括纳米碳管或者纳米金属粒子的悬浊液。
[0041]由上述描述可知，使用纳米碳管或者纳米金属粒子的悬浊液作为导电液体，在保证导电性能的同时具有良好的透光性。
[0042]进一步地，所述导电液体接地包括：
[0043]将接地导线插入所述导电液体中。
[0044]进一步地，所述导电液体接地还包括：
[0045]在所述可透光容器中设置一个导电部位，对所述导电部位接地。
[0046]由上述描述可知，导电液体可以通过导线接地，也可以通过可透光容器中的导电部位进行接地，可适用于不同的场景。
[0047]本专利技术上述的一种集成式Micro LED的测试方法，适用于共N极的集成式Micro LED芯片的一次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成式Micro LED的测试方法，其特征在于，包括步骤：在可透光容器中添加导电液体，所述导电液体接地；将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中，所述像素区中的每一个像素均与一个P电极一一对应；将未浸入所述导电液体的集成式Micro LED的共N极与电性参数测试模组的电压输入端连接；在所述电压输入端与导电液体的接地端之间通过所述电性参数测试模组进行电性参数测试。2.根据权利要求1所述的一种集成式Micro LED的测试方法，其特征在于，还包括：在所述可透光容器外通过收光装置获取所述像素区点亮后的光学参数。3.根据权利要求1所述的一种集成式Micro LED的测试方法，其特征在于，所述将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中之前包括：在所述集成式Micro LED的共N极和像素区之间设置液面缓冲区；在所述集成式Micro LED中除所述共N极和像素区之外的区域覆盖绝缘层。4.根据权利要求3所述的一种集成式Micro LED的测试方法，其特征在于，所述将集成式Micro LED的像素区浸入所述导电液体中还包括：调整所述集成式Micro LED的位置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，吴永胜，张力强，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：