【技术实现步骤摘要】
功率转换装置
[0001]本专利技术涉及电力电子设备
，尤其涉及一种功率转换装置。
技术介绍
[0002]在使用大功率机架的数据中心里，一般多使用48V直流母线。具有变压器的一级变换器模块可直接将48V电压转换为CPU或GPU等处理器所使用的低电压，此种一级变换器模块具有较高的效率。在一些CPU反面安装或CPU合封等应用场合，一级变换器模块还须同时满足高功率密度及低模块高度(比如小于3mm)的极端要求。然而，受限于变换器模块中的电容的高度，整体变换器模块的高度难以达到低模块高度的要求。
[0003]因此，如何发展一种可改善上述现有技术的功率转换装置，实为目前迫切的需求。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种功率转换装置，其通过将至少部分电容与电源模块分离设置，以降低功率转换装置的高度，同时可提升电源模块的功率密度。
[0005]为达上述目的，本专利技术提供一种功率转换装置，包含第一电容、第二电容及电源模块。第一电容与第二电容串联连接。电源模块电连接于第一电容及第二电容，且包含电路板、吸收电容、原边开关电路、磁性组件及副边电路。吸收电容、原边开关电路、磁性组件及副边电路设置于电路板上，磁性组件的原边绕组及副边绕组分别电连接于原边开关电路及副边电路。第一电容及第二电容的容值皆大于吸收电容的容值。
[0006]为达上述目的，本专利技术另提供一种功率转换装置，包含第一电容、第二电容、原边开关电路及电源模块。第一电容与第二电容串联连接。原边开关电路与第一电容及第二...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率转换装置，包含：串联连接的一第一电容及一第二电容；以及一电源模块，电连接于所述第一电容及所述第二电容，且包含一电路板、一吸收电容、一原边开关电路、一磁性组件及一副边电路，其中所述吸收电容、所述原边开关电路、所述磁性组件及所述副边电路设置于所述电路板上，所述磁性组件的原边绕组及副边绕组分别电连接于所述原边开关电路及所述副边电路，其中所述第一电容及所述第二电容的容值皆大于所述吸收电容的容值。2.如权利要求1所述的功率转换装置，还包含一载板，其中所述第一电容及所述第二电容和所述电源模块均设置于所述载板上，且所述电源模块经由所述载板电连接于所述第一电容及所述第二电容。3.如权利要求1所述的功率转换装置，其中所述原边开关电路包含串联连接的两个开关，所述两个开关之间具有一开关中点，该原边开关电路、该吸收电容以及串联电连接的该第一电容和该第二电容构成一半桥电路。4.如权利要求3所述的功率转换装置，其中所述电源模块具有一第一端、一第二端及一第三端，所述原边开关电路耦接于所述第一端及所述第三端之间且与所述吸收电容并联连接，所述磁性组件的所述原边绕组的两端分别电连接于所述开关中点及所述第二端，所述第一电容的第一端及所述第二电容的第一端电连接于一第一电容中点，所述第一电容中点电连接于所述电源模块的所述第二端，所述第一电容的第二端电连接于所述电源模块的所述第一端，所述第二电容的第二端电连接于所述电源模块的所述第三端。5.如权利要求4所述的功率转换装置，其中所述吸收电容包含串联连接的一第一吸收电容及一第二吸收电容，所述第一吸收电容及所述第二吸收电容之间具有一第二电容中点，所述第二电容中点电连接于所述电源模块的所述第二端。6.如权利要求4或5所述的功率转换装置，其中所述功率转换装置包含多个所述电源模块，所述多个电源模块的多个所述第一端相互电连接，所述多个电源模块的多个所述第二端相互电连接，所述多个电源模块的多个所述第三端相互电连接。7.如权利要求1所述的功率转换装置，其中所述磁性组件的所述副边绕组具有两个第一端及一第二端，所述副边电路包含一第一整流组件及一第二整流组件，所述第一整流组件电连接于其中之一所述第一端及所述功率转换装置的一负输出端之间，所述第二整流组件电连接于另一所述第一端及所述负输出端之间，所述第二端电连接于所述功率转换装置的一正输出端，所述第一整流组件及所述第二整流组件均包含至少一整流组件。8.如权利要求7所述的功率转换装置，其中所述副边电路还包含耦接于所述正输出端与所述负输出端之间的一输出电容。9.如权利要求1所述的功率转换装置，其中所述磁性组件包含：至少一磁芯组件，包含：一第一磁盖及一第二磁盖；以及一第一磁柱、一第二磁柱、一第三磁柱及一第四磁柱，其中所述第一磁柱及所述第三磁柱相对设置于所述第一磁盖及所述第二磁盖之间，所述第二磁柱及所述第四磁柱相对设置于所述第一磁盖及所述第二磁盖之间，所述第一磁柱及所述第三磁柱位于所述第二磁柱及所述第四磁柱之间，所述第二磁柱及所述第四磁柱的磁阻分别比所述第一磁柱及所述第三磁柱的磁阻大，且所述第一磁柱、所述第二磁柱、所述第三磁柱及所述第四磁柱之间共同定
义出一连通区；一原边绕组，经由所述连通区缠绕于所述第一磁柱及所述第三磁柱上，其中所述第一磁柱及所述第三磁柱上的磁通方向相反；以及一第一副边绕组及一第二副边绕组，其中所述第一副边绕组的一第一端穿设于所述第一磁柱及所述第二磁柱之间，所述第一副边绕组的一第二端穿设于所述第三磁柱及所述第四磁柱之间，所述第二副边绕组的一第一端穿设于所述第一磁柱及所述第四磁柱之间，所述第二副边绕组的一第二端穿设于所述第二磁柱及所述第三磁柱之间，且部分所述第一副边绕组及部分所述第二副边绕组位于所述连通区内。10.如权利要求9所述的功率转换装置，其中所述原边绕组以呈现∞字形方式交替地经由所述连通区缠绕于所述第一磁柱及所述第三磁柱上。11.如权利要求9所述的功率转换装置，其中所述第二磁柱的一气隙的长度和所述第四磁柱的一气隙的长度分别大于所述第一磁柱的一气隙的长度与所述第三磁柱的一气隙的长度。12.如权利要求9所述的功率转换装置，其中所述第二磁柱及所述第四磁柱的构成材料为分布气隙的铁粉材料，所述第一磁柱及所述第三磁柱的构成材料为铁氧体材料。13.如权利要求1所述的功率转换装置，其中所述磁性组件包含：至少一磁芯组件，包含：一第一磁盖及一第二磁盖；以及一第一磁柱、一第二磁柱及一第三磁柱，设置于所述第一磁盖及所述第二磁盖之间，其中所述第二磁柱位于所述第一磁柱和所述第三磁柱之间；一原边绕组，缠绕于所述第一磁柱及所述第三磁柱上；以及一第一副边绕组及一第二副边绕组，分别缠绕于所述第一磁柱及所述第三磁柱上。14.如权利要求13所述的功率转换装置，其中所述原边绕组以呈现∞字形方式缠绕于所述第一磁柱及所述第三磁柱上。15.如权利要求13所述的功率转换装置，其中所述第二磁柱的一气隙的长度大于所述第一磁柱的的一气隙的长度与所述第三磁柱的一气隙的长度。16.如权利要求13所述的功率转换装...
【专利技术属性】
技术研发人员：冷阳，杨仲望，刘雁开，李文华，汤伟，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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