一种LED芯片的反射层制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片的反射层制作方法，在制作反射层时，先使用光刻胶进行匀胶、曝光和显影，其中，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留负性光刻胶的溶剂含量，曝光显影的温度为116

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的反射层制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，特别涉及一种LED芯片的反射层制作方法。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)，是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。其中，Ag层(又称RFL层)作为氮化镓基发光二极管的重要组成部分，在倒装银镜产品中发挥的作用至关重要。在LED倒装芯片制造工艺中，需要对LED芯片蒸镀反射层进行光源反射，反射层一般分为DBR(分布式布拉格反射)和银镜反射。银镜作为反射层材料具有可过驱使用、反射光、作为导体使用等多种用处。在LED芯片的电极上蒸镀银，不仅可以增加反射，更因为银本身导电性能良好，可更好的对电流进行导通。
[0003]目前LED倒装银镜芯片中结构设计为Ag膜层附着于ITO膜层(发光层)、Finger电极膜层上，但目前存在Ag膜层面积较小导致反射光源不足的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种LED芯片的反射层制作方法，能够增大反射层的膜层面积，从而提高LED发光亮度。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种LED芯片的反射层制作方法，包括步骤：
[0007]在芯片的电流扩展层上涂敷负性光刻胶，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量；
[0008]对烘烤后的负性光刻胶，使用116
‑
120℃的温度进行曝光显影；
[0009]在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层。
[0010]本专利技术的有益效果在于：在制作反射层时，先使用光刻胶进行匀胶、曝光和显影，其中，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留负性光刻胶的溶剂含量，曝光显影的温度为116
‑
120℃；而现有技术中，通常曝光显影温度为122℃，相较于现有技术，本专利技术在烘烤时保留光刻胶的溶剂含量，即降低匀胶烘烤温度，能够增加光刻胶的倒角角度，增大后续蒸镀反射层的面积；并且，降低曝光显影温度能够使光刻胶分子间的交联反应减少，交联反应会形成难溶于显影液的结构，此时曝光显影后的负性光刻胶减少、显影区域增加，从而增加后续反射层的蒸镀尺寸。因此，通过降低匀胶后及显影前烘烤温度，能够增大显影后的倒角大小，从而增大蒸镀后反射层的面积，提高LED发光亮度。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例的一种LED芯片的反射层制作方法的流程图；
[0012]图2为本专利技术实施例的负胶倒角电镜图；
[0013]图3为本专利技术实施例的负胶倒角示意图；
[0014]图4为现有技术的负胶倒角示意图；
[0015]图5为现有技术的银镜示意图；
[0016]图6为本专利技术实施例的银镜示意图。
具体实施方式
[0017]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0018]请参照图1，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的反射层制作方法，包括步骤：
[0019]在芯片的电流扩展层上涂敷负性光刻胶，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量；
[0020]对烘烤后的负性光刻胶，使用116
‑
120℃的温度进行曝光显影；
[0021]在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层。
[0022]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：在制作反射层时，先使用光刻胶进行匀胶、曝光和显影，其中，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留负性光刻胶的溶剂含量，曝光显影的温度为116
‑
120℃；而现有技术中，通常曝光显影温度为122℃，相较于现有技术，本专利技术在烘烤时保留光刻胶的溶剂含量，即降低匀胶烘烤温度，能够增加光刻胶的倒角角度，增大后续蒸镀反射层的面积；并且，降低曝光显影温度能够使光刻胶分子间的交联反应减少，交联反应会形成难溶于显影液的结构，此时曝光显影后的负性光刻胶减少、显影区域增加，从而增加后续反射层的蒸镀尺寸。因此，通过降低匀胶后及显影前烘烤温度，能够增大显影后的倒角大小，从而增大蒸镀后反射层的面积，提高LED发光亮度。
[0023]进一步地，所述对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量包括：
[0024]使用95
‑
105℃的温度对负性光刻胶进行匀胶烘烤。
[0025]由上述描述可知，匀胶的温度为95
‑
105℃，而现有技术中，通常匀胶温度为110℃，相较于现有技术，降低匀胶温度能够使得内部底层光刻胶凹陷变深，增加光刻胶的倒角角度，增大后续蒸镀反射层的面积。
[0026]进一步地，所述使用95
‑
105℃的温度对负性光刻胶进行匀胶烘烤包括：
[0027]在负性光刻胶匀胶后使用95
‑
105℃的温度进行光刻胶的烘烤，并保留光刻胶中5％的溶剂。
[0028]由上述描述可知，降低匀胶后烘烤温度，使光刻胶旋转涂布后光刻胶保留5％的溶剂，能够使其曝光后形貌不同，使得内部底层光刻胶凹陷变深，倒角变大。
[0029]进一步地，对烘烤后的负性光刻胶，使用116
‑
120℃的温度进行曝光显影还包括：
[0030]设置曝光显影的时间为80
‑
85s。
[0031]由上述描述可知，通过降低曝光显影的时间和温度，分子间交联反应越少，不含有光刻胶部分越多，即显影区域增加，从而增大反射层蒸镀后的尺寸。
[0032]进一步地，所述曝光显影后的负性光刻胶的斜面的水平投影长度为4.5
‑
5.5μm。
[0033]由上述描述可知，相较于现有技术，扩大了倒角尺寸，能够提高蒸镀反射层的尺寸。
[0034]进一步地，所述在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层包括：
[0035]在负性光刻胶的显影区域上溅射蒸镀反射层，并剥离所述负性光刻胶上方的反射
层，所述反射层为银镜层。
[0036]由上述描述可知，银镜反射层面积增大后可反射更多光源，提升发光亮度。
[0037]进一步地，在负性光刻胶的显影区域上溅射蒸镀反射层包括：
[0038]在温度为50℃的环境下，在负性光刻胶的显影区域上溅射蒸镀银镜层。
[0039]进一步地，所述银镜层的厚度为
[0040]由上述描述可知，在50℃的环境下溅射蒸镀银镜层，能够得到厚度为由上述描述可知，在50℃的环境下溅射蒸镀银镜层，能够得到厚度为的银镜层，并且由于扩大了倒角尺寸，因此银镜层的面积也会增加。
[0041]进一步地，所述在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层之后包括：
[0042]在所述反射层上覆盖二氧化硅保护层。
[0043]进一步地，所述二氧化硅保护层的厚度为
[0044]由上述描述可知，在反射层上覆盖二氧化硅保护层能够保证反射层无黑边。
[0045]本专利技术上述的一种LED芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，包括步骤：在芯片的电流扩展层上涂敷负性光刻胶，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量；对烘烤后的负性光刻胶，使用116
‑
120℃的温度进行曝光显影；在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量包括：使用95
‑
105℃的温度对负性光刻胶进行匀胶烘烤。3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述使用95
‑
105℃的温度对负性光刻胶进行匀胶烘烤包括：在负性光刻胶匀胶后使用95
‑
105℃的温度进行光刻胶的烘烤，并保留光刻胶中5％的溶剂。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，对烘烤后的负性光刻胶，使用116
‑
120℃的温度进行曝光显影还包括：设置曝光显影的时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧敏，钟伟华，林武，李景浩，彭足超，鲁日彬，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：