一种高性能平面变压器磁体及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种高性能平面变压器磁体及其制备方法。本发明专利技术的磁体材料采用纳米晶材料，其在有较高的饱和磁化强度的同时相对合金材料损耗低且可以通过一体成型的方式控制材料的继续晶化温度，继续晶化能够进一步提升磁体的磁导率，并通过热导热更高的金属氧化物使其在较低的温度下一体成型后退火形成磁体，最终达到使用要求所以对平面变压器材料。终达到使用要求所以对平面变压器材料。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能平面变压器磁体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及平面变压器
，尤其涉及一种高性能平面变压器磁体及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着通讯系统性能的增强，供电电源母线电压变得越来越高以便于减小母线电路的损耗，而微处理的工作电压一般较小有利于提高处理器的速度，常规的降压模块无法满足高变压比的需求，平面变压器因此得到了大量的应用。而常规的平面变压器采用磁芯组装的方式制备成变压器，其工作频率普遍在500kHz以上甚至更高，因此对周围电路有较大的噪声污染，采用常规的MnZn铁氧体材料其烧结温度过高且材料的饱和磁化强度较低无法满足无气隙器件材料的要求，且MnZn铁氧体属于陶瓷材料，其导热系数小不利于在大功率下的散热；采用常规的合金材料的饱和磁化强度高但其磁损较高无法满足器件对损耗的要求且通过树脂含浸的方式提升强度的同时降低了器件的导热性。
[0003]因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是：提供一种高性能平面变压器磁体及其制备方法，磁体材料成分的设计使用磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能平面变压器磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将磁体材料与包覆剂球磨后干燥，获得包覆粉末，其中，包覆粉末的粒径小于100μm，所述磁体材料为纳米晶材料；S2：将包覆粉末与软磁粉末混合成混合粉末，其中软磁粉末的粒径小于10μm；S3：将混合粉末加入磷酸盐、水混合后并干燥形成一次颗粒；S4：将一次颗粒与硅树脂、PVA混合并干燥形成二次颗粒；S5：将二次颗粒通过100
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1500MPa的压力下压制成磁体胚体；S6：将磁体胚体在280～410℃的惰性气体气氛下退火，形成磁体。2.根据权利要求1所述的一种高性能平面变压器磁体的制备方法，其特征在于，所述磁体材料的粒度为：1～25um；所述纳米晶材料的成分为：71～87.5wt％Fe、4～8wt％Si、4～10wt％Co、2～5wt％P、2～5wt％B、0.5～1.0wt％Nb；所述包覆剂为纳米氧化物、硅烷改性聚合物，所述纳米氧化的添加量为磁体材料的0.3％～1.0wt％，所述硅烷改性聚合物的添加量为磁体材料的0.3～0.8wt％。3.根据权利要求2所述的一种高性能平面变压器磁体的制备方法，其特征在于，所述纳米氧化物的粒径小于100nm，所述纳米氧化物为氧化铝、二氧化钛、氧化镁中的至少一种，所述硅烷改性聚合物为α
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硅烷改性聚合物。4.根据权利要求1所述的一种高性能平面变压器磁体的制备方法，其特征在于，所述软磁合金的添加量...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟超雄，胡军，张耀，
申请(专利权)人：深圳市百斯特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：