本实用新型专利技术涉及一种提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，包括蚀刻用喷槽、水泵和金属离子吸附单元，在该蚀刻用喷槽底部的一侧设置有出液口，在该出液口处安装有出液管；在该蚀刻用喷槽的上部设置有进液口，在该进液口处安装有进液管，在所述的出液管与进液管之间的管道上依次安装有所述的水泵和金属离子吸附单元，该进液管的出液端延伸至所述的蚀刻用喷槽内安装有喷头，在所述的蚀刻用喷槽内还安装有与所述喷头相对应的摇摆单元。本实用新型专利技术的优点是：由于增加了可以吸附ITO蚀刻液中的金属阳离子的吸附单元，避免因蚀刻液较长时间使用，造成蚀刻精度和质量下降。可以有效吸附阳离子，起到稳定证蚀刻液的性能的作用。起到稳定证蚀刻液的性能的作用。起到稳定证蚀刻液的性能的作用。
【技术实现步骤摘要】
提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置
[0001]本技术涉及一种提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，属于蚀刻领域。
技术介绍
[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT
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LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。但6N盐酸和硝酸的混合水溶液为通用IT0蚀刻液，其腐蚀能力强，随着蚀刻时间的延长，蚀刻液中铜离子、铟离子和锡离子不断增加，导致蚀刻液性能变化，其中铜离子的不断增加，导致咬铜量增大，从而影响高密度细导线图像的精度和质量。
技术实现思路
[0003]为克服现有技术的缺陷，本技术提供一种提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，本技术的技术方案是：
[0004]一种提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，包括蚀刻用喷槽、水泵和金属离子吸附单元，在该蚀刻用喷槽底部的一侧设置有出液口，在该出液口处安装有出液管；在该蚀刻用喷槽的上部设置有进液口，在该进液口处安装有进液管，在所述的出液管与进液管之间的管道上依次安装有所述的水泵和金属离子吸附单元，该进液管的出液端延伸至所述的蚀刻用喷槽内安装有喷头，在所述的蚀刻用喷槽内还安装有与所述喷头相对应的摇摆单元。
[0005]所述的金属离子吸附单元包括依次连通在一起的铜离子吸附柱、铟离子吸附柱和锡离子吸附柱，该铜离子吸附柱接近所述的进液管，在所述的进液管上安装有压力表。
[0006]在所述的出液管上安装有阀门。
[0007]所述的铜离子吸附柱中的填充物为铜JL
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T012树脂，铟离子吸附柱中填充物为D418螯合树脂，锡离子吸附树脂采用陶氏D113大孔吸附阳离子树脂。
[0008]所述的摇摆单元包括驱动电机和驱动臂，所述的驱动电机固定在蚀刻用喷槽的上方；所述驱动电机的电机轴伸入蚀刻用喷槽内与L型的驱动臂的一端固定连接，所述驱动臂的另一端与摇摆架连接。
[0009]本技术的优点是：在使用时，安装在蚀刻产线设备上，由于增加了可以吸附ITO蚀刻液中的金属阳离子的吸附单元，避免因蚀刻液较长时间使用，造成蚀刻精度和质量下降。并可有效分离铜离子、铟离子和锡离子，利于铜离子、铟离子和锡离子的回收利用。
附图说明
[0010]图1是本技术的主体结构示意图。
具体实施方式
[0011]下面结合具体实施例来进一步描述本技术，本技术的优点和特点将会随着描述而更为清楚。但这些实施例仅是范例性的，并不对本技术的范围构成任何限制。本领域技术人员应该理解的是，在不偏离本技术的精神和范围下可以对本技术技术方案的细节和形式进行修改或替换，但这些修改和替换均落入本技术的保护范围内。
[0012]参见图1，本技术涉及一种提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，包括蚀刻用喷槽1、水泵2和金属离子吸附单元，在该蚀刻用喷槽1底部的一侧设置有出液口，在该出液口处安装有出液管9；在该蚀刻用喷槽1的上部设置有进液口，在该进液口处安装有进液管8，在所述的出液管9与进液管8之间的管道上依次安装有所述的水泵2和金属离子吸附单元，该进液管8的出液端延伸至所述的蚀刻用喷槽1内安装有喷头6，在所述的蚀刻用喷槽1内还安装有与所述喷头6相对应的摇摆单元（该摇摆单元包括驱动电机和驱动臂，所述的驱动电机固定在蚀刻用喷槽的上方；所述驱动电机的电机轴伸入蚀刻用喷槽内与L型的驱动臂的一端固定连接，所述驱动臂的另一端与摇摆架连接）。
[0013]所述的金属离子吸附单元包括依次连通在一起的铜离子吸附柱3、铟离子吸附柱4和锡离子吸附柱5，该铜离子吸附柱3接近所述的进液管8，在所述的进液管8上安装有压力表11。
[0014]在所述的出液管9上安装有阀门10。
[0015]所述的铜离子吸附柱3中的填充物为铜JL
‑
T012树脂，铟离子吸附柱中填充物为D418螯合树脂，锡离子吸附树脂采用陶氏D113大孔吸附阳离子树脂。
[0016]本技术的工作原理是：设置蚀刻用喷槽、水泵和金属离子吸附单元，蚀刻用喷槽是指带有喷洒、摇摆功能。可以自动喷洒药水，起到蚀刻作用，从蚀刻用喷槽出来的液体依次通过出液管、水泵、管道、锡离子吸附柱、铟离子吸附柱和铜离子吸附柱，最后通过进液管进入蚀刻用喷槽，由于锡离子吸附柱、铟离子吸附柱和铜离子吸附柱的设置，可以同时吸附铜离子、铟离子和锡离子，避免因蚀刻液较长时间使用，造成蚀刻精度和质量下降；并可有效分离铜离子、铟离子和锡离子，利用铜离子、铟离子和锡离子的回收利用。且本技术结构组成简单，阳离子吸附效率高。
[0017]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，其特征在于，包括蚀刻用喷槽、水泵和金属离子吸附单元，在该蚀刻用喷槽底部的一侧设置有出液口，在该出液口处安装有出液管；在该蚀刻用喷槽的上部设置有进液口，在该进液口处安装有进液管，在所述的出液管与进液管之间的管道上依次安装有所述的水泵和金属离子吸附单元，该进液管的出液端延伸至所述的蚀刻用喷槽内安装有喷头，在所述的蚀刻用喷槽内还安装有与所述喷头相对应的摇摆单元。2.根据权利要求1所述的提升ITO蚀刻液性能稳定性的蚀刻装置，其特征在于，所述的金属离子吸附单元包括依次连通在一起的铜离子吸附柱、铟离子吸附柱和锡离子吸附柱，该铜离子吸附柱接近所述的进液管，在所述的进液管上安装有...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈敬伦，
申请(专利权)人：南通群安电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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