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本发明公开一种高性能平面变压器磁体及其制备方法。本发明的磁体材料采用纳米晶材料，其在有较高的饱和磁化强度的同时相对合金材料损耗低且可以通过一体成型的方式控制材料的继续晶化温度，继续晶化能够进一步提升磁体的磁导率，并通过热导热更高的金属氧化物...
该专利属于深圳市百斯特电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市百斯特电子有限公司授权不得商用。

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