一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材制造技术

本实用新型专利技术公开了一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材，包括通过焊合剂固定设置于背板上方的多个平面靶材单元，相邻平面靶材单元之间上端设置有第一绑定缝隙，相邻平面靶材单元下端设置有第二绑定缝隙，所述第一绑定缝隙和第二绑定缝隙错位设置，本实用新型专利技术通过使用交叠式绑定间隙避免了等离子体直接轰击靶材接缝处非靶材部分，避免了传统绑定方式因接缝未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，也省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料。保护接缝而使用的高分子保护材料。保护接缝而使用的高分子保护材料。

【技术实现步骤摘要】
一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材


[0001]本技术涉及磁控溅射靶材制备的
，具体涉及一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材。

技术介绍

[0002]近年来，氧化物半导体的磁控溅射技术被人们所关注，并迅速发展。氧化物半导体膜因为其可见光的高透过性和具有的高迁移率，现阶段被广泛用于液晶显示装置。如ITO靶材，主要是由氧化铟和氧化锡组成，因良好的透过性和导电性，已经大量用于液晶显示器制造。
[0003]随着液晶显示装置等显示面板的尺寸不断大型化，与之相对应的也要求靶材向大型化发展，但现有技术靶材难以生产加工出相符的大型靶材。故现阶段主要是将多个平面靶材绑定在大尺寸的背板上，以此来应对显示面板尺寸的大型化。
[0004]平面靶材在绑定过程中，因为靶材的膨胀系数与背板的膨胀系数不一致，故靶材与靶材相邻的位置需要预留出绑定缝隙，以防止靶材破裂。现有生产工艺一般在靶材接缝处进行处理，通常的做法是在绑定缝隙处覆一层高分子保护材料，即便如此，由于绑定缝隙与背板呈90
°
垂直，在溅射过程中不可避免的被等离子体轰击到背板对应的绑定缝隙位置，高分子保护材料长时间被等离子体轰击存在失效风险，因此造成焊合剂或背板材料从绑定缝隙处溅射到镀膜上，严重影响镀膜质量，导致了生产出的显示器件受到不良影响。

技术实现思路

[0005]本技术需要解决的技术问题是提供一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材，通过使用交叠式绑定间隙避免了等离子体直接轰击靶材接缝处非靶材部分，避免了传统绑定方式因接缝未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，也省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料。
[0006]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材，包括通过焊合剂固定设置于背板上方的多个平面靶材单元，相邻平面靶材单元之间上端设置有第一绑定缝隙，相邻平面靶材单元下端设置有第二绑定缝隙，所述第一绑定缝隙和第二绑定缝隙错位设置。
[0007]本技术技术方案的进一步改进在于：相邻平面靶材单元之间搭接设置，且搭接部分由一个平面靶材单元的凹状边缘覆于相邻的平面靶材单元的凸状边缘之上，相邻的凸状边缘与凹状边缘之间的缝隙为第二绑定缝隙。
[0008]本技术技术方案的进一步改进在于：所述第一绑定缝隙和第二绑定缝隙的中线之间的距离为0.5
‑
2mm。
[0009]本技术技术方案的进一步改进在于：所述焊合剂的材料采用铟。
[0010]本技术技术方案的进一步改进在于：所述平面靶材单元采用ITO靶材、IGZO靶材或AZO靶材任一种。
[0011]由于采用了上述技术方案，本技术取得的技术进步是：
[0012]1、本技术通过使用第一绑定缝隙和第二绑定缝隙错位设置，避免了等离子体直接轰击靶材接缝处非靶材部分，避免了传统绑定方式因接缝未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，也省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料，总体来说，提高了成膜质量，节约了成本；
[0013]2、本技术通过对第一绑定缝隙和第二绑定缝隙之间的距离进行限定，保证了交叠式绑定间隙能全程稳定的起到应有的保护效果。
附图说明
[0014]图1是本技术实施例1整体结构示意图；
[0015]图2是本技术实施例1相邻平面靶材单元搭接示意图；
[0016]图3是本技术实施例2整体结构示意图；
[0017]图4是本技术实施例2相邻平面靶材单元搭接示意图；
[0018]其中，1、焊合剂，2、背板，3、平面靶材单元，4、第一绑定缝隙，5、第二绑定缝隙，6、凸状边缘，7、凹状边缘。
具体实施方式
[0019]下面结合实施例对本技术做进一步详细说明：
[0020]实施例1
[0021]如图1所示，一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材，包括通过焊合剂1固定设置于背板2上方的多个平面靶材单元3，焊合剂1的材料采用铟，多个平面靶材单元3采用ITO靶材、IGZO靶材或AZO靶材任一种。相邻平面靶材单元3之间上端设置有第一绑定缝隙4，相邻平面靶材单元3下端设置有第二绑定缝隙5，所述第一绑定缝隙4和第二绑定缝隙5错位设置。 通过使用第一绑定缝隙和第二绑定缝隙错位设置，避免了等离子体直接轰击靶材接缝处非靶材部分，避免了传统绑定方式因接缝未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，也省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料。
[0022]如图2所示，中间的平面靶材单元3前边下端设置有凸状边缘6、后边下端设置有凹状边缘7，相邻平面靶材单元3之间搭接设置，且搭接部分由一个平面靶材单元3的凹状边缘7覆于相邻的平面靶材单元3的凸状边缘6之上，相邻的凸状边缘6与凹状边缘7之间的缝隙为第二绑定缝隙5。首端的平面靶材单元3和末端的平面靶材单元3分别与相邻的中间平面靶材单元3搭接设置。
[0023]第一绑定缝隙4和第二绑定缝隙5的中线之间的距离为0.5
‑
2mm，通过对第一绑定缝隙和第二绑定缝隙之间的距离进行限定，保证了交叠式绑定间隙能全程稳定的起到应有的保护效果。
[0024]实施例2
[0025]如图3至图4所示，本实施例与实施例1的区别在于：相邻两个中间平面靶材单元3，其中一个中间平面靶材单元3前边下端和后边下端均设置有凸状边缘6、另一个间平面靶材单元3前边下端和后边下端均设置有凹状边缘7。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材，其特征在于：包括通过焊合剂（1）固定设置于背板（2）上方的多个平面靶材单元（3），相邻平面靶材单元（3）之间上端设置有第一绑定缝隙（4），相邻平面靶材单元（3）下端设置有第二绑定缝隙（5），所述第一绑定缝隙（4）和第二绑定缝隙（5）错位设置。2.根据权利要求1所述的一种交叠式绑定间隙的大尺寸平面靶材，其特征在于：相邻平面靶材单元（3）之间搭接设置，且搭接部分由一个平面靶材单元（3）的凹状边缘（7）覆于相邻的平面靶材单元（3）的凸状边缘（6）之上，相邻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆树立，李庆丰，王建堂，骆如河，骆胜华，骆胜磊，骆利军，王壮伟，骆胜凯，骆胜喜，
申请(专利权)人：河北恒博新材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：