提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件技术

本发明专利技术提供一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件，该方法包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。本发明专利技术通过加以电场循环使铪基反铁电薄膜获得剩余极化强度，使其满足剩余极化强度的同时获得更好的耐久性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件


[0001]本专利技术涉及集成电路器件
，具体地，涉及一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件。

技术介绍

[0002]在人工智能与物联网技术驱动下的大数据时代，数据量的爆炸式增长对集成电路的计算和存储能力提出更高的要求。传统的存储技术由静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)和闪存(FlASH)三级结构构成并进行各项性能的互补和平衡，该存储架构已逐渐难以满足大数据时代海量数据的存储以及例如深度学习等高速、高带宽存储器访问任务的执行。因此，亟需以新材料、新原理、新架构为主要特征的新型技术实现更高速度、更低功耗、更高密度以及如存算一体等新型功能的非易失性存储器件。
[0003]目前，学术和工业界已提出几种新型存储技术路线，包括阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCRAM)、自旋电子存储器(STT
‑
MRAM)和多种铁电存储器件等。其中包括铁电晶体管(FeFET)、铁电存储器(FeRAM)以及铁电隧道结(FTJ)在内的铁电存储器件兼具存储密度大、读写速度快、存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高铪基铁电器件耐久性的方法，其特征在于，包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。2.根据权利要求1所述的提高铪基铁电器件耐久性的方法，其特征在于，所述在衬底上制备铪基薄膜，其中：所述铪基薄膜的制备方法包括原子层沉积、磁控溅射和激光脉冲沉积中的任意一种。3.根据权利要求1所述的提高铪基铁电器件耐久性的方法，其特征在于，所述在衬底上制备铪基薄膜，其中：所述铪基薄膜的厚度为0.1
‑
100nm。4.根据权利要求1所述的提高铪基铁电器件耐久性的方法，其特征在于，所述在衬底上制备铪基薄膜，其中：所述铪基薄膜的基本材料为氧化铪，掺杂元素为Zr、Si、Ge、Al、Y、La和N中的任意一种，按照掺杂元素与铪元素的原子量比值，掺杂浓度范围为0
‑
100％。5.根据权利要求1所述的提高铪基铁电器件耐久性的方法，其特征在于，所述在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件，其中：所述铪基器件为电容、晶体管和隧道结中的任意一种。6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀妍，陈丹旸，司梦维，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：