一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，属于磁控溅射靶材制备技术领域，包括背管，所述背管通过焊合剂层与若干旋转靶材相结合，且相邻旋转靶材之间的焊合剂层留有绑定缝隙，所述相邻旋转靶材在对应的绑定缝隙处交叠相接形成台阶状交叠结构，且相邻旋转靶材之间留有靶材间隙。本实用新型专利技术通过使用交叠式绑定缝隙结构避免了等离子体直接轰击靶材接缝处的非靶材部分，避免了传统绑定方式因绑定缝隙未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，提高了成膜质量；同时省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构


[0001]本技术涉及一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，属于磁控溅射靶材制备


技术介绍

[0002]近年来，氧化物半导体的磁控溅射技术迅速发展。氧化物半导体膜因为其可见光的高透过性和高迁移率，被广泛用于液晶显示装置。如ITO靶材，主要是由氧化铟和氧化锡组成，因良好的透过性和导电性，已经大量用于液晶显示器的制造。
[0003]随着液晶显示装置等显示面板的尺寸不断大型化，与之相对应的也要求靶材向大型化发展，但现有靶材技术难以生产加工出相符的大型靶材。故现阶段主要是将多个旋转靶材绑定在大尺寸的背管上，以此来应对显示面板尺寸的大型化。
[0004]旋转靶材在绑定过程中，因为靶材的膨胀系数与背管的膨胀系数不一致，故靶材与靶材相邻的位置需要预留出绑定缝隙，以防止靶材破裂。现有生产工艺一般在靶材接缝处进行处理，通常的做法是在绑定缝隙处覆一层高分子保护材料，即便如此，由于绑定缝隙与背管呈90
°
垂直，在溅射过程中等离子体不可避免会轰击到背管对应的绑定缝隙位置，高分子保护材料长时间被等离子体轰击存在失效风险，因此造成焊合剂或背管材料从绑定缝隙处溅射到镀膜上，严重影响镀膜质量，导致生产出的显示器件良率降低。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，用以防止磁控溅射过程中旋转靶材缝隙处的焊合剂或背管材料被等离子体轰击对镀膜产生的污染，同时还可以省去高分子保护材料的使用，减少材料的使用成本。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0007]一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，包括背管，所述背管通过焊合剂层与若干旋转靶材相结合，且相邻旋转靶材之间的焊合剂层上留有绑定缝隙，所述相邻旋转靶材在对应的绑定缝隙处交叠相接形成台阶状交叠结构，且相邻旋转靶材之间留有靶材间隙。
[0008]本技术技术方案的进一步改进在于：所述相邻旋转靶材的一根旋转靶材内壁边缘凸出形成旋转靶材内壁凸出结构，对应的另一根旋转靶材内壁边缘凹陷形成旋转靶材内壁凹陷结构，所述旋转靶材内壁凸出结构与旋转靶材内壁凹陷结构配合搭接。
[0009]本技术技术方案的进一步改进在于：所述靶材间隙的间隙宽度为0.1～0.3mm。
[0010]本技术技术方案的进一步改进在于：所述旋转靶材内壁凸出结构的轴向长度为0.5～2mm，径向深度为0.5～2mm。
[0011]本技术技术方案的进一步改进在于： 所述旋转靶材内壁凹陷结构的轴向长度为0.5～2mm，径向深度为0.5～2mm。
[0012]本技术技术方案的进一步改进在于：所述旋转靶材为氧化物半导体靶材。
[0013]由于采用了上述技术方案，本技术取得的技术效果有：
[0014]本技术通过使用交叠式绑定缝隙结构避免了等离子体直接轰击靶材接缝处的非靶材部分，避免了传统绑定方式因绑定缝隙未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，同时省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料，降低了生产成本。
[0015]本技术通过对缝隙结构设定特定的尺寸，保证了缝隙结构能全程稳定的起到应有的保护效果，提高了成膜质量。
附图说明
[0016]图1是本技术交叠式绑定缝隙结构的纵剖面示意图；
[0017]其中，1、旋转靶材，2、焊合剂层，3、背管，4、旋转靶材内壁凸出结构，5、旋转靶材内壁凹陷结构，6、靶材间隙，7、绑定缝隙。
具体实施方式
[0018]下面结合附图及具体实施例对本技术做进一步详细说明：
[0019]一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，如图1所示，包括背管3，所述背管3通过焊合剂层2与若干旋转靶材1相结合，所述旋转靶材1为氧化物半导体靶材，包含但不限于ITO、IGZO、AZO；所述焊合剂层2的材料采用铟。所述相邻旋转靶材1之间的焊合剂层2上留有绑定缝隙7，以防止旋转靶材1破裂。所述相邻旋转靶材1的一根旋转靶材1内壁边缘凸出形成旋转靶材内壁凸出结构4，对应的另一根旋转靶材1内壁边缘凹陷形成旋转靶材内壁凹陷结构5，所述旋转靶材内壁凸出结构4与旋转靶材内壁凹陷结构5配合搭接在对应的绑定缝隙7处形成台阶状交叠结构，磁控溅射开始时，旋转靶材1受到等离子体轰击，对应的绑定缝隙7被有效遮挡，等离子体不能轰击到焊合剂层2及背管3，避免了传统绑定方式因接缝未被有效遮挡而导致焊合剂被等离子体轰击而从拼接缝隙处逸出至镀膜造成污染，还省去了为保护接缝而使用的高分子保护材料，降低了生产成本。
[0020]所述相邻旋转靶材1之间留有宽度为0.1～0.3mm的靶材间隙6，有效避免了因靶材的膨胀系数与背管的膨胀系数不一致而导致的旋转靶材1破裂。所述旋转靶材内壁凸出结构4的轴向长度为0.5～2mm，径向深度为0.5～2mm；所述旋转靶材内壁凹陷结构5的轴向长度为0.5～2mm，径向深度为0.5～2mm，相互配合保证缝隙结构能全程稳定的起到应有的保护效果。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，其特征在于：包括背管（3），所述背管（3）通过焊合剂层（2）与若干旋转靶材（1）相结合，且相邻旋转靶材（1）之间的焊合剂层（2）上留有绑定缝隙（7），所述相邻旋转靶材（1）在对应的绑定缝隙（7）处交叠相接形成台阶状交叠结构，且相邻旋转靶材（1）之间留有靶材间隙（6）。2.根据权利要求1所述的一种旋转靶材交叠式绑定缝隙结构，其特征在于：所述相邻旋转靶材（1）的一根旋转靶材（1）内壁边缘凸出形成旋转靶材内壁凸出结构（4），对应的另一根旋转靶材（1）内壁边缘凹陷形成旋转靶材内壁凹陷结构（5），所述旋转靶材内壁凸出结构（4）与旋转靶材内...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆树立，李庆丰，王建堂，骆如河，骆胜华，骆胜磊，骆利军，王壮伟，骆胜凯，骆胜喜，
申请(专利权)人：河北恒博新材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：