一种结晶器窄边足辊机构及其开口控制方法技术

本发明专利技术属于连铸技术领域，涉及一种结晶器窄边足辊机构及其开口控制方法。该结晶器窄边足辊机构包括与足辊支架外侧铰接相连的用于支撑和驱动两侧的所述足辊支架的往复位移机构；将所述结晶器窄边足辊安装所述第一往复位移机构和第二往复位移机构上，得到具有初始开口的结晶器窄边足辊，然后通过所述第一往复位移机构和第二往复位移机构驱动所述足辊支架以带动所述足辊本体向靠近所述结晶器的中心线的一侧进行指定频率及幅度的拍打。本发明专利技术改变了现有技术中结晶器足辊与铸坯窄边的“硬接触”方式，降低结晶器足辊破坏刚刚凝固铸坯表面的可能性，减少漏钢事故的发生，采用高频小幅拍打法，能够主动干预并减小铸坯窄边的振痕。痕。痕。

【技术实现步骤摘要】
一种结晶器窄边足辊机构及其开口控制方法


[0001]本专利技术属于连铸
，涉及一种结晶器窄边足辊机构及其开口控制方法。

技术介绍

[0002]目前，公知的结晶器窄边足辊安装在结晶器窄边铜板之下，所述结晶器窄边足辊包括沿结晶器1中心线呈对称布置的两个足辊支架5和若干安装在足辊支架上的足辊本体4，所述足辊支架通过长螺栓紧固在结晶器1的支架上，并在足辊支架5远离所述足辊本体4的一侧设有开口调整螺栓以调整所述结晶器窄边足辊的开口。当结晶器窄边足辊安装在结晶器支架上，窄边足辊开口度和锥度调好以后，足辊和结晶器窄边铜板的位置已经相对固定，不能进行调整和位移。
[0003]生产中，结晶器出口处的铸坯外壳刚刚凝固，处于薄弱阶段，现有的结晶器窄边足辊与铸坯窄边为硬接触，容易发生漏钢事故，造成重大损失。并且生产中，由于结晶器振动设定不同，铸坯窄边的振痕深浅也不一样，但是结晶器窄边足辊和结晶器窄边铜板的位置已经相对固定，所以无法采用主动手段消除铸坯窄边的振痕以改善铸坯窄边振痕状况。其次在生产大断面连铸坯时，窄边足辊往往对数较多，所以足辊的整体长度很长，依靠长螺栓固定窄边足辊机构，强度和刚度往往不够，经常发生长螺栓断裂事故，导致生产不得不中断。漏钢事故、长螺栓断裂事故，不仅造成增加设备的维护成本，还增加在线设备的检修时间，影响整条生产线生产效率的提高。铸坯窄边的振痕过深，也对铸坯表面质量有影响。
[0004]因此，目前需要一种新的结晶器窄边足辊机构及其开口控制方法，以改变窄边足辊与铸坯窄边的硬接触方式，主动改善乃至消除铸坯窄边的振痕状况。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种结晶器窄边足辊机构及其开口控制方法，以解决现有技术中结晶器窄边足辊与铸坯窄边的硬接触方式易破坏铸坯窄边表面发生漏钢事故的问题。
[0006]为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一方面，本专利技术提供一种结晶器窄边足辊机构，包括结晶器窄边足辊，所述结晶器窄边足辊包括沿结晶器的中心线呈对称布置的两个足辊支架和若干安装在足辊支架上的足辊本体，该结晶器窄边足辊机构还包括与足辊支架外侧铰接相连的用于支撑和驱动两侧的所述足辊支架做往复运动的往复位移机构，所述往复位移机构包括分别连接在所述足辊支架两端的第一往复位移机构和第二往复位移机构。
[0008]进一步，所述往复位移机构为伺服油缸，所述伺服油缸上设有位置传感器。
[0009]另一方面，本专利技术还提供一种结晶器窄边足辊机构的开口控制方法，包括以下步骤：
[0010]a.采用如上述的一种结晶器窄边足辊机构；
[0011]b.将所述结晶器窄边足辊安装所述第一往复位移机构和第二往复位移机构上，得
到具有初始开口的结晶器窄边足辊，然后通过所述第一往复位移机构和第二往复位移机构驱动所述足辊支架以带动所述足辊本体向靠近所述结晶器的中心线的一侧进行指定频率及幅度的拍打。
[0012]进一步，所述步骤b中，所述结晶器窄边足辊中靠近所述结晶器(1)的足辊上口的初始开口为L1，远离所述结晶器(1)的足辊下口的初始开口为L2；
[0013]所述足辊上口的拍打幅度为Δt1/2，所述足辊下口的拍打幅度为Δt2/2，且L1
‑
Δt1＝H1，L2
‑
Δt2＝H2，所述H1和H2分别对应所述结晶器窄边足辊生产控制模型最终设定的足辊上口和足辊下口的开度。
[0014]进一步，所述指定频率为50次/min～150次/min。
[0015]进一步，所述指定幅度为5mm～10mm。
[0016]进一步，所述指定频率为100次/min，所述指定行程为5mm。
[0017]进一步，所述第一往复位移机构和第二往复位移机构驱动均为独立控制，根据生产不同钢种和铸坯厚度，选择不同的控制模式。
[0018]进一步，所述控制模式包括：
[0019]1)两个足辊支架上的所述第一往复位移机构和第二往复位移机构同时作往复运动；
[0020]2)两个足辊支架上的所述第一往复位移机构或第二往复位移机构作往复运动。
[0021]本专利技术的有益效果在于：
[0022]1、本专利技术所公开的一种用于结晶器窄边的结晶器足辊及其开口控制方法，在现有技术的理论中，所述结晶器窄边足辊的足辊上口的开口为H1，所述结晶器窄边足辊的足辊下口的开口为H2，而本申请中采用高频小幅拍打法控制开口，所以通过将所述结晶器窄边足辊安装所述第一往复位移机构和第二往复位移机构上，使得所述结晶器窄边足辊的足辊上口的初始开口为L1，拍打幅度为Δt1/2，L1‑
Δt1＝H1，所述结晶器窄边足辊的足辊下口的初始开口为L2，拍打幅度为Δt2/2，L2‑
Δt2＝H2，通过所述结晶器足辊高频小幅拍打刚刚凝固的铸坯，使得结晶器足辊与铸坯窄边为“软接触”，改变了现有技术中结晶器足辊与铸坯窄边的“硬接触”方式，降低结晶器足辊破坏刚刚凝固铸坯表面的可能性，减少漏钢事故的发生。
[0023]2、本专利技术采用高频小幅拍打法，可以根据生产状况调整不同的Δt1和Δt2，能够主动干预并减小铸坯窄边的振痕，提高铸坯的表面质量，并且本专利技术中的结晶器足辊为独立机构，通过往复位移机构进行支撑，单侧的结晶器足辊由2个伺服油缸进行支撑，而并非依靠结晶器连接长螺栓进行固定，从而保障了结晶器足辊的强度和刚度以及连接稳定性，提升使用寿命。
[0024]本专利技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
[0025]为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作优
选的详细描述，其中：
[0026]图1为本专利技术中的一种结晶器窄边足辊机构的结构示意图；
[0027]图2为现有技术中的一种结晶器窄边足辊机构的结构示意图。
[0028]附图标记：结晶器1、开口调整螺栓2、连接螺栓3、足辊本体4、足辊支架5、第一往复位移机构6、第二往复位移机构7。
具体实施方式
[0029]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利技术的限制；为了更好地说明本专利技术的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结晶器窄边足辊机构，包括结晶器窄边足辊，所述结晶器窄边足辊包括沿结晶器(1)的中心线呈对称布置的两个足辊支架(5)和若干安装在足辊支架(5)上的足辊本体(4)，其特征在于：该结晶器窄边足辊机构还包括与足辊支架(5)外侧铰接相连的用于支撑和驱动两侧的所述足辊支架(5)做往复运动的往复位移机构，所述往复位移机构包括分别连接在所述足辊支架(5)两端的第一往复位移机构(6)和第二往复位移机构(7)。2.根据权利要求1所述的结晶器窄边足辊机构，其特征在于：所述往复位移机构为伺服油缸，所述伺服油缸上设有位置传感器。3.一种结晶器窄边足辊机构的开口控制方法，其特征在于，包括以下步骤：a.采用如权利要求1
‑
2中任一项中所述的一种结晶器窄边足辊机构；b.将所述结晶器窄边足辊安装所述第一往复位移机构(6)和第二往复位移机构(7)上，得到具有初始开口的结晶器窄边足辊，然后通过所述第一往复位移机构(6)和第二往复位移机构(7)驱动所述足辊支架(5)以带动所述足辊本体(4)向靠近所述结晶器(1)的中心线的一侧进行指定频率及幅度的拍打。4.根据权利要求3所述的结晶器窄边足辊机构的开口控制方法，其特征在于：所述步骤b中，所述结晶器窄边足辊中靠近所述结晶器(1)的足辊上口的初始开...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勋亚，薛伟锋，秦文彬，陈运贵，
申请(专利权)人：中冶赛迪工程技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：