一种显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一子栅极、第二子栅极和第一有源层，显示基板包括：第一子栅极，位于衬底基板的一侧；第一绝缘层，位于第一子栅极的背离衬底基板的一侧；第一有源层，位于第一绝缘层的背离衬底基板的一侧，第一有源层的材质包括氧化物半导体；第二绝缘层，位于第一有源层的背离衬底基板的一侧；第二子栅极，位于第二绝缘层的背离衬底基板的一侧，第二子栅极在衬底基板上的正投影包含第一子栅极在衬底基板上的正投影。本公开的技术方案，可以提高第一薄膜晶体管器件特性的稳定性，有利于提高产品的分辨率和开口率。品的分辨率和开口率。品的分辨率和开口率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]低温多晶硅(LTPS)和氧化物(Oxide)半导体在显示产品领域备受关注。LTPS具有迁移率高、充电快的优势，Oxide具有低漏电流、低功耗的优势。将LTPS和Oxide两种薄膜晶体管结合的显示产品，即LTPO显示产品，使得用户体验大大提升。但是LTPS和Oxide的制备工艺存在较大区别，存在工艺兼容性难的问题，难以保证工艺稳定性。另外，Oxide薄膜晶体管尺寸较大，在像素电路中占据面积较大，不利于显示产品分辨率(PPI)和开口率的提升。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
[0004]作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一子栅极、第二子栅极和第一有源层，显示基板包括：
[0005]第一子栅极，位于衬底基板的一侧；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一子栅极、第二子栅极和第一有源层，所述显示基板包括：所述第一子栅极，位于衬底基板的一侧；第一绝缘层，位于所述第一子栅极的背离所述衬底基板的一侧；所述第一有源层，位于所述第一绝缘层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一有源层的材质包括氧化物半导体；第二绝缘层，位于所述第一有源层的背离所述衬底基板的一侧；所述第二子栅极，位于所述第二绝缘层的背离所述衬底基板的一侧，所述第二子栅极在所述衬底基板上的正投影包含所述第一子栅极在所述衬底基板上的正投影。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二子栅极在所述第一有源层上对应的沟道包括位于中部的有效沟道以及位于所述有效沟道两侧的非有效沟道，所述有效沟道在第一方向上的尺寸大于所述第一子栅极在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向为所述有效沟道和所述非有效沟道的排列方向。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影包含所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第二子栅极在所述衬底基板上的正投影重合。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二子栅极的背离所述衬底基板的一侧，所述第三绝缘层的材质包括氮化硅。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材质包括多晶硅半导体。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，刘威，宁策，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：