一种无腐蚀型光阻剥除剂制造技术

技术编号:40384792 阅读:25 留言:0更新日期:2024-02-20 22:20
本发明专利技术公开了一种无腐蚀型光阻剥除剂,包括如下重量份的组分:有机胺、有机溶剂、有机碱类渗透催化剂和缓释剂组合物;所述的缓释剂组合物包括组分A和组分B;所述的组分A为五元环或六元环的含氮杂环类化合物;所述的组分B为镧系元素的硫酸盐,醋酸盐或硝酸盐。本发明专利技术可以有效且快速的剥除与基材结合力强且较厚的抗蚀剂,同时不会在剥除过程中引起铜面的腐蚀或异色及贾凡尼效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及线路板清洁剂领域,特别涉及一种无腐蚀型光阻剥除剂


技术介绍

1、随著电子产品的高性能化,pcb向“短、小、轻、薄”的方向发展,因此对各段生产工艺的控制提出了更高的要求。pcb的表面处理会选用性能优良的镀金或化金。为了保护pcb的基材,在镀金或化金之前,通常会使用干膜覆盖电路板基材的表面,并选择性地暴露出需镀金或化金的铜表面。在镀金或化金之后,进行去膜。目前一般采用无机去膜液naoh(氢氧化钠)或koh(氢氧化钾)作为去膜液进行电路板去膜。但是,采用无机去膜液进行去膜时,存在以下缺陷:

2、第一,naoh或koh会与pcb的铜面发生反应生产cu(oh)2,即会造成缓慢的铜面氧化;

3、第二,cu-2e=cu2+(v=0.0337 v), au-e=au+(v=1.691 v),存在较大电势差,在强碱性条件下为贾凡尼效应提供了环境,正极为金,负极为铜,电子在碱性介质中传输构成一个贾凡尼(原电池)体系,加快铜腐蚀,铜面积损失较大,且导致铜面异色等问题;

4、第三,无机去膜液去膜速度较慢,时间的延长也会增加铜的损本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:包括如下重量份的组分:有机胺20-50份、有机溶剂10-30份、有机碱类渗透催化剂5-20份、缓释剂组合物5-20份;

2.根据权利要求1所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的有机胺为乙醇胺,三乙醇胺,二乙醇胺,三异丙醇胺或其他烷链醇胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的有机胺搭配烷基季铵盐使用。

4.根据权利要求3所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的烷基季铵盐为四甲基氢氧化铵,四甲基溴化铵或四丁基氢氧化铵。

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:包括如下重量份的组分:有机胺20-50份、有机溶剂10-30份、有机碱类渗透催化剂5-20份、缓释剂组合物5-20份;

2.根据权利要求1所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的有机胺为乙醇胺,三乙醇胺,二乙醇胺,三异丙醇胺或其他烷链醇胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的有机胺搭配烷基季铵盐使用。

4.根据权利要求3所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的烷基季铵盐为四甲基氢氧化铵,四甲基溴化铵或四丁基氢氧化铵。

5.根据权利要求1所述的一种无腐蚀型光阻剥除剂,其特征在于:所述的有机溶剂为乙二醇、丙二醇、正丁醇、异丁醇、丙二醇甲醚、丙二...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈敬伦陈芬李雪梅
申请(专利权)人:南通群安电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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