阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板；该阵列基板包括叠层设置的衬底、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层，第二绝缘层的水平蚀刻速率小于第一绝缘层和第三绝缘层的水平蚀刻速率；阵列基板包括设有第一类过孔的第一区域和设有第二类过孔的第二区域，第一类过孔贯穿第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层，第二类过孔贯穿第三绝缘层；本申请通过在第一次蚀刻工艺中对第一类过孔进行初蚀刻，以及在第二次蚀刻工艺同时对第一类过孔和第二类过孔进行蚀刻，消除了水平蚀刻速率低的第二绝缘层在第一类过孔内形成底切结构，同时第二类过孔仅经过一次蚀刻，避免了第二类过孔的过蚀刻的技术问题。了第二类过孔的过蚀刻的技术问题。了第二类过孔的过蚀刻的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。

技术介绍

[0002]在现有薄膜晶体管的结构中，其通常设置有多层绝缘材料以使不同层的金属材料绝缘设置。由于不同金属层之间存在换线的情况，因此需要对多层绝缘材料进行蚀刻以形成换线孔。由于不同区域的换线孔存在深孔和浅孔，以及为了减少蚀刻工艺，通常对深孔和浅孔同时蚀刻，而由于不同的绝缘材料的蚀刻速率不同，因此导致换线孔或电连接的过孔出现底切结构或换线孔过蚀刻的技术问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板，以解决当前阵列基板中换线孔或电连接的过孔出现底切结构或换线孔过蚀刻的技术问题。
[0004]为解决上述方案，本申请提供的技术方案如下：本申请提出了一种阵列基板，其包括：衬底；第一绝缘层，设置于所述衬底上；第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层的水平蚀刻速率大于所述第二绝缘层的水平蚀刻速率；第三绝缘层，设置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的水平蚀刻速率大于所述第二绝缘层的水平蚀刻速率；其中，所述阵列基板设有第一区域和第二区域，且所述阵列基板包括第一类过孔和第二类过孔，所述第一类过孔设置在所述第一区域，所述第二类过孔设置在所述第二区域，所述第一类过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层，所述第二类过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第一类过孔的孔深大于所述第二类过孔的孔深，所述第一类过孔的孔径大于所述第二类过孔的孔径。
[0005]在本申请的阵列基板中，所述第一类过孔包括第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及第三绝缘层；所述第二类过孔包括第二过孔和第三过孔，所述第三过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层；其中，所述第一过孔的孔深大于所述第二过孔的孔深，所述第二过孔的孔深大于所述第三过孔的孔深，所述第一过孔的孔径大于所述第三过孔的孔径，所述第三过孔的孔径大于所述第二过孔的孔径。
[0006]在本申请的阵列基板中，所述第二过孔包括在所述第三绝缘层上的第一孔壁和在所述第二绝缘层上的第二孔壁，所述第一孔壁和所述第二孔壁连续设置；或者，
所述第二过孔在所述第三绝缘层上的孔壁以及在所述第二绝缘层上的孔壁非连续设置，所述第二过孔在所述第三绝缘层上的孔径大于在所述第二绝缘层上的孔径。
[0007]在本申请的阵列基板中，所述第一过孔在所述第三绝缘层上的孔壁、在所述第二绝缘层上的孔壁以及在所述第一绝缘层上的孔壁连续设置；其中，所述第一过孔中孔壁的倾斜角度小于所述第二过孔中孔壁的倾斜角度。
[0008]在本申请的阵列基板中，所述第一过孔在所述第二绝缘层上的孔壁以及在所述第一绝缘层上的孔壁连续设置，所述第一过孔在所述第三绝缘层上的孔壁以及在所述第二绝缘层上的孔壁非连续设置；其中，所述第一过孔在所述第三绝缘层上的孔径大于在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上的孔径。
[0009]在本申请的阵列基板中，所述阵列基板包括设置于所述衬底上的栅极层、设置于所述栅极层上的栅绝缘层、设置于所述栅绝缘层上的源漏极层、设置于所述源漏极层上的第一钝化层、设置于所述第一钝化层上的公共电极层、设置于所述公共电极层上的第二钝化层、以及设置于所述第二钝化层上的像素电极层；其中，所述第一过孔贯穿所述第二钝化层、所述第一钝化层以及所述栅绝缘层，用于将所述公共电极层和所述栅极层电连接，所述第二过孔贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层，用于将所述源漏极层和所述像素电极层电连接，所述第三过孔贯穿所述第二钝化层，用于将部分所述公共电极层和部分所述像素电极层电连接。
[0010]本申请还提出了一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及光阻层，且其中，所述第一绝缘层的水平蚀刻速率大于所述第二绝缘层的水平蚀刻速率，所述第三绝缘层的水平蚀刻速率大于所述第二绝缘层的水平蚀刻速率；对所述光阻层进行第一次图案化处理形成第一光阻图案，并通过所述第一光阻图案对所述阵列基板中第一区域的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层进行第一次蚀刻处理；对所述第一光阻图案进行第二次图案化处理形成第二光阻图案，并通过所述第二光阻图案对所述阵列基板中所述第一区域的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层进行第二次蚀刻处理，以形成第一类过孔，以及对所述阵列基板中第二区域的所述第三绝缘层和/或所述第二绝缘层进行第一次蚀刻处理，以形成第二类过孔；其中，所述第一类过孔的孔深大于所述第二类过孔的孔深，所述第一类过孔的孔径大于所述第二类过孔的孔径。
[0011]在本申请的阵列基板的制作方法中，所述对所述光阻层进行第一次图案化处理形成第一光阻图案，并通过所述第一光阻图案对所述阵列基板中第一区域的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层进行第一次蚀刻处理的步骤包括：对所述光阻层进行第一次图案化处理形成第一光阻图案，所述第一光阻图案包括第一光阻部、第二光阻部、第三光阻部以及第四光阻部，所述第一光阻部的厚度、所述第二光阻部以及第三光阻部的厚度相同，所述第一光阻部、第二光阻部以及所述第三光阻部的厚度小于所述第四光阻部的厚度，所述第一光阻部包括第一通孔，所述第一通孔位于所述第一区域；
对经所述第一通孔暴露的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层进行第一次蚀刻处理。
[0012]在本申请的阵列基板的制作方法中，所述对所述第一光阻图案层进行第二次图案化处理形成第二光阻图案，并通过所述第二光阻图案对所述阵列基板中所述第一区域的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层进行第二次蚀刻处理，以及对所述阵列基板中第二区域的所述第三绝缘层进行第一次蚀刻处理的步骤包括：利用灰化工艺对所述第一光阻图案进行处理，以去除所述第一光阻部、所述第二光阻部以及所述第三光阻部；对与所述第一光阻部对应的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层进行第二次蚀刻处理以形成第一过孔，以及对与所述第二光阻部对应的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层进行第一次蚀刻处理以形成第二过孔，以及对与所述第三光阻部对应的所述第三绝缘层进行第一次蚀刻处理，以形成第三过孔；其中，所述第一过孔的孔深大于所述第二过孔的孔深，所述第二过孔的孔深大于所述第三过孔的孔深，所述第一过孔的孔径大于所述第三过孔的孔径，所述第三过孔的孔径大于所述第二过孔的孔径。
[0013]本申请还提出了一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。
[0014]有益效果：本申请通过在第一次蚀刻工艺中对第一类过孔进行初蚀刻，以及在第二次蚀刻工艺同时对第一类过孔和第二类过孔进行蚀刻，消除了蚀刻速率低的第二绝缘层在第一类过孔内形成底切结构，同时第二类过孔仅经过一次蚀刻，避免了第二类过孔的过蚀刻的技术问题。
附图说明
[0015]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一绝缘层，设置于所述衬底上；第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层的水平蚀刻速率大于所述第二绝缘层的水平蚀刻速率；第三绝缘层，设置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的水平蚀刻速率大于所述第二绝缘层的水平蚀刻速率；其中，所述阵列基板设有第一区域和第二区域，且所述阵列基板包括第一类过孔和第二类过孔，所述第一类过孔设置在所述第一区域，所述第二类过孔设置在所述第二区域，所述第一类过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层，所述第二类过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第一类过孔的孔深大于所述第二类过孔的孔深，所述第一类过孔的孔径大于所述第二类过孔的孔径。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类过孔包括第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及第三绝缘层；所述第二类过孔包括第二过孔和第三过孔，所述第三过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层；其中，所述第一过孔的孔深大于所述第二过孔的孔深，所述第二过孔的孔深大于所述第三过孔的孔深，所述第一过孔的孔径大于所述第三过孔的孔径，所述第三过孔的孔径大于所述第二过孔的孔径。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔包括在所述第三绝缘层上的第一孔壁和在所述第二绝缘层上的第二孔壁，所述第一孔壁和所述第二孔壁连续设置；或者，所述第二过孔在所述第三绝缘层上的孔壁以及在所述第二绝缘层上的孔壁非连续设置，所述第二过孔在所述第三绝缘层上的孔径大于在所述第二绝缘层上的孔径。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述第三绝缘层上的孔壁、在所述第二绝缘层上的孔壁以及在所述第一绝缘层上的孔壁连续设置；其中，所述第一过孔中孔壁的倾斜角度小于所述第二过孔中孔壁的倾斜角度。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述第二绝缘层上的孔壁以及在所述第一绝缘层上的孔壁连续设置，所述第一过孔在所述第三绝缘层上的孔壁以及在所述第二绝缘层上的孔壁非连续设置；其中，所述第一过孔在所述第三绝缘层上的孔径大于在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上的孔径。6.根据权利要求2至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置于所述衬底上的栅极层、设置于所述栅极层上的栅绝缘层、设置于所述栅绝缘层上的源漏极层、设置于所述源漏极层上的第一钝化层、设置于所述第一钝化层上的公共电极层、设置于所述公共电极层上的第二钝化层、以及设置于所述第二钝化层上的像素电极层；其中，所述第一过孔贯穿所述第二钝化层、所述第一钝化层以及所述栅绝缘层，用于将所述公共电极层和所述栅极层电连接，所述第二过孔贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层，用于将所述源漏极层和所述像素电极层电连接，所述第三过孔贯穿所述第二钝化层，用
于将所述公共电极层和部分所述像...

【专利技术属性】
技术研发人员：王航，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：