聚酰亚胺薄膜和层叠体制造技术

一种聚酰亚胺薄膜，其为由聚酰亚胺树脂构成的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜的层叠于厚度520μm的硅基板上时的曲率半径R大于20m。厚度520μm的硅基板上时的曲率半径R大于20m。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚酰亚胺薄膜和层叠体


[0001]本专利技术涉及聚酰亚胺薄膜和层叠体。

技术介绍

[0002]电气和电子部件等领域中，出于器件的轻量化、柔性化的目的，期望将玻璃基板等替换为塑料基板。
[0003]特别是电子电路基板经过用于制成多晶硅膜、氧化铟锡(ITO)膜等金属氧化膜、半导体膜的溅射工序、蚀刻工序等各种工序，在基板上形成目标电子电路。因此，对于塑料基板要求耐热性。
[0004]推进了适合作为这种塑料基板的聚酰亚胺薄膜的研究，关于使用聚酰亚胺薄膜作为电子电路基板的层叠体，也进行了开发。
[0005]例如，专利文献1中，出于得到能应对基板翘曲、点亮试验、白浊试验、热循环试验的柔性显示器的目的，公开了一种柔性显示器，其含有：包含将氨基苯基氨基苯甲酸酯作为构成成分的聚酰亚胺的聚酰亚胺薄膜层、和形成于聚酰亚胺薄膜层上的低温多晶硅TFT层。
[0006]另外，专利文献2中，出于得到翘曲被抑制的聚酰亚胺层叠体的目的，公开了一种聚酰亚胺层叠体的制造方法，其具备边输送长条状的支撑体边在支撑体上形成聚酰亚胺层的工序，使聚酰亚胺层与支撑体的拉伸模量、支撑体的厚度、支撑体的断裂韧性值成为特定的值。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2019
‑
070811号公报
[0010]专利文献2：日本特开2019
‑
182974号公报

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的问题
[0012]在聚酰亚胺薄膜上形成目标电子电路的工艺中，为了确保聚酰亚胺薄膜的平坦性，有使聚酰亚胺薄膜密合在玻璃板等硬的支撑体上的加工方法。此时，玻璃基板如果发生翘曲，则制造电子电路的工艺中产生不良情况。另外，形成有电子电路的聚酰亚胺薄膜需要在该工艺后从支撑体剥离的工序，但在剥离后聚酰亚胺薄膜发生卷曲时，之后的制造图像显示装置的工艺中产生不良情况。
[0013]前述专利文献1和2中，关于翘曲，也进行了研究，但专利文献1的方法中，聚酰亚胺的分子结构受到限定，前述专利文献2的方法中，由于输送长条且卷状的支撑体，因此，无法使用玻璃基板等。
[0014]因此，特别是寻求制造工艺中翘曲、卷曲少的聚酰亚胺薄膜、和使用了翘曲少的聚酰亚胺薄膜的层叠体。
[0015]本专利技术是鉴于这种情况而作出的，提供：工艺中翘曲、卷曲少的聚酰亚胺薄膜和翘
曲少的层叠体。
[0016]用于解决问题的方案
[0017]本专利技术人等发现：通过使用曲率半径为特定的值的聚酰亚胺，从而可以解决上述课题。本专利技术是基于这种见解而完成的。
[0018]即，本专利技术涉及以下。
[0019]<1>一种聚酰亚胺薄膜，其为由聚酰亚胺树脂构成的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜的下述式(1)所示的层叠于厚度520μm的硅基板上时的曲率半径R大于20m。
[0020][0021](式(1)中，C(Pa
·
m2)表示用下述式(2)求出的常数，S(Pa)表示聚酰亚胺薄膜的应力，t(m)表示聚酰亚胺薄膜的厚度，)
[0022][0023](式(2)中，E表示作为基板的硅(100)的杨氏模量(Pa)，ν表示作为基板的硅(100)的泊松比，h表示硅基板的厚度(m)。)
[0024]<2>一种层叠体，其在玻璃基板或硅基板上层叠有上述<1>所述的聚酰亚胺薄膜。
[0025]<3>根据上述<2>所述的层叠体，其中，在前述聚酰亚胺薄膜上进一步层叠有金属膜或半导体膜。
[0026]<4>根据上述<3>所述的层叠体，其中，前述半导体膜为选自由氧化铟锡、无定形硅、氧化铟镓锌和低温多晶硅组成的组中的至少1者。
[0027]<5>根据上述<2>～<4>中任一项所述的层叠体，其中，在前述玻璃基板或硅基板与前述聚酰亚胺薄膜之间具有牺牲层。
[0028]<6>一种聚酰亚胺薄膜的制造方法，其具备：以层叠于厚度520μm的硅基板而得到的聚酰亚胺薄膜的应力S(Pa)和该聚酰亚胺薄膜的厚度t(m)满足下述式(3)的方式进行调整的工序。
[0029][0030](式(3)中，C(Pa
·
m2)表示用下述式(2)求出的常数。)
[0031][0032](式(2)中，E表示作为基板的硅(100)的杨氏模量(Pa)，ν表示作为基板的硅(100)的泊松比，h表示硅基板的厚度(m)。)
[0033]<7>一种层叠体的制造方法，其包括：将上述<1>所述的聚酰亚胺薄膜或通过上述<6>所述的制造方法而得到的聚酰亚胺薄膜层叠于玻璃基板或硅基板上的工序。
[0034]<8>一种导电性薄膜，其是从上述<2>～<5>中任一项所述的层叠体或通过上述<7>
所述的制造方法而得到的层叠体剥离去除玻璃基板或硅基板而得到的。
[0035]专利技术的效果
[0036]根据本专利技术，可以提供：工艺中翘曲、卷曲少的聚酰亚胺薄膜、和翘曲少的层叠体。
具体实施方式
[0037]以下，对本专利技术的一实施方式进行说明。本专利技术的内容不限定于以下说明的实施方式。
[0038]需要说明的是，本说明书中，涉及数值的记载的“A～B”的术语是指，“A以上且B以下”(A<B的情况)或“A以下且B以上”(A>B的情况)。另外，本专利技术中，优选的方式的组合为更优选的方式。
[0039][聚酰亚胺薄膜][0040]本专利技术的聚酰亚胺薄膜为由聚酰亚胺树脂构成的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜的下述式(1)所示的层叠于厚度520μm的硅基板上时的曲率半径R大于20m。
[0041][0042](式(1)中，C(Pa
·
m2)表示用下述式(2)求出的常数，S(Pa)表示聚酰亚胺薄膜的应力，t(m)表示聚酰亚胺薄膜的厚度。)
[0043][0044](式(2)中，E表示作为基板的硅(100)的杨氏模量(Pa)，ν表示作为基板的硅(100)的泊松比，h表示硅基板的厚度(m)。)
[0045]以往，关于聚酰亚胺薄膜的翘曲、卷曲、以及层叠聚酰亚胺薄膜而得到的层叠体的翘曲，大多根据构成聚酰亚胺薄膜的聚酰亚胺树脂的线热膨胀系数(CTE)来判断，进行了CTE较小的树脂的设计。然而，产生了实际的翘曲、卷曲的现象与CTE的值不一致的情况。另外，特别是要求抑制从支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚酰亚胺薄膜，其为由聚酰亚胺树脂构成的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜的下述式(1)所示的层叠于厚度520μm的硅基板上时的曲率半径R大于20m，式(1)中，C(Pa
·
m2)表示用下述式(2)求出的常数，S(Pa)表示聚酰亚胺薄膜的应力，t(m)表示聚酰亚胺薄膜的厚度，式(2)中，E表示作为基板的硅(100)的杨氏模量(Pa)，ν表示作为基板的硅(100)的泊松比，h表示硅基板的厚度(m)。2.一种层叠体，其在玻璃基板或硅基板上层叠有权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜。3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，在所述聚酰亚胺薄膜上进一步层叠有金属膜或半导体膜。4.根据权利要求3所述的层叠体，其中，所述半导体膜为选自由氧化铟锡、无定形硅、氧化铟镓锌和低温多晶硅组成的组中的至少1者。5.根据权利要求2～4中任一项所述的层...

【专利技术属性】
技术研发人员：村谷孝博，星野舜，大东葵，三田寺淳，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：